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M24128-BW4MW16T  M24128-BV2MN6T  M24128-BWBN6T  M24128-BSDL6T  M24128-BSMW16T  M24128-BSBN6T  M24128-BW4MN6T  M24128-BW4DL6T  M24128-BSMN6T  JN2FS10SL2-R  
10A05 硅整流二极管 (SILICON RECTIFIER DIODES)
.型号:   10A05
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描述: 硅整流二极管
SILICON RECTIFIER DIODES
文件大小 :   36 K    
页数 : 2 页
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品牌   EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
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100%
10A01-10A07
PRV : 50 - 1000伏
IO: 10安培
产品特点:
*扩散结
*高电流能力和低正向
电压降
*浪涌过载额定值为600A峰值
*低反向漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅整流二极管
D6
1.00 (25.4)
分钟。
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
机械数据:
*案例:模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 2.049克
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
平均整流输出电流(注1 )的Ta = 50℃
非重复性峰值正向浪涌电流8.3毫秒
叠加在额定负荷单一正弦半波
( JEDEC的方法)
最大正向电压在我
F
= 10安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
热阻
工作和存储温度范围
笔记
:
符号
10A01 10A02 10A03 10A04 10A05 10A06 10A07
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
I
R(高)
Cj
R
θJC
T
J
, T
英镑
150
0.8
- 65至+ 150
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
10
600
1.3
10
100
80
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µA
µA
pF
° C / W
°C
TA = 25
°C
TA = 100
°C
典型结电容(注2 )
(1)信息库保持在环境温度下为9.5毫米往复的情况下的距离。
( 2 )测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接volage 。
第1页2
启示录01 : 2005年10月27日
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