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证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
1N4460 - 1N4496和
1N6485 - 1N6491
V
Z
: 3.3 - 200伏
P
D
: 1.5瓦
产品特点:
*硅功率齐纳二极管
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
M1A
0.085(2.16)
0.075(1.91)
1.00 (25.4)
分钟。
0.138(3.51)
0.122(3.10)
机械数据:
*案例: M1A模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量:0.32克(约)
0.024(0.60)
0.022(0.55)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(评分在25 ° C环境温度,除非另有规定)
等级
在大功耗= 25°C
最大正向电压在我
F
= 200毫安
热阻,结到铅(注1 )
工作温度
存储温度范围
注意:
(1)在8"分之3 ( 10mm)的引线长度形式的身体。
符号
P
D
V
F
R
θJA
T
J
T
英镑
价值
1.5
1.0
42
- 65〜 + 175
- 65〜 + 175
单位
W
V
° C / W
°C
°C
图。 1功耗温度降额曲线
P
D
,最大耗散
(W)
1.5
1.2
0.9
0.6
L = 8"分之3 ( 10mm)的
0.3
0
0
25
50
75
100
125
150
175
TA ,环境温度( ° C)
第1页2
启示录03 : 2006年11月2日
证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
电气特性
(评分在25 ° C环境温度,除非另有规定)
型号
公称
齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
TEST
当前
I
ZT
(MA )
76.0
69.0
64.0
58.0
53.0
49.0
45.0
40.0
37.0
34.0
31.0
28.0
25.0
23.0
21.0
19.0
17.0
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.0
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大
动态
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
(Ω)
10
10
9
9
8
7
5
4.0
2.5
2.5
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
14
16
18
20
25
27
80
40
50
60
70
80
100
130
160
200
250
300
400
500
700
1000
1300
1500
最大齐纳
阻抗
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
400
400
400
400
500
500
600
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
最大反向
当前
I
R
@ V
R
(μA)
(V)
50
50
35
5.0
4.0
1.0
0.5
10
5.0
1.0
0.5
0.3
0.3
0.3
0.2
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.72
4.08
4.50
4.92
5.46
8.00
8.80
9.60
10.4
12.0
12.8
14.4
16.0
17.6
19.2
21.6
24.0
26.4
28.8
31.2
34.4
37.6
40.8
44.8
49.6
54.4
60.4
65.6
72.8
80.0
88.0
96.0
104.0
120.0
128.0
144.0
160.0
I
ZK
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
连续
当前
I
ZM
(MA )
433
397
366
332
304
280
255
230
210
191
174
157
143
130
119
110
95
90
79
71
65
60
53
48
43
40
37
33
30
28
26
23
21
19
17
16
14
13
12
11
9.5
8.9
7.9
7.2
最大
浪涌
当前
I
ZSM
(A)
4.2
3.9
3.6
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.6
1.4
1.3
1.2
1.1
0.95
0.90
0.79
0.71
0.65
0.60
0.53
0.48
0.43
0.40
0.37
0.33
0.30
0.28
0.26
0.23
0.21
0.19
0.17
0.16
0.14
0.13
0.12
0.11
0.095
0.089
0.079
0.072
1N6485
1N6486
1N6487
1N6488
1N6489
1N6490
1N6491
1N4460
1N4461
1N4462
1N4463
1N4464
1N4465
1N4466
1N4467
1N4468
1N4469
1N4470
1N4471
1N4472
1N4473
1N4474
1N4475
1N4476
1N4477
1N4478
1N4479
1N4480
1N4481
1N4482
1N4483
1N4484
1N4485
1N4486
1N4487
1N4488
1N4489
1N4490
1N4491
1N4492
1N4493
1N4494
1N4495
1N4496
注意:
(1)中列出的类型数目有±5%的额定齐纳电压的标准容差。
第2页2
启示录03 : 2006年11月2日
相关元器件产品Datasheet PDF文档

1N4465DE3

Zener Diode, 10V V(Z), 1%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
0 MICROSEMI

1N4465E3

Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
0 MICROSEMI

1N4465JANTX

VOIDLESS HERMETICALLY SEALED 1.5 WATT GLASS ZENER DIODES
8 MICROSEMI

1N4465TR

Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN
1 CENTRAL

1N4465US

1.5 WATT GLASS ZENER DIODES
14 MICROSEMI

1N4465US

Zener 1.5W DIODE
31 SENSITRON