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BZX55B43 硅稳压二极管 (SILICON ZENER DIODES)
.型号:   BZX55B43
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描述: 硅稳压二极管
SILICON ZENER DIODES
文件大小 :   38 K    
页数 : 2 页
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品牌   EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
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100%
BZX55B2V0 〜 BZX55B100
V
Z
: 2.0 - 100伏
P
D
: 500毫瓦
硅稳压二极管
DO - 35
0.079 (2.0)最大。
1.00 (25.4)
分钟。
产品特点:
*完整的2.0〜 100伏
*高浪涌电流能力
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*齐纳电压容差
±
2%
*无铅/符合RoHS免费
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 (0.52)最大。
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
机械数据
*案例:模压玻璃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极。当齐纳二极管模式中操作,
阴极将是积极的方面阳极
*安装位置:任意
*重量: 0.13克(约)
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
功率耗散(注1)
最大正向电压在我
F
-100毫安
最大热阻结到环境空气(注1)
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
j
T
s
价值
500
1.0
300
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
mW
V
° C / W
°C
°C
(1 )有效的情况下,从提供通向在3/8的距离“被保持在环境温度。
第1页2
启示录05 : 2005年6月25日
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