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CAT93C86VITE13  P83C557E4EFB  M37274EFSP  LT1371HVIT7  MR16R1624EG0-CK8  X28C64EI-20  P83C654EFB  VI-24VIU  P83C524EFA  AQV414EHA  
P600B 硅整流二极管 (SILICON RECTIFIER DIODES)
.型号:   P600B
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描述: 硅整流二极管
SILICON RECTIFIER DIODES
文件大小 :   60 K    
页数 : 2 页
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品牌   EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
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100%
TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07 / 1033
P600A - P600M
PRV : 50 - 1000伏
产品特点:
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
硅整流二极管
D6
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
1.00 (25.4)
分钟。
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
机械数据:
*案例:无空洞模压塑体
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 2.1克
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度,除非另有specifie 。
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375"设计(9.5mm )引线长度大= 60
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在I
F
= 6 A
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻( 1 )
典型的反向恢复时间( 2 )
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
P600A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
V
F
I
R
I
R(高)
C
J
R
θ
JA
T
rr
T
J
T
英镑
50
35
50
P600B
P600D
P600G
P600J
P600K
P600M
单位
V
V
V
A
A
V
μA
mA
pF
° C / W
μs
°C
°C
100
70
100
200
140
200
400
280
400
6.0
400
1.0
5.0
1.0
150
20
2.5
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
在4.0V , 1MHz的典型结电容
- 50〜 + 150
- 50〜 + 150
注意事项:
( 1 )从结点到环境的热阻和交界处领导在0.375"设计(9.5mm )引线长度,
P.C.B.搭载1.1 “ ×1.1 ” ( 30× 30毫米)铜垫
( 2 )反向恢复测试条件我
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A , IRR = 0.25A
:
第1页2
启示录05 : 2008年9月16日
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