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LPD301-048-24-PI-200  DP83902VF  LPD301-048-24-VM-075  LPD301-048-24-PI-100  LPD301-048-28-PC-075  LPD301-048-24-PM-075  DP83916VF  DP83905VQB  DP8390BN  LPD301-048-28-VM-075  
HM5425161BTT-10 256M SSTL_2接口DDR SDRAM 143兆赫/ 133兆赫/ 125兆赫/ 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4-银行 (256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank)
.型号:   HM5425161BTT-10
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描述: 256M SSTL_2接口DDR SDRAM 143兆赫/ 133兆赫/ 125兆赫/ 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4-银行
256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
文件大小 :   481 K    
页数 : 65 页
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品牌   ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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100%
HM5425161B , HM5425801B , HM5425401B系列
引脚功能( 1 )
CLK ,
CLK
(输入引脚) :
在CLK和
CLK
是主时钟输入。除了DMS, DQSS所有输入
和的DQ被称为在CLK的上升沿和V的交叉点
REF
的水平。当进行读操作,
DQSS和DQS被称为CLK和的交叉点
CLK 。
当一个写操作中,模式草案和
的DQ都提到了DQS和V的交叉点
REF
的水平。 DQSS对于写操作被称为
CLK和的交叉点
CLK 。
CS
(输入引脚) :
CS
为低时,命令和数据可被输入。当
CS
是高,所有的输入都是
忽略不计。然而,内部操作(存储体激活,突发操作等)被保持。
RAS , CAS ,
WE
(输入引脚) :
这些引脚限定了操作命令(读,写等)取决于
它们的电压电平的组合。见"Command operation" 。
A0至A12 (输入引脚) :
行地址( AX0到AX12 )由A 0处交叉确定的A12级
点在CLK的上升沿和V的
REF
在银行主动指令周期的水平。列地址( AY0到
AY8 ;在HM5425161B , AY0到AY9 ;在HM5425801B , AY0到AY9 , AY11 ;该HM5425401B )加载
经由A0到A9在CLK的上升沿和V的交叉点
REF
在一个读或写命令级别
周期。此列地址成为一个脉冲串操作的起始地址。
A10 ( AP) (输入引脚) :
A10限定在预充电模式时的预充电命令,读命令或一个
写命令被发出。如果A10 =高发出预充电命令时,所有银行都预充电。如果
A10 =低发出预充电命令时,只有被选中BA1 / BA0 ,该行预充电。
如果A10 =高读或写命令时,自动预充电功能。而A10 =低,自动
预充电功能。
BA0 / BA1 (输入引脚) :
BA0 / BA1是银行选择信号。所述存储器阵列被划分为存储体0 ,存储体1 ,
银行2如果BA1 =低和BA0 =低,银行选择0组3 。如果BA1 =高和BA0 =低,银行
1被选择。如果BA1 =低和BA0 =高,银行2中选择。如果BA1 =高和BA0 =高,银行3
选择。
CKE (输入引脚) :
CKE控制关机和自刷新。掉电和自刷新
当CKE为低电平时命令进入和退出将恢复到高的时候。
该级别CKE必须保持1 CLK周期( = T
CKEPW
)至少,也就是说,如果CKE改变在的交叉点
在CLK的上升沿和V
REF
适当的设置时间t的水平
IS
由下一CLK的上升沿CKE水平
必须保持适当的保持时间t
IH
.
数据表E0086H20
10
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