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HM5425161BTT-10 256M SSTL_2接口DDR SDRAM 143兆赫/ 133兆赫/ 125兆赫/ 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4-银行 (256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank)
.型号:   HM5425161BTT-10
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描述: 256M SSTL_2接口DDR SDRAM 143兆赫/ 133兆赫/ 125兆赫/ 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4-银行
256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
文件大小 :   481 K    
页数 : 65 页
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品牌   ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
购买 :   
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100%
HM5425161B , HM5425801B , HM5425401B系列
指令操作
命令真值表
该HM5425161B的HM5425801B和HM5425401B识别由所指定的以下命令
CS , RAS , CAS,WE
和地址引脚。所有其他组合相比于下表是非法的。
CKE
命令
ignore命令
无操作
在读命令突发停止
列地址和读命令
阅读自动预充电
符号
DESL
NOP
BST
READA
n–1 n
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS CAS WE
BA1 BA0 AP
×
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
×
H
H
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
×
H
L
H
H
L
L
H
L
L
H
H
L
L
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
L
×
×
×
V
V
V
V
V
V
×
×
×
L
H
×
×
×
L
H
L
H
V
L
H
×
×
L
L
地址
×
×
×
V
V
V
V
V
×
×
×
×
V
V
列地址和写命令WRIT
写带自动预充电
行地址选通和银行主动
预充电选择银行
预充电所有银行
刷新
WRITA
ACTV
PRE
PALL
REF
模式寄存器设置
太太
EMRS
注意事项: 1, H: V
IH
。 L: V
IL
.
×:
V
IH
或V
IL
。 V :有效地址输入
2. CKE水平必须保持在1 CLK周期( = T
CKEPW
)至少。
ignore命令[ DESL ] :
CS
高是在CLK上升沿和V的交叉点
REF
的水平,
每个输入被忽视和内部状态保持。
无操作[ NOP ] :
只要这个命令被输入在CLK的上升沿和的交叉点
V
REF
电平,地址和数据的输入被忽视和内部状态被保持。
突发停在读取操作[ BST ] :
此命令用于停止脉冲串读操作,这是不适用
突发写入操作。
列地址选通和读命令[阅读] :
此命令启动一个读操作。开始
该HM5425161B , AY0到AY9 ;读取由列地址( AY0到AY8确定的脉冲串的地址;
在HM5425801B , AY0到AY9 , AY11 ;在HM5425401B )和银行选择地址( BA ) 。后
在读操作完成后,将输出缓冲器变成高阻抗。
数据表E0086H20
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