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描述:
759-861W08A  759-862A16  759-862C40  759-862A80  759-861W20C  759-862C32  759-861W96A  759-862AA16  759-862C12  759-862C20  
HM5425161BTT-10 256M SSTL_2接口DDR SDRAM 143兆赫/ 133兆赫/ 125兆赫/ 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4-银行 (256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank)
.型号:   HM5425161BTT-10
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描述: 256M SSTL_2接口DDR SDRAM 143兆赫/ 133兆赫/ 125兆赫/ 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4-银行
256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
文件大小 :   481 K    
页数 : 65 页
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品牌   ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
购买 :   
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100%
HM5425161B , HM5425801B , HM5425401B系列
可编程的突发序列
顺序
交错
开始寻址能力
奇数和偶数
可编程
CAS
潜伏期: 2 / 2.5
8192刷新周期: 7.8
µs
( 64毫秒/ 8192次)
刷新2变化
自动刷新
自刷新
订购信息
型号
HM5425161BTT-75A*
1
HM5425161BTT-75B*
2
HM5425161BTT-10*
3
HM5425801BTT-75A*
1
HM5425801BTT-75B*
2
HM5425801BTT-10*
3
HM5425401BTT-75A*
1
HM5425401BTT-75B*
2
HM5425401BTT-10*
3
频率
133兆赫
133兆赫
100兆赫
133兆赫
133兆赫
100兆赫
133兆赫
133兆赫
100兆赫
CAS
潜伏期
2.0
2.5
2.0
2.0
2.5
2.0
2.0
2.5
2.0
400厂66引脚塑料
TSOP II
注意事项: 1,在143 MHz运行
CAS
延迟= 2.5 。
2. 100 MHz运行时
CAS
延迟= 2.0 。
3. 125 MHz运行时
CAS
延迟= 2.5 。
数据表E0086H20
2
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