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融合存储&逻辑解决方案公司
文档标题
256K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
EM620FU8系列
低功耗, 256Kx8 SRAM
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版本号
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0.1
历史
最初的草案
2'nd草案
添加无铅部件编号
草案日期
2002年12月18日
2004年2月13日
备注
新兴的内存&逻辑解决方案公司
IT创业大厦东区11楼, 78 Karac洞,松坡苦,首尔,韩国Rep.of邮编: 138-160
联系电话: + 82-2-2142-1759 〜 1766传真: + 82-2-2142-1769 /主页: www.emlsi.com
通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系EMLSI办公室。
1
融合存储&逻辑解决方案公司
特点
工艺技术:采用0.18μm CMOS全
组织: 256K ×8位
电源电压: 2.7V 〜 3.3V
低数据保持电压: 1.5V (最小值)
三态输出与TTL兼容
封装类型: 36 FPBGA 6.0x7.0
EM620FU8系列
低功耗, 256Kx8 SRAM
概述
该EM620FU8家庭由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该fami-
在于还支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品
家庭
EM620FU8
操作
温度
工业级(-40 〜 85
o
C)
VCC
范围
速度
待机
(I
SB1
,典型值)
1
µA
操作
(I
CC1
的.max )
2毫安
PKG
TYPE
36FPBGA
2.7V~3.3V
55
1)
/为70ns
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
功能框图
预充电电路
A
0
I / O
5
I / O
6
V
SS
V
C C
I / O
7
I / O
8
A
9
A
1
A
2
CS
2
WE
DNU
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
I / O
2
V
CC
V
SS
行拣选的人
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
数据
CONT
V
C
C
V
SS
存储阵列
1024 x 2048
I / O1 〜 I / O8
I / O电路
列选择
DNU
OE
A
10
CS
1
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
3
I / O
4
A
14
A A A
12
A
1
A A A A
10 11
3 14 15 16 17
36 FPBGA :俯视图(球下)
W
E
O
E
CS
1
控制逻辑
名字
CS
1
, CS
2
OE
A
0
~A
17
I / O
1
-I / O
8
功能
片选输入
输出使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
WE
VCC
VSS
DNU
功能
写使能输入
电源
不要使用
CS
2
2
融合存储&逻辑解决方案公司
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
EM620FU8系列
低功耗, 256Kx8 SRAM
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
评级
-0.2〜 VCC + 0.3 (最大4.0V )
-0.2〜 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。实用
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
功能说明
CS
1
H
X
L
L
L
CS
2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
模式
取消
取消
输出禁用
动力
支持
支持
活跃
活跃
活跃
注:X表示不关心。 (必须是低或高的状态)
3
融合存储&逻辑解决方案公司
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
EM620FU8系列
低功耗, 256Kx8 SRAM
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
2.7
0
2.0
-0.2
3)
典型值
3.0
0
-
-
最大
3.3
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
TA = -40 〜85
o
C,另有规定
过冲: V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲:如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试
.
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25
o
C)
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样,而不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS
1
= V
IH
, CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安, CS
1
=V
IL
, CS
2
= WE = V
IH
, V
I N
=V
I H
或V
IL
周期时间= 1μs的时间, 100 %的关税,我
IO
=0mA,
CS
1
< 0.2V , CS
2
& GT ; V
CC
-0.2V,
V
IN
< 0.2V或V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小,我
IO
= 0毫安, 100 %的关税,
CS
1
=V
IL
, CS
2
=V
IH ,
V
IN
=V
IL
或V
I H
I
OL
= 2.1毫安
I
Ø ħ
= -1.0mA
CS
1
= V
IH
, CS
2
=V
IL
,其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
& GT ; V
CC
-0.2V , CS
2
& GT ; V
C C
-0.2V ( CS
1
控制)
或0V<CS
2
<0.2V ( CS
2
控制) ,
测试条件
-1
-1
-
-
55ns
70ns
-
-
-
2.2
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
2
2
20
15
0.4
-
0.3
单位
µA
µA
mA
mA
mA
V
V
mA
待机电流( CMOS )
I
SB1
其他输入= 0 〜V
CC
(典型值条件:V
C C
= 3.0V @ 25℃)
(最大条件:V
CC
=3.3V @ 85
o
C)
o
LL
LF
-
1
5
µA
4
融合存储&逻辑解决方案公司
交流工作条件
测试条件(测试
加载和测试输入/输出参考)
输入脉冲电平: 0.4〜 2.2V
输入上升和下降时间: 5ns的
输入和输出参考电压: 1.5V
输出负载(见右图) : CL = 100pF电容+ 1 TTL
CL = 30pF的+ 1 TTL
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070Ω
,
R
2
=3150Ω
3. V
TM
=2.8V
1)
EM620FU8系列
低功耗, 256Kx8 SRAM
V
TM 3 )
R
12)
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 2.7〜 3.3V , GND = 0V ,T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
co1,
t
co2
t
Ø ê
t
LZ1,
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
OHZ
t
OH
55ns
55
-
-
-
10
5
0
0
15
最大
-
55
55
30
-
-
20
20
-
70
-
-
-
10
5
0
0
15
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 2.7〜 3.3V , GND = 0V ,T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW1,
t
CW2
t
As
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55ns
55
45
0
45
45
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
20
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
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    应用领域和描述

    256K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
    256K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM

    总11页 (70K) Emerging Memory & Logic Solutions Inc
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