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EM640FP16系列
低功耗, 256Kx16 SRAM
文档标题
256K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
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历史
最初的草案
2'nd草案
3'rd草案
改变了国际商会ICC1值
改变了我
SB1
试验条件下,
改变了VDR & IDR
测量条件
草案日期
2002年10月24日
2002年11月11日
2002年12月23日
备注
初步
0.3
0.4
4'th草案
5'th草案
添加无铅部件编号
EM640FP16 :
改变ICC2值
改变包装尺寸
2004年2月13日
2006年4月11日
新兴的内存&逻辑解决方案公司
IT创业大厦东区11楼, 78 Karac洞,松坡苦,首尔,韩国Rep.of邮编: 138-160
联系电话: + 82-2-2142-1759 〜 1766传真: + 82-2-2142-1769 /主页: www.emlsi.com
通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系EMLSI办公室。
1
EM640FP16系列
低功耗, 256Kx16 SRAM
特点
工艺技术: 0.18
µ
米全CMOS
组织: 256K ×16位
电源电压: 1.65V 〜 2.2V
低数据保持电压: 1.0V (最小值)。
三态输出
封装类型: 48 FPBGA 6.0x7.0
概述
该EM640FP16家庭由EMLSI的制作
先进的全CMOS工艺技术。家庭
支持工业级温度范围及芯片级
包装系统设计的用户灵活性。该fami-
在于还支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品
家庭
操作
温度
VCC
范围
速度
待机
(I
SB1
, TYP 。 )
1
µA
操作
(I
CC1
的.max )
2毫安
PKG
TYPE
48-FPBGA
(6.0x7.0)
EM640FP16
工业级(-40 〜 85
o
C)
1.65~2.2V
70ns
1)
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
5
6
功能框图
预充电电路
LB
I / O
9
OE
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU
A
14
A
12
A
9
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CS
1
I / O
2
I / O
4
I / O
5
I / O
6
WE
A
11
CS
2
I / O
1
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
7
I / O
8
DNU
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
行选择
V
SS
I / O
10
I / O
11
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
13
存储阵列
2048 x 2048
I / O1 〜 I / O8
I / O9 〜 I / O16
数据
CONT
I / O
15
I / O
14
I / O
16
DNU
DNU
A
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
48 FPBGA :俯视图(球下)
WE
OE
UB
LB
控制逻辑
名字
CS
1
, CS
2
OE
WE
A
0
~A
17
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
电源
高字节( I / O
9~16
)
低字节( I / O
1~8
)
不要使用
CS
1
CS
2
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
2
EM640FP16系列
低功耗, 256Kx16 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.5到2.5V
-0.3〜 2.5V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。功能能操作
ATION应限制在推荐的工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
功能说明
CS
1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS
2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
9-16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注:X表示不关心。 (必须是低或高的状态)
3
EM640FP16系列
低功耗, 256Kx16 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
1.65
0
1.4
-0.3
3)
典型值
1.8
0
-
-
最大
2.2
0
V
CC
+ 0.3
2)
0.4
单位
V
V
V
V
TA = -40 〜85
o
C,另有规定
过冲: V
CC
如果脉冲+1.0 V形槽宽度为20ns <
冲:如果脉冲-1.0 V形槽宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试
.
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25
o
C)
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样,而不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
周期时间=最小,我
IO
= 0毫安, 100 %的关税,
CS
1
=V
IL
, CS
2
=V
IH
, LB = V
IL
或/和UB = V
IL
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 0.1毫安
I
OH
= -0.1mA
CS
1
& GT ; V
CC
-0.2V , CS
2
& GT ; V
CC
-0.2V ( CS
1
控制)
或0V<CS
2
<0.2V ( CS
2
控制) ,
其他输入= 0 〜V
CC
(典型值条件:V
CC
=1.8V @ 25
o
C)
(最大条件:V
CC
=2.2V @ 85
o
C)
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS
1
=V
IH
, CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安, CS
1
=V
IL
, CS
2
= WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1
µ
S, 100 %的关税,我
LO
=0mA,
CS
1
<0.2V , LB<0.2V或/和UB<0.2V , CS
2
& GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
<0.2V或V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V
测试条件
-1
-1
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1
1
2
2
单位
uA
uA
mA
mA
-
-
1.4
-
-
-
15
0.2
-
mA
V
V
待机电流( CMOS )
I
SB1
LL
LF
-
1
5
uA
4
EM640FP16系列
低功耗, 256Kx16 SRAM
V
TM3)
R
12)
交流工作条件
测试条件(测试
加载和测试输入/输出参考)
输入脉冲电平: 0.2〜 VCC- 0.2V
输入上升和下降时间: 5ns的
输入和输出参考电压: 0.9V
输出负载(见右图) : CL = 100pF电容+ 1 TTL
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL
1.包括范围和夹具电容
R
2
= 3150欧姆
2. R
1
= 3070欧姆
,
3. V
TM
=1.8V
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 1.65〜 2.2V , GND = 0V ,T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB , LB接取时间
芯片选择低阻抗输出
UB , LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB , LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
co1,
t
co2
t
OE
t
BA
t
LZ1,
t
LZ2
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
70ns
70
-
-
-
最大
-
70
70
35
70
10
10
5
0
0
0
10
-
-
-
25
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 1.65〜 2.2V , GND = 0V ,T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB , LB有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW1,
t
CW2
t
As
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70ns
70
60
0
60
60
55
0
0
30
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
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EM6160FP16EW-55LF

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    应用领域和描述

    256K x16 bit Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
    256K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM

    总11页 (112K) Emerging Memory & Logic Solutions Inc
    Emerging Memory & Logic Solutions Inc
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