电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
TAJB226M010R  
EM6160FP32AW-70LF 256K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM (256K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM)
.型号:   EM6160FP32AW-70LF
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 256K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
256K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
文件大小 :   75 K    
页数 : 11 页
Logo:   
品牌   EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
购买 :   
  浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号EM6160FP32AW-70LF的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
融合存储&逻辑解决方案公司
文档标题
256K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
EM640FU16E系列
低功耗, 256Kx16 SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
历史
最初的草案
2'nd草案
3'rd草案
改变的国际会议中心ICC1值& 55ns产品TDW值
t
LZ1,
t
LZ2
值从5ns的改变为10ns的
t
BW
值从60ns的ischanged到55ns ( 70ns的产品)
t
WP
值是从55ns变到50ns的( 70ns的产品)
t
WP
值从为45nS变为40ns的( 55ns产品)
VDR & IDR测量条件的变化
改变了我
SB1
测试条件
草案日期
2002年8月5日
2002年11月11日
2003年3月13日
备注
0.3
4'th草案
添加无铅部件编号
2004年2月13日
新兴的内存&逻辑解决方案公司
IT创业大厦东区11楼, 78 Karac洞,松坡苦,首尔,韩国Rep.of邮编: 138-160
联系电话: + 82-2-2142-1759 〜 1766传真: + 82-2-2142-1769 /主页: www.emlsi.com
通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系EMLSI办公室。
1
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7