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EN25B32T-75FIP 32兆位串行闪存与引导和参数部门 (32 Mbit Serial Flash Memory with Boot and Parameter Sectors)
.型号:   EN25B32T-75FIP
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描述: 32兆位串行闪存与引导和参数部门
32 Mbit Serial Flash Memory with Boot and Parameter Sectors
文件大小 :   479 K    
页数 : 38 页
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品牌   EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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100%
EN25B32
操作特性
SPI模式
该EN25B32通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问:串行时钟( CLK ) ,
片选信号( CS # ) ,串行数据输入( DI )和串行数据输出( DO ) 。两个SPI总线操作模式0
(0,0)和3 (1,1)被支持。模式0和模式3之间的主要区别,如图
3 ,关注SCK信号的正常状态时, SPI总线主机在待机和数据不
被传输到串行闪存。对于模式0 SCK信号通常是低的。模式3的SCK
信号通常是高的。在这两种情况下,数据输入的DI引脚进行采样在SCK的上升沿。
在DO引脚输出数据时钟输出在SCK的下降沿。
图3. SPI模式
网页编程
以编程一个数据字节时,两条指令必须:写使能(WREN ),这是一个字节,并且一个
页编程(PP)的序列,它由4个字节加上数据。这之后是在内部
项目周期(时间TPP的) 。
传播这个开销,页编程(PP)的指令允许多达256个字节被编程
一时间(改变位从1变为0 ) ,只要它们存在于连续地址的同一页上
内存。
扇区擦除和整体擦除
在页编程(PP)的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用,则
内存字节需要被擦除为全1 ( FFH ) 。这可以达到一个扇区的时间,
使用扇区擦除指令(SE) ,或在整个内存,使用批量擦除( BE )
指令。这将启动一个内部擦除周期(时间或TSE的TBE ) 。擦除指令必须是
前面有一个写使能( WREN)指令。
投票在写,编程或擦除周期
在写状态寄存器( WRSR ) ,计划( PP )或擦除( SE或BE )的时间进一步改善
可以通过不等待最坏情况下的延迟( TW , TPP , TSE ,或TBE)来实现。写在进步
( WIP )位设置在状态寄存器,以使应用程序可以监视它的价值,它投票
建立在以前的写周期,项目周期或擦除周期完成。
有源电力,待机功耗和深度掉电模式
当片选( CS # )为低电平时,器件处于启用状态,在有源模式。当片选
( CS # )为高电平时,设备被禁用,但可以留在有源模式下,直到所有的内部循环
已完成(编程,擦除,写状态寄存器) 。然后,设备进入到待机功耗
模式。该器件消耗下降至
I
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的指令(在进入深度掉电模式
(DP)的指令)被执行。该器件消耗进一步下降到
I
CC2
。该装置保持在这个
模式,直到另一个特定的指令(发布从深度掉电模式和读取设备ID
( RDI)指令)被执行。
所有其它指令被忽略,而该设备在深度掉电模式。这可以被用作
一个额外的软件保护机制,当装置处于非活动状态的使用,以保护设备从
意外写操作,编程或擦除指令。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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版本C ,发行日期: 2007/06/21
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