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MVH68V2CD  MVH66V2AD  MVH65V1AG  MAC7106MVF50  MVH65V2AG  MVH64V2CD  MVH65V2CD  MC2DU032NMVC-0QC00  MC2DU064NMVC-0QC00  AJ3SX12Y8NAO30VO1C2KHD9  
EM484M3244VBA-8FE 256MB ( 2M × 4Bank × 32 )同步DRAM (256Mb (2Mⅴ4Bankⅴ32) Synchronous DRAM)
.型号:   EM484M3244VBA-8FE
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描述: 256MB ( 2M × 4Bank × 32 )同步DRAM
256Mb (2Mⅴ4Bankⅴ32) Synchronous DRAM
文件大小 :   201 K    
页数 : 17 页
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品牌   EOREX [ EOREX CORPORATION ]
购买 :   
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100%
eorex
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V ,T
A
=0°C ~70°C)
符号
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RCD
t
RRD
t
CCD
t
DPL
t
BDL
t
ROH
t
REF
参数
主动对主动命令
(注6 )
至预充电
(注6 )
指令周期
预充电到激活
(注6 )
指令周期
激活到读/写延迟
(注6 )
时间
ACTIVE ( 1 )活动(另一个)
(注6 )
命令
读/写命令
读/写命令
日期,在预充电
命令
日期中突发停止命令
数据输出到高
CL=3
从阻抗
CL=2
预充电命令
刷新时间( 4096周期)
-75
分钟。马克斯。
67.5
45
20
20
15
1
2
1
3
2
64
120k
EM488M3244VBA
AC运行试验特性(续)
单位
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
ms
*所有电压参考V
SS
.
注6 :
这些参数占时钟周期的数目和依赖于工作频率
时钟,如下所示:
时钟周期的数目=的定时/时钟周期指定的值(计数的级分作为一个整体
号)
推荐的上电和初始化
上和初始化序列如下功率保证设备进行预充到每个用户
’s
特定需要。 (与传统DRAM )在电源上,所有的V
DD
和V
DDQ
引脚必须建立
同时,以规定的电压,当输入信号在该保持
“NOP”
状态。电源
电压不得超过V
DD
+ 0.3V任何输入引脚或V
DD
耗材。 (在同一CLK信号开始
时间)
动力上, 200的初始暂停后
µs
需要随后使用的所有银行预充电
预充电命令。
为了防止电源接通期间的DQ总线上的数据争用,它要求该DQM和CKE引脚是
保持在最初的暂停时段高点。一旦所有的银行都已预充电,该模式寄存器设置
命令必须发出初始化模式寄存器。最少八个自动刷新周期( CBR )
也是必需的,并且这些可能之前或编程模式寄存器后进行。
2006年7月
8/17
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