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特点
•完全同步的时钟上升沿
• VDD / VDDQ = 1.8V +/- 0.1V电源
• LVTTL与复用地址兼容
•可编程突发长度(B / L) - 1 , 2 , 4 , 8
或全页
•可编程CAS延迟( C / L ) - 1,2,3
•数据掩码( DQM )的读/写屏蔽
•可编程的缠绕顺序
- 顺序(B / L = 1/2/ 4/8 /全页)
- 交错(B / L = 1/2/4/8 )
•突发读单位的写操作
•所有输入进行采样,在上升沿
系统时钟
•自动刷新和自刷新
•自动温度补偿自刷新
•部分阵列自刷新
·掉电模式
•深度掉电模式
•可编程输出缓冲器驱动强度
• 4096刷新周期/ 64ms的( 15.625us )
EM488M1644LBA
128MB ( 2M
×
4Bank
×
16 )同步DRAM
描述
该EM488M1644LBA是同步动态
组织为随机存取存储器(SDRAM )
2Meg字× 4银行由16位。所有的输入和
输出与正沿同步
时钟。
128MB的SDRAM使用同步流水线
体系结构来实现高速数据传输
利率和设计为1.8V低功率运行
存储器系统。它还提供了自动刷新
省电/睡眠模式。
可用的软件包: BGA - 54B ( 8mmx9mmx1.2mm ) 。
订购信息
部件号
EM488M1644LBA-10F
组织
8M ×16
马克斯。频率
100MHz的@ CL3
FBGA -54B
GRADE
广告
Pb
免费
* EOREX保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2006年7月
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引脚分配: TFBGA 54B
1
VSS
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
UDQM
NC
A8
VSS
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
NC
CLK
A11
A7
A5
2
3
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
A9
A6
A4
A
B
C
D
E
F
G
H
J
EM488M1644LBA
7
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
/ CAS
BA0
A0
A3
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
8
VDD
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
/ WE
/ CS
A10
VDD
9
LDQM
/ RAS
BA1
A1
A2
54ball TFBGA / (8毫米
×
9mm)
2006年7月
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引脚说明(简体)
F2
G9
名字
CLK
/ CS
EM488M1644LBA
功能
(系统时钟)
主时钟输入(主动的积极的上升沿)
(片选)
选择芯片时有效
(时钟使能)
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新
命令。禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
(地址)
行地址( A0至A11 )由A0 ,在确定A11级
该行激活命令周期CLK上升沿。
CA ( CA0至CA8 )由A0在读决心A8级别或
写指令周期CLK上升沿。
这列地址变成突发存取的起始地址。
A10限定所述预充电模式。当A10 =高在
预充电命令周期,所有的银行的预充电。
但低的预充电命令周期时A10 = ,仅
被选中BA0 / BA1该银行进行预充电。
(银行地址)
选择哪家银行是活跃。
(行地址选通)
锁存行地址,在CLK的正上升沿
与/ RAS “L”。让行存取&预充电。
(列地址选通)
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
(写使能)
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
(数据输入/输出掩码)
DQM控制I / O缓冲器。
(数据输入/输出)
DQ管脚具有相同的功能,在传统的I / O引脚
DRAM 。
(电源/接地)
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
(电源/接地)
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
(无连接)
该引脚建议将留在无连接
装置。
F3
CKE
H7,H8,J8,J7,J3,
J2,H3,H2,H1,G3,
H9,G2
A0~A11
G7,G8
F8
BA0 , BA1
/ RAS
F7
/ CAS
F9
F1/E8
A8,B9,B8,C9,C8,
D9,D8,E9,E1,D2,
D1,C2,C1,B2,B1,
A2
A9,E7,J9/
A1,E3,J1
A7,B3,C7,D3/
A3,B7,C3,D7
E2,G1
/ WE
UDQM / LDQM
DQ0~DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
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绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
输入,输出电压
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
功耗
EM488M1644LBA
等级
-0.3 ~ +3.9
-0.3 ~ +3.6
广告
0 ~ +70
EXTENDED
-25 ~ +85
-55 ~ +150
1
单位
V
V
°C
°C
W
I
OS
短路电流
50
mA
注意:
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能
会造成永久性的损害。该装置不意味着以外的条件下进行操作
在本说明书中的操作部分中描述的限制。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
电容( V
CC
=1.8V
±
0.1V , F = 1MHz的,T
A
=25°C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
时钟电容
输入电容为CLK , CKE ,地址,
/ CS , / RAS , / CAS , / WE , DQML , DQMU
输入/输出电容
分钟。
典型值。
马克斯。
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件(T
A
=0°C ~+70°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
参数
电源电压
电源电压( I / O缓冲器)
输入逻辑高电压
分钟。
1.7
1.7
0.8*V
DDQ
-0.3
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
1.9
1.9
V
DDQ
+0.3
0.2*V
DDQ
单位
V
V
V
V
V
IL
输入逻辑低电压
注意:
*所有的电压被称为V
SS
.
* V
IH
(最大值) - V
DD
+ 1.2V的脉冲宽度为5ns
* V
IL
(分钟) = VSS - 1.2V的脉冲宽度为5ns
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建议的直流工作条件
(V
DD
=1.8V
±
0.1V ,T
A
=0°C ~ 70°C)
符号
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
参数
工作电流
(注1 )
EM488M1644LBA
测试条件
突发长度= 1 ,
t
RC
≥t
RC
(分) ,我
OL
=0mA,
一个活跃的银行
CKE = V
IL
(最大),叔
CK
=10ns
CKE = V
IL
(最大),叔
CK
=
CKE = V
IL
(分钟),叔
CK
=10ns,
/ CS≥V
IH
(分)
输入信号被改变
在30ns的一次
CKE = V
IL
(分钟),叔
CK
=
,
输入信号是稳定的
CKE = V
IL
(最大),叔
CK
=10ns
CKE = V
IL
(分钟),叔
CK
=10ns,
/ CS≥V
IH
(分)
输入信号被改变
在30ns的一次
t
CCD
≥2CLKs,
I
OL
=0mA
t
RC
≥t
RC
(分)
CKE≤0.2V
马克斯。
35
0.3
0.15
8
单位
mA
mA
mA
mA
预充电待机电流在
掉电模式
预充电待机电流在
非掉电模式
I
CC2NS
I
CC3P
在活动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
非掉电模式
工作电流(突发
(注2 )
模式)
刷新当前
(注3)
2.5
1.5
mA
mA
I
CC3N
15
mA
I
CC4
I
CC5
I
CC6
90
85
0.25
(注4 )
mA
mA
mA
自刷新电流
*所有电压参考V
SS
.
注1 :
I
CC1
取决于输出负载和循环率。
指定的值与输出开路获得。
输入信号为t时只能改变一次
CK
(分)
注2 :
I
CC4
取决于输出负载和循环率。
指定的值与输出开路获得。
输入信号为t时只能改变一次
CK
(分)
注3 :
输入信号为t时只能改变一次
CK
(分)
注4 :
标准功率版本。
建议的直流工作条件(续)
符号
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
参数
输入漏电流
输出漏电流
高电平输出电压
低电平输出电压
测试条件
0≤V
I
≤V
DDQ
, V
DDQ
=V
DD
所有其它引脚不被测= 0V
0≤V
O
≤V
DDQ
, D
OUT
已禁用
I
O
=-1mA
I
O
=+1mA
分钟。
-0.5
-0.5
V
DDQ
-0.2
0.2
典型值。
马克斯。
+0.5
+0.5
单位
uA
uA
V
V
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

EM488M1644LBA-10FE

128Mb (2M】4Bank】16) Synchronous DRAM
23 EOREX

EM488M1644LBA-75FE

128Mb (2M】4Bank】16) Synchronous DRAM
5 EOREX

EM488M1644LBA-75FE

512Mb (8M】4Bank】16) Synchronous DRAM
13 EOREX

EM488M1644LBA-7FE

128Mb (2M】4Bank】16) Synchronous DRAM
5 EOREX

EM488M1644LBA-7FE

512Mb (8M】4Bank】16) Synchronous DRAM
17 EOREX

EM488M1644LBA-8FE

512Mb (8M】4Bank】16) Synchronous DRAM
19 EOREX