SG-636PCE [EPSONTOYOCOM]
SG-636PTJ;型号: | SG-636PCE |
厂家: | EPSON TOYOCOM |
描述: | SG-636PTJ |
文件: | 总1页 (文件大小:155K) |
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項ꢀꢀꢀꢀꢀ目
記
号
条
件
デ
ィセーブル時電流
28mAmax.
20mAmax.
40%~60%
OE= GND
ST
= GND,2μAmax.(SCE)
Crystal oscillator
小型SOJ高 周波 水晶発振器
SG-636シリ ーズ
●C-MOS IC使 用 による低消 費電力
●小型 SMDパッケージにより、高密度 実 装
ꢀが可能
●耐 熱型 シリンダAT水晶振 動 子 内蔵で一般
ꢀSMD ICと同等 のハンダ付け方 法 が可能
●アウトプットイネーブル機能、スタンバイ
ꢀ機能付き
原
寸 大
■仕 ꢀ様(特性 )
仕 ꢀꢀ様
SG-636PTF
SG-636PH SG-636SCE/PCE
SG-636PTJ
2.21675MHz
2.21675MHz
出力周波 数範囲
fO
41.0001MHz~70.0000MHz
ꢀꢀ~41.0000MHz
ꢀꢀ~41.0000MHz
DD-GND
最大供 給 電圧
動ꢀ作 ꢀ電ꢀ圧
V
0.5V~+7.0V
ー
0.3V~+7.0V
0.5V~+7.0V
ー
ー
電 源 電 圧
VDD
TSTG
TOPR
5.0V± 0.5V
3.3V± 0.3V
保ꢀ ꢀ温ꢀ度
動ꢀ作 ꢀ温ꢀ度
55℃~+100℃
ꢀー
温 度 範 囲
20℃~+70℃
ー
。
TSOL
260C以下×10秒以内×2回
ハンダ付け条件
周波 数安 定度
C: ± 100ppm
35mAmax.
ꢀf/fO
lop
lOE
ꢀ費ꢀ電ꢀ流
17mAmax.
10mAmax.
40%~60%
9mAmax.
5mAmax.
無
負
荷
C-MOS負
荷: 1/2VDD レベル
45%~55%
ー
デ
ュ
ー
テ
ィ
tW /t
45%~55%
ー
TTL負
荷: 1.4Vレベル
“
H”
レベル出力電圧
レベル出力電圧
荷条件 (T T L)
VOH
VDD 0.4V min.
2.4V min.
VDD 0.4V min.
I
OH=
-8mA(PTF)/-400μA(PTJ)/-4mA(PH/SCE/PCE)
-
-
“
L”
VOL
IOL= 16mA(PTF)/8mA(PTJ)/4mA(PH/SCE/PCE)
0.4V max.
5TTL max.
CL≦ 15PF
ー
出力負
N
10TTL max.
5LSTTL max.
20pF max.(
≦
55MHz)
-
出力負
荷条件 (C MOS
)
CL
50pF max.
15pF max.
30pF max.
15pF max(. >55MHz)
“
H”
レベル入力電圧
レベル入力電圧
VIH
VIL
2.0V min.
0.8V max.
7ns max.
3.5V min.
1.5V max.
ー
2.0V min.
0.8VDD min.
0.2VDD max.
OE端 ,ꢀꢀST端子(SCE)
“
L”
0.8V max.
5ns max.
C-MOS負
荷: 20%→80%VDDレベル
出力上 昇時間
tTLH
5ns max.
ー
TTL負
荷: 0.4V→2.4Vレベル
7ns max.
5ns max.
C-MOS負荷: 80%→20%VDDレベル
ー
出力下降時間
tTHL
5ns max.
ー
TTL負
荷: 2.4V→0.4Vレベル
発
振開始 時間 tOSC 4ms max. 4ms max. 動作 電圧 時tを0とする
10ms max.
最低
Ta= 25℃,ꢀ初年 度
硬木上 75cm×3回または3000G
×0.3ms.×1/2Sine Wave×3方
経
ꢀ時ꢀ変ꢀ化 fa ± 5ppm/年 max.
耐ꢀ衝ꢀ撃ꢀ性
S.R.
± 20ppmmax.
向
モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合 があります。
■外形 寸法 図
■推奨ハンダ付けパターン図
(単位: mm) (単位: mm)
信 号
名
端子
番号
SG-636SCE SG-636P**
10.5max.
#
1
2
ST
GND
OUT
VDD
OE
GND
OUT
VDD
#
4
3
3
4
18.4320C
E
PTF9352A
#
1
# 2
5.8max.
0.5
(1.0)
(1.0)
3.6
5.08
1.3
3.8
1.3
33
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