SG-636PTJ [EPSONTOYOCOM]

SG-636PTJ;
SG-636PTJ
型号: SG-636PTJ
厂家: EPSON TOYOCOM    EPSON TOYOCOM
描述:

SG-636PTJ

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項ꢀꢀꢀꢀꢀ目  
                                                            
                                                                                                                                                                               
                                                                                                                                                                                  
                                                                                                                                                                                     
                                                                                                                                                                                        
ィセーブル時電流  
28mAmax.  
20mAmax.  
40%~60%  
OE= GND  
                                                                                                                                                                          
ST  
= GND,2μAmax.(SCE)  
Crystal oscillator  
小型SOJ高 周波 水振器  
SG-636シリ ーズ  
●C-MOS IC使 用 による電力  
●小型 SMDパッケージにより、高密度 実 装  
ꢀが可能  
●耐 熱型 シリンダAT水晶振 動 子 内蔵で一般  
ꢀSMD ICと同等 のハンダ付け方 法 が可能  
●アウトプットイネーブル機能、スタンバイ  
ꢀ機能付き  
寸 大  
■仕 ꢀ )  
仕 ꢀꢀ様  
SG-636PTF  
SG-636PH SG-636SCE/PCE  
SG-636PTJ  
2.21675MHz  
2.21675MHz  
出力周波 数範囲  
fO  
41.0001MHz70.0000MHz  
ꢀꢀ~41.0000MHz  
ꢀꢀ~41.0000MHz  
DD-GND  
最大供 給 電圧  
動ꢀ作 ꢀ電ꢀ圧  
V
0.5V~7.0V  
0.3V~7.0V  
0.5V~7.0V  
電 源 電 圧  
VDD  
TSTG  
TOPR  
5.0V± 0.5V  
3.3V± 0.3V  
保ꢀ 温ꢀ度  
動ꢀ作 ꢀ温ꢀ度  
55100℃  
ꢀー  
温 度 範 囲  
2070℃  
TSOL  
260C以下×10秒以内×2回  
ハンダ付け条件  
周波 数安 定度  
C: ± 100ppm  
35mAmax.  
f/fO  
lop  
lOE  
ꢀ費ꢀ電ꢀ流  
17mAmax.  
10mAmax.  
40%~60%  
9mAmax.  
5mAmax.  
C-MOS負  
荷: 1/VDD レベル  
45%55%  
tW /t  
45%55%  
TTL負  
荷: 1.4Vレベル  
H”  
レベル出力電圧  
レベル出力電圧  
荷条件 (T T L)  
VOH  
VDD 0.4V min.  
2.4V min.  
VDD 0.4V min.  
I
OH=  
mAPTF/400μAPTJ/mAPH/SCE/PCE)  
L”  
VOL  
IOL16mAPTF/mAPTJ/mAPH/SCE/PCE)  
0.4V max.  
5TTL max.  
CL15PF  
出力負  
N
10TTL max.  
5LSTTL max.  
20pF max.(  
55MHz)  
-
出力負  
荷条件 (C MOS  
CL  
50pF max.  
15pF max.  
30pF max.  
15pF max. >55MHz)  
H”  
レベル入力電圧  
レベル入力電圧  
VIH  
VIL  
2.0V min.  
0.8V max.  
7ns max.  
3.5V min.  
1.5V max.  
2.0V min.  
0.8VDD min.  
0.2VDD max.  
OE端 ,ꢀꢀST端(SCE)  
L”  
0.8V max.  
5ns max.  
C-MOS負  
荷: 2080VDDレベル  
出力上 間  
tTLH  
5ns max.  
TTL負  
荷: 0.4V→2.4Vレベル  
7ns max.  
5ns max.  
C-MOS荷: 80%→20%VDDレベル  
出力下降時間  
tTHL  
5ns max.  
TTL負  
荷: 2.4V→0.4Vレベル  
振開始 時間 tOSC 4ms max. 4ms max. 動作 電圧 時tを0とする  
10ms max.  
最低  
Ta= 25℃,ꢀ初年 度  
硬木上 75cm×回または3000G  
×0.3ms.×/Sine Wave×方  
ꢀ時ꢀ変ꢀ化 fa ± 5ppm/max.  
耐ꢀ衝ꢀ撃ꢀ性  
S.R.  
± 20ppmmax.  
ールド部より内蔵の属ケースの一部がえる場合 があります。  
■外形 寸法 図  
■推奨ハンダ付けパターン図  
位: mm) 位: mm)  
信 号  
端子  
番号  
SG-636SCE SG-636P*  
10.5max.  
ST  
GND  
OUT  
VDD  
OE  
GND  
OUT  
VDD  
4
3
18.4320C  
E
PTF9352A  
1
# 2  
5.8max.  
0.5  
1.0)  
1.0)  
3.6  
5.08  
1.3  
3.8  
1.3  
33  

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