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M12L128168A2L 绝对最大额定值 (ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS)
.型号:   M12L128168A2L
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描述: 绝对最大额定值
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
文件大小 :   688 K    
页数 : 45 页
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品牌   ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
购买 :   
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100%
ESMT
简化的真值表
命令
注册
刷新
模式寄存器设置
自动刷新
条目
刷新
出口
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
无操作指令
L
H
H
X
H
L
H
CKEn-1
H
H
L
H
H
CKEN
X
H
L
H
X
X
CS RAS CAS
L
L
L
H
L
L
L
L
H
X
L
H
L
L
H
X
H
L
WE
M12L128168A ( 2L )
A11,
BA0
A10/AP
A9~A0
BA1
操作码
X
X
V
V
行地址
COLUMN
L
地址
H
(A0~A8)
COLUMN
L
地址
H
(A0~A8)
X
L
H
X
DQM
X
X
X
X
X
X
1,2
3
3
3
3
4
4,5
4
4,5
6
L
H
H
X
H
H
H
H
H
X
X
X
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
H
L
X
H
X
X
H
X
H
X
X
H
L
H
H
X
H
X
X
H
X
H
X
H
L
L
L
X
H
X
X
H
X
H
X
H
X
X
X
V
突发停止
预充电
V
X
时钟暂停或
主动掉电模式
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
7
(V =有效,X =无关。 H =逻辑高电平, L =逻辑低)
注意:
1.OP代码:操作码
A0 〜 A11 & BA0 〜 BA1 :程序键。 ( @太太)
2.MRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
没有命令行预充电的预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在所有银行闲置状态,发出自动/自刷新。
4.BA0 〜 BA1 :银行选择地址。
如果BA0和BA1都在读“低” ,写,行积极和预充电,银行A被选中。
如果BA0为“低”和BA1是“高” ,在读,写,行积极和预充电,选择B银行。
如果BA0为“高”和BA1是“低” ,在读,写,行积极和预充电, C银行被选中。
如果BA0和BA1是“高” ,在读,写,行积极和预充电,银行选择D
如果A10 / AP是“高”的行预充电, BA0和BA1被忽略,所有的银行都被选中。
5.During突发读取或者自动预充电,无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
脉冲串的结束之后。
6.Burst停止命令是在每一个突发长度有效。
7.DQM取样的一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿(写入DQM延迟是0 ),但
使得Hi-Z状态数据输出2 CLK周期后(读DQM延迟2 )
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2012年6月
修订: 1.3
7/45
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