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AAC-AZ132-D/Q

 Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT
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MSYSTEM

AAC-A1A2121-C

 Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT
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MSYSTEM

F8UEETB01AMAUB

 Pushbutton Switches
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CK-COMPONENTS

NANO916-SB0AN

 ARM® Cortex®-M 32-bit Microcontroller
微控制器
NUVOTON

NANO934-LB0AN

 ARM® Cortex®-M 32-bit Microcontroller
微控制器
NUVOTON

M5TS-N3-R/Q

 Super-mini Terminal Block Signal Conditioners M5-UNIT
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MSYSTEM

HVS-A5W-R

 Space-saving Plug-in Signal Conditioners H-UNIT
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MSYSTEM

AAC-AB121-V/Q

 Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT
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MSYSTEM

BC857AM

 PNP general purpose transistorsProduction
开关 晶体管
NEXPERIA

ERJUP6D57R6V

 耐硫化贴片电阻器(耐电涌型）
电阻器
PANASONIC

GRM1551X1E3R7CA01#

 民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗 医疗器械
MURATA

NRS6045T680MMGK_19

 SMD Power Inductors (NR series S type)
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TAIYO YUDEN

ERJC1CJR047U

 耐硫化大功率贴片电阻器（长边电极型）
电阻器
PANASONIC

HH03N100A251CT

 High Q and low ESR performance at high frequency
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WALSIN

47LAC-1D1YR-M2

 Digital Panel Meters 47 Series
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MSYSTEM

BC868

 20 V, 2 A NPN medium power transistorProduction
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NEXPERIA

NGTI25N170STT4G

 Reading ON Semiconductor IGBT Datasheets
双极性晶体管
ONSEMI

IMBG65R083M1H

 CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R083M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。
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INFINEON

ERJC1BFR75U

 耐硫化大功率贴片电阻器（长边电极型）
电阻器
PANASONIC

ERJUP8F1372V

 耐硫化贴片电阻器(耐电涌型）
电阻器
PANASONIC

ERJUP6D2400V

 耐硫化贴片电阻器(耐电涌型）
电阻器
PANASONIC

AAC-AA134-R/Q

 Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT
暂无信息
MSYSTEM

HGBJ25-08

 Glass Passivated 3 Phase Bridge Rectifiers
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HY

ERJUP3D1691V

 耐硫化贴片电阻器(耐电涌型）
电阻器
PANASONIC

HH03N1R0F250CT

 High Q and low ESR performance at high frequency
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WALSIN

47LAC-14W1G-P

 Digital Panel Meters 47 Series
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MSYSTEM

ERJUP3F3321V

 耐硫化贴片电阻器(耐电涌型）
电阻器
PANASONIC

ERJUP6D1302V

 耐硫化贴片电阻器(耐电涌型）
电阻器
PANASONIC

AAC-AC111-H

 Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT
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MSYSTEM

ERJUP3F68R1V

 耐硫化贴片电阻器(耐电涌型）
电阻器
PANASONIC
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