首页 |元器件品牌

2SC4875 [ETC]

;
2SC4875
型号： 2SC4875
厂家： ETC    ETC
描述：

文件： 总6页 (文件大小：40K)
中文：  中文翻译
下载：  下载PDF数据表文档文件
 查看货源
2SC4875  
Silicon NPN Bipolar Transistor  
Application  
TO-92  
VHF & UHF wide band amplifire  
Features  
• High gain bandwidth product  
f = 8.5 GHz typ  
T
• High gain, low noise figure  
PG = 11.5 dB typ,  
1. Base  
NF = 1.3 dB typ at f = 900 MHz  
2. Emitter  
3. Collector  
3
2
1
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Collector to base voltage  
V
15  
V
CBO  
———————————————————————————————————————————  
Collector to emitter voltage  
V
9
V
CEO  
———————————————————————————————————————————  
Emitter to base voltage  
V
1.5  
V
EBO  
———————————————————————————————————————————  
Collector current  
I
50  
mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Collector power dissipation  
P
450  
mW  
C
———————————————————————————————————————————  
Junction temperature  
T
150  
°C  
j
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
2SC4875  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test conditions  
———————————————————————————————————————————  
Collector to base  
V
15  
—
—
V
I = 10 µA, I = 0  
(BR)CBO  
C E  
breakdown voltage  
———————————————————————————————————————————  
Collector cutoff current  
I
—
—
10  
µA  
V
= 12 V,  
CBO  
CB  
I = 0  
E
———————————————————————————————  
I
—
—
1
mA  
V
= 9 V,  
CEO  
CE  
R
= ∞  
BE  
———————————————————————————————————————————  
Emitter cutoff current  
I
—
—
10  
µA  
V
= 1.5 V,  
EBO  
EB  
I
= 0  
C
———————————————————————————————————————————  
DC current transfer ratio  
h
50  
120  
250  
V
= 5 V,  
FE  
CE  
I
= 20 mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Output capacitance  
Cob  
—
1.2  
1.7  
pF  
V
= 5 V,  
CB  
I = 0, f = 1 MHz  
E
———————————————————————————————————————————  
Gain bandwidth  
f
5.5  
8.5  
—
GHz  
V
= 5 V,  
T
CE  
product  
I
= 20 mA  
C
———————————————————————————————————————————  
Power gain  
PG  
8.5  
11.5  
—
dB  
V
= 5 V,  
CE  
I
= 20 mA,  
C
f = 900 MHz  
———————————————————————————————————————————  
Noise figure  
NF  
—
1.3  
2.5  
dB  
V
= 5 V,  
CE  
I
= 5 mA,  
C
f = 900 MHz  
———————————————————————————————————————————  
2SC4875  
DC current transfer ratio  
vs. collector current  
Maximum collector power dissipation curve  
800  
200  
160  
120  
80  
V
= 5V  
CE  
600  
400  
200  
40  
0
150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
0.1 0.2 0.5  
1
2
5
10 20 50  
0
50  
100  
200  
Collector Current I (mA)  
C
Collector output capacitance  
vs. collector to base voltage  
Gain bandwidth product vs. collector current  
12  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
I
= 0  
E
V
= 5 V  
CE  
f = 1 MHz  
10  
8
6
4
1.0  
0.8  
2
0
1
2
5
10  
20  
50  
0.5  
1
2
5
10  
20  
Collector to Base Voltage V  
(V)  
Collector Current I (mA)  
CB  
C
2SC4875  
Power gain vs. collector current  
Noise figure vs. collector current  
20  
16  
12  
8
5
4
3
2
V
= 5V  
V
= 5V  
CE  
CE  
f = 900MHz  
f = 900 MHz  
4
0
1
0
1
2
5
10  
20  
50  
1
2
5
10  
20  
50  
Collector Current I (mA)  
Collector Current I (mA)  
C
C
S21 parameter vs. collector current  
20  
16  
12  
8
V
= 5V  
CE  
f = 1 GHz  
4
0
1
2
5
10  
20  
(mA)  
50  
Collector Current  
I
C
2SC4875  
S11 parameter vs. frequency  
S21 parameter vs. frequency  
Scale: 4 / div.  
1
.8  
90°  
1.5  
.6  
120°  
60°  
2
.4  
3
4
5
150°  
30°  
.2  
10  
.2  
.4 .6  
1
1.52  
10  
3
5
4
0
0°  
180°  
–10  
–5  
–4  
–3  
–.2  
–30°  
–150°  
–.4  
–2  
–.6  
–1.5  
–60°  
–120°  
–.8  
–1  
–90°  
Ω
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
Ω
CE  
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
200 to 2000 MHz (200 MHz step)  
(I = 5 mA)  
200 to 2000 MHz (200 MHz step)  
(I = 5 mA)  
C
C
(I = 20 mA)  
C
(I = 20 mA)  
C
S12 parameter vs. frequency  
S22 parameter vs. frequency  
Scale: 0.1 / div.  
1
.8  
90°  
1.5  
.6  
120°  
60°  
2
.4  
3
150°  
30°  
4
.2  
5
10  
.4  
.8  
1.5  
10  
.2  
.6  
1
2
3
4
5
0
0°  
180°  
–10  
–5  
–.2  
–4  
–3  
–30°  
–150°  
–.4  
–2  
–120°  
–60°  
–.6  
–1.5  
–.8  
–1  
–90°  
Ω
Ω
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
Condition: V = 5 V , Zo = 50  
CE  
200 to 2000 MHz (200 MHz step)  
(I = 5 mA)  
200 to 2000 MHz (200 MHz step)  
(I = 5 mA)  
C
C
(I = 10 mA)  
C
(I = 20 mA)  
C
2SC4875  
Table 3 S Parameter (V = 5 V, I = 5 mA, Z = 50 Ω, Emitter common)  
CE  
C
O
S11  
S21  
S12  
S22  
———————  
———————  
———————  
———————  
f (MHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
———————————————————————————————————————————  
200  
0.594  
–74.3  
10.08  
126.4  
0.0692  
57.8  
0.697  
–42.8  
———————————————————————————————————————————  
400  
0.397  
–120.6  
6.39  
101.7  
0.0970  
51.2  
0.462  
–58.2  
———————————————————————————————————————————  
600  
0.347  
–156.9  
4.57  
86.7  
0.119  
50.2  
0.348  
–69.9  
———————————————————————————————————————————  
800  
0.351  
179.2  
3.56  
75.5  
0.141  
50.3  
0.310  
–80.8  
———————————————————————————————————————————  
1000  
0.358  
159.6  
2.92  
66.0  
0.165  
50.1  
0.291  
–89.8  
———————————————————————————————————————————  
1200  
0.400  
146.2  
2.47  
57.7  
0.188  
48.8  
0.289  
–101.7  
———————————————————————————————————————————  
1400  
0.405  
139.4  
2.15  
49.1  
0.211  
46.9  
0.323  
–110.5  
———————————————————————————————————————————  
1600  
0.377  
129.4  
1.92  
41.7  
0.236  
45.1  
0.342  
–112.2  
———————————————————————————————————————————  
1800  
0.380  
115.1  
1.75  
35.5  
0.262  
43.5  
0.326  
–115.8  
———————————————————————————————————————————  
2000  
0.380  
104.6  
1.58  
29.0  
0.285  
40.9  
0.324  
–123.2  
———————————————————————————————————————————  
Table 4 S Parameter (V = 5 V, I = 20 mA, Z = 50 Ω, Emitter common)  
CE  
C
O
S11  
S21  
S12  
S22  
———————  
———————  
———————  
———————  
f (MHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
———————————————————————————————————————————  
200  
0.282  
–121.9  
14.86  
106.5  
0.0471  
65.9  
0.404  
–59.9  
———————————————————————————————————————————  
400  
0.239  
–169.9  
8.09  
89.6  
0.0793  
67.5  
0.238  
–68.4  
———————————————————————————————————————————  
600  
0.274  
164.3  
5.52  
79.4  
0.112  
66.7  
0.180  
–82.8  
———————————————————————————————————————————  
800  
0.302  
150.3  
4.21  
71.0  
0.145  
64.1  
0.178  
–97.4  
———————————————————————————————————————————  
1000  
0.317  
138.5  
3.42  
63.6  
0.178  
60.9  
0.179  
–108.3  
———————————————————————————————————————————  
1200  
0.362  
129.9  
2.88  
56.7  
0.208  
57.3  
0.198  
–123.1  
———————————————————————————————————————————  
1400  
0.367  
127.2  
2.49  
49.6  
0.234  
53.2  
0.245  
–129.9  
———————————————————————————————————————————  
1600  
0.331  
118.9  
2.21  
43.1  
0.265  
49.4  
0.261  
–129.2  
———————————————————————————————————————————  
1800  
0.336  
106.6  
2.00  
37.5  
0.294  
45.9  
0.245  
–133.3  
———————————————————————————————————————————  
2000  
0.340  
97.0  
1.82  
31.7  
0.320  
41.9  
0.244  
–141.3  
———————————————————————————————————————————  

相关型号：

2SC4875RF

 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
RENESAS

2SC4875RR

 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
RENESAS

2SC4875TZ

 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
RENESAS

2SC4876

 Switching Power Transistor(30A NPN)
SHINDENGEN

2SC4877

 TV/character display horizontal deflection output
HITACHI

2SC4878

 Silicon NPN Power Transistors
SAVANTIC

2SC4878

 Silicon NPN Power Transistors
ISC

2SC4879

 Power Bipolar Transistors
ETC

2SC4880

 Silicon NPN Triple Diffused
HITACHI

2SC4880

 Silicon NPN Power Transistors
ISC

2SC4880

 Silicon NPN Power Transistors
SAVANTIC

2SC4881

 NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS)
TOSHIBA
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明