VJ13PA0950KVJ32
Transient Voltage Suppression, ESD Protection Devices & EMI Devices
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KYOCERA AVX
STM32WL54UCI6XXX
Multiprotocol LPWAN dual core 32-bit Arm® Cortex®-M4/M0 LoRa®, (G)FSK, (G)MSK, BPSK, up to 256KB Flash, 64KB SRAM
LPWA 静态存储器
STMICROELECTR
TMS320F28375DZWTT
具有 800MIPS、2xCPU、2xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000™ 32 位 MCU | ZWT | 337 | -40 to 105
时钟 外围集成电路 闪存
TI
BSC034N10LS5
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷，可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5（BSC034N10LS5）功率 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。它可用于 充电器、 适配器 和 电信等应用
开关 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极
INFINEON
MTC-6019-PDR300U
Projected Capacitive Multi-touch Screen with 7H anti-scratch surface, up to 10-point Multi-touch
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VECOW
