75GD170DL [ETC]

IGBT Module ; IGBT模块\n


型号：	75GD170DL
厂家：	ETC
描述：	IGBT Module IGBT模块\n 双极性晶体管
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European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

Marketing Information

BSM 75 GD 170 DL

118.11

94.5

119

121.5

99.9

4 x 19.05 = 76.2

3.81

19.05

10 11 12

3.81

1.15x1.0

15.24

5 x 15.24 =76.2

110

connections to be made externally

01.07.1998

BSM 75 GD 170 DL

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

V_CES

I_C,nom.

I_C

I_CRM

P_tot

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Kollektor-Dauergleichstrom

collector-emitter voltage

1700 V

T_C= 80°C

T_C= 25°C

t_p= 1 ms, T_C= 80°C

T_C= 25°C, Transistor

DC-collector current

75 A

150 A

625 W

± 20 V

75 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

Gesamt-Verlustleistung

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Dauergleichstrom

repetitive peak collector current

total power dissipation

gate-emitter peak voltage

DC forward current

V_GES

I_F

I_FRM

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I²t - value, Diode

insulation test voltage

150 A

t_p= 1 ms

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

I²t

A²s

Grenzlastintegral der Diode

Isolations-Prüfspannung

1800

3,4 kV

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

min.

typ.

2,7

max.

3,3 V

v_{CE sat}

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 75A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

I_C= 75A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

I_C= 3,5mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_C= 75A, V_CE= 900V

4,5

3,2

5,5

- V

6,5 V

- nF

0,15 mA

v_GE(th)

C_ies

I_CES

Gate-Schwellenspannung

Eingangskapazität

Kollektor-Emitter Reststrom

gate threshold voltage

input capacitance

collector-emitter cut-off current

0,03

- mA

100 nA

I_GES

t_d,on

Gate-Emitter Reststrom

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn-on delay time (inductive load)

gate-emitter leakage current

V_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CE= 900V

0,1

- µs

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 25°C

0,1

- µs

V_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CE= 900V

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 25°C

0,8

0,9

- µs

_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CE= 900V

_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 25°C

t_f

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

0,03

- µs

V_GE= ±15V, R_G= 20W, T_vj= 125°C

I_C= 75A, V_CE= 900V, V_GE= 15V

R_G= 20W, T_vj= 125°C, L_S= 60nH

I_C= 75A, V_CE= 900V, V_GE= 15V

R_G= 20W, T_vj= 125°C, L_S= 60nH

Einschaltverlustenergie pro Puls

Abschaltverlustenergie pro Puls

E_on

E_off

I_SC

turn-on energy loss per pulse

turn-off energy loss per pulse

SC Data

- mWs

- A

Kurzschlußverhalten

Modulinduktivität

t_P£ 10µsec, V_GE£ 15V, R_G= 20W

_Vj£125°C, V_CC=1000V

300

V_CEmax=V_CES-L_sCEx dI/dt

L_sCE

stray inductance module

- nH

Charakteristische Werte / Characteristic values: Diode

V_F

Durchlaßspannung

forward voltage

2,2

2,6 V

I_F= 75A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

I_F= 75A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 75A, - di_F/dt = 1100A/µsec

V_R= 900V, V_GE= -10V, T_vj= 25°C

V_R= 900V, V_GE= -10V, T_vj= 125°C

I_F= 75A, - di_F/dt = 1100A/µsec

V_R= 900V, V_GE= -10V, T_vj= 25°C

- V

I_RM

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

- A

Q_r

Sperrverzögerungsladung

Abschaltenergie pro Puls

recovered charge

- µAs

V_R= 900V, V_GE= -10V, T_vj= 125°C

I_F= 75A, - di_F/dt = 1100A/µsec

V_R= 900V, V_GE= -10V, T_vj= 25°C

V_R= 900V, V_GE= -10V, T_vj= 125°C

E_rec

reverse recovery energy

3,5

6,5

- mWs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Transistor / transistor, DC

R_thJC

R_thCK

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

0,2 K/W

Diode / diode, DC

pro Module / per Module

0,47 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

d_Paste£ 50µm / d_grease£ 50µm

0,011 K/W

150 °C

125 °C

T_vj

T_op

T_stg

Höchstzul. Sperrschichttemperatur

Betriebstemperatur

Lagertemperatur

max. junction temperature

operating temperature

storage temperature

-40

125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Al₂O₃

16 mm

11 mm

225

5 Nm

300 g

Innere Isolation

internal insulation

creepage distance

clearance

Kriechstrecke

Luftstrecke

CTI

comperative tracking index

mounting torque

weight

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

Gewicht

max.

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

BSM 75 GD 170 DL

150

125

100

150

125

100

VGE = 19V

VGE = 15V

VGE = 13V

VGE = 11V

VGE = 9V

I_C

[A]

I_C

[A]

Tj = 25°C

Tj = 125°C

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

BSM 75 GD 170 DL / 1

V_CE[V]

BSM 75 GD 170 DL / 2

Bild / Fig. 1

Bild / Fig. 2

Ausgangskennlinie (typisch) /

Output characteristic (typical)

Ausgangskennlinienfeld (typisch) /

Output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE

)

I_C= f(V_CE

)

V_GE= 15V

T_vj= 125°C

150

125

100

150

125

100

Tj = 25°C

Tj = 125°C

Tj = 25°C

I_C

[A]

I_F

[A]

Tj = 125°C

V_GE[V]

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

V_F[V]

3,0

BSM 75 GD 170 DL / 4

BSM 75 GD 170 DL / 3

Bild / Fig. 4

Bild / Fig. 3

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /

Forward characteristic of inverse diode (typical)

I_F= f(V_F)

Übertragungscharakteristic (typisch) /

Transfer characteristic (typical)

I_C= f(V_GE

)

V_CE= 20V

140

120

Eoff

Eon

Erec

Eoff

Eon

Erec

[mJ]

100

[mJ]

100 110

100

125

150

BSM 75 GD 170 DL / 5

I_C[A]

R_G[W]

BSM 75 GD 170 DL / 6

Bild / Fig. 5

Bild / Fig. 6

Schaltverluste (typisch) /

Switching losses (typical)

Schaltverluste (typisch) /

Switching losses (typical)

E_on= f(I_C), E_off= f(I_C), E_rec= f(I_C)

R_gon= R_goff= 20W, V_CE= 900V, T_j= 125°C

E_on= f(R_G), E_off= f(R_G), E_rec= f(R_G)

I_C= 75A, V_CE= 900V, T_j= 125°C

BSM 75 GD 170 DL

150

125

100

IC,Modul

IC,Chip

I_C

[A]

200

400

600

800

1000 1200 1400 1600 1800

V_CE[V]

BSM 75 GD 170 DL / 7

Bild / Fig. 7

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) /

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

R_g= 20W, T_vj= 125°C

75GD170DL [ETC]

相关型号：

75GF026AC11

75GK026AC11

75GZ026DC13

75H-101

75H-102

75H-103

75H-104

75H-201

75H-202

75H-203

75H-204

75H-501