BH6020FV [ETC]
コミュニケーションLSI ; コンパンダシステムLSIである。
| 型号： | BH6020FV |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | コミュニケーションLSI
|
| 文件： | 总10页 (文件大小：113K) |
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BH6020FV
コミュニケーションIC
携帯電話用システム電源
BH6020FV
BH6020FV は携帯電話に必要な、CMOS タイプ・バイポーラタイプの 2 種類のレギュレータ、遅延時間をコントロー
ルできるディテクタ、バイブレータ用レギュレータ、音量切り換え可能な3ch のN-MOS で構成されています。
バイブレータ用ドライバは、外部に抵抗を付けることで出力電圧を可変できます。
!用途
PDC、PHS、携帯機器
!特長
1) CMOS タイプのレギュレータを2ch、バイポーラタイプを1ch 内蔵。
2) 遅延時間を外付けコンデンサで可変できるディテクタ回路2ch 内蔵。
3) バイブレータ用ドライバ内蔵。
4) リンガー用としてN-MOS トランジスタを3ch 内蔵し、音量切り換えが可能。
5) 150°C で動作するサーマルシャットダウン回路内蔵。
6) SSOP-B24 パッケージ。
!絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
電源電圧
Symbol
Limits
Unit
V
-0.3～+7.0
BAT
V
許容損失
Pd
630*
mW
°C
動作温度範囲
保存温度範囲
Topr
Tstg
-25 +75
-55 -125
°C
* Ta=25°C以上で使用する場合は,1°C につき6.3mW を減じる。
!推奨動作条件 (Ta=25°C)
Parameter
電源電圧
Symbol
Min.
3.2*
Typ.
-
Max.
5.5
Unit
BAT
V
V
* ディテクタ部は、1.5 5.5V。
BH6020FV
コミュニケーションIC
!ブロックダイアグラム
COLLECT
VIB OUT
NF
1
2
1V
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
OUT1
VIB
REG1
＋
－
VBAT
30k
V
BAT
REG2
3
OUT2
100k
IN
DELAY1
4
REG2 ON
VIB ON
GND
(VBAT
)
2.5M
DET1
DET OUT1
DET OUT2
DET IN2
DELAY2
5
Vref
400k
GND
6
DET2
7
BASE
REG3
REG2
VIB
8
OUT3
OUT1
2M
TSD
POW GND
POW GND
TR1 OUT
TR2 OUT
TR3 OUT
9
REG3 ON
TR1 ON
TR2 ON
TR3 ON
10
11
12
400k
400k
400k
BH6020FV
コミュニケーションIC
!電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25°C, VBAT=3.6V, BPF=20 20kHz)
Parameter
[回路電流]
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
REG1 のみON
回路電流1
回路電流2
回路電流3
回路電流4
Q
I 1
-
-
-
-
20
35
40
6.5
40
80
80
12
REG2 3, VIB=OFF
REG は無負荷
µA
µA
µA
mA
REG1, REG2=ON
REG3, VIB=OFF
REG は無負荷
Q
I 2
REG1, REG3=ON
REG2, VIB=OFF
REG は無負荷
Q
I 3
REG1, VIB=ON
REG2, REG3=OFF
REG は無負荷
Q
I 4
[レギュレータ部] (内蔵MOS タイプ)
<REG1> (内蔵MOS, 常時ON)
出力電圧
OUT
V
1
2.94
3.0
-
3.06
-
V
mA
V
Io=30mA
最大出力電流
OMAX
I
1
100
OUT
Vo1≤V -0.1V
入出力電圧差A
入出力電圧差B
負荷安定度
DIF1A
BAT
V
-
-
0.05
0.15
5
-
V
=2.8V, Io=20mA
DIF1B
V
BAT
0.3
40
20
-
V
V
=2.8V, Io=60mA
-
mV
mV
dB
∆VO1L
∆VO1I
RR1
Io=1 80Ma
入力安定度
-
0
VBAT=3.3 5.5V, Io=30mA
リップルリジェクション
BAT
45
57
V
=3.6V, Io=30mA
RR
RR
Z
V =-20dBV, f =1kH
出力電圧温度係数
出力電流制限値
-
-
-
Io=30mA
∆VO/∆T
ppm/°C
±100
LMT
I
1
-
450
mA
Ta=-25 +75°C
<REG2> (内蔵MOS, コントロール端子付)
出力電圧
OUT
V
2
2.94
3.0
-
3.06
-
V
mA
V
Io=30mA
最大出力電流
OMAX
I
2
100
OUT
Vo2≤V 2 -0.1V
入出力電圧差A
入出力電圧差B
負荷安定度
DIF2A
V
BAT
-
-
0.05
0.15
5
-
V
=2.8V, Io=20mA
DIF2B
V
BAT
0.3
40
20
-
V
V
=2.8V, Io=60mA
-
mV
mV
dB
∆VO2L
∆VO2I
RR2
Io=1 80mA
入力安定度
-
0
VBAT=3.3 5.5V, Io=30mA
リップルリジェクション
BAT
45
57
V
=3.6V, Io=30mA
RR
RR
Z
V =-20dBV, f =1kH
出力電圧温度係数
-
-
Io=30mA
∆VO/∆T
ppm/°C
MΩ
±100
コントロール端子
CONT
R
2
1.5
2.5
4
プルダウン抵抗
コントロール端子 動作
C2H
V
2.0
-0.3
-
-
-
-
-
V
V
制御電圧
非動作
C2L
V
0.3
450
出力電流制限値
LMT
I
2
mA
Ta=-25 +75°C
* 耐放射線設計はしておりません。
BH6020FV
コミュニケーションIC
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
[レギュレータ部] (PNP 外付けタイプ)
<REG3> (PNP 外付け､コントロール端子付)
出力電圧
OUT
V
3
2.925
3.0
-
3.075
-
V
Io=100mA
最大出力電流
入出力電圧差
負荷安定度
OMAX
I
3
250
mA
V
OUT
Vo3≤V 3-0.1V
DIF
BAT
V
3
-
-
0.1
10
2
0.2
100
20
-
V
=2.8V, Io=100mA
mV
mV
dB
∆VO3L
∆VO3I
RR3
Io=1 200mA
入力安定度
-
VBAT=3.3 5.5V, Io=100mA
リップルリジェクション
BAT
45
57
V
=3.6V, Io=100mA
RR
RR
Z
V =20dBV, f =1kH
出力電圧温度係数
コントロール端子
プルアップ抵抗
-
-
Io=100mA
∆VO/∆T
±100
ppm/°C
MΩ
CONT
R
3
1
2
4
コントロール端子 動作
C3H
V
-
-
-
0.25
V
V
制御電圧
非動作
OUT1 端子(24pin)基準
検出電圧: “H”→“L”
C3L
V
OUT1
-0.3
OUT1
+0.3
[ディテクタ部]
BAT 検出
<DET1> (V )
検出電圧
DET
V
1
3.136
64
3.2
128
1.2
1.2
1
3.264
192
2.4
1.3
-
V
検出解除ヒステリシス幅
時定数端子流出電流
時定数端子スレッショルド電圧
遅延時間
HIS
V
1
mV
T
I 1
0.6
1.1
-
µA
V
T
V 1
“L”→“H”検知後の遅延
T
D 1
∆VD/∆T
DET
ms
CDELAY=1000pF
検出電圧温度係数
-
-
±100
ppm/°C
<DET2>
検出電圧
検出電圧: “H”→“L”
V
2
2
2.646
54
-
2.70
108
0.8
1.2
1.2
20
2.754
163
2.0
2.4
1.3
-
V
mV
µA
µA
V
検出解除ヒステリシス幅
検出端子流入電流
HIS
V
IN
I 2
IN
V =3V
時定数端子流出電流
時定数端子スレッショルド電圧
遅延時間
T
I 2
0.6
1.1
-
T
V 2
“L”→“H”検知後の遅延
CDELAY=0.02µF
T
D 2
ms
検出電圧温度係数
-
-
∆VD/∆T
±100
ppm/°C
* 耐放射線設計はしておりません。
BH6020FV
コミュニケーションIC
Parameter
[バイブレータドライバ部]
出力電圧
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
OUT
V
4
1.20
250
-
1.30
-
1.40
-
V
Io=100mA
最大出力電流
OMAX
I
4
mA
mV
mV
kΩ
OUT
Vo4≤V 4-0.2V
負荷安定度
25
5
150
60
∆VO4L
∆VO4I
CONT
Io=10 200mA
入力安定度
-
VBAT=3.3 5.5V, Io=100mA
コントロール端子
プルダウン抵抗
コントロール端子 動作
R
4
250
400
700
C4H
V
2.0
-
-
-
V
V
制御電圧
非動作
C4L
V
-0.3
0.3
[MOS トランジスタ部]
ON/OFF 端子
ON
ON
V
2.5
-
-
-
V
V
OFF
OFF
V
-0.3
0.2
制御電圧
コントロール端子
プルダウン抵抗
CONT
R
250
400
700
kΩ
駆動時出力電圧
ON
Vsat1
-
0.1
0
0.3
5
V
Io=50mA, V =3.0V
TR1
TR2
TR3
OFF 時リーク電流
最大出力電流
LEAK
OUT
I
1
-
V
=3.6V
µA
mA
V
OMAX
I
1
150
-
-
ON
Vsat≤0.5V, V =3.0V
駆動時出力電圧
OFF 時リーク電流
最大出力電流
ON
Vsat2
-
0.1
0
0.3
5
Io=50mA, V =3.0V
LEAK
OUT
I
2
-
150
-
V
=3.6V
µA
mA
V
OMAX
I
2
-
-
ON
Vsat≤0.5V, V =3.0V
駆動時出力電圧
OFF 時リーク電流
最大出力電流
ON
Vsat3
0.1
0
0.3
5
Io=50mA,V =3.0V
LEAK
OUT
I
3
-
V
=3.6V
µA
OMAX
I
3
150
-
-
mA
ON
Vsat≤0.5V, V =3.0V
* 耐放射線設計はしておりません。
BH6020FV
コミュニケーションIC
!測定回路図
4.7μ
1Ω
1V
1
2
24
23
VIB
＋
－
REG1
Is24
100k
V
BAT
4.7μ
22
REG2
Is22
3
4
1Ω
30k
3M
IN
(VBAT
21
20
19
18
)
300k
DET1
470k
5
Vref
6
GND
470k
100k
200
3M
DET2
7
REG3
4.7μ
17
Is17
1Ω
8
REG2
VIB
300k
OUT1
2MΩ
TSD
2M
POW GND
9
16
15
14
13
1M
Is10
1M
10
11
12
Is11
Is12
1M
Fig.1
BH6020FV
コミュニケーションIC
!応用例
10Ω
OUT1
1V
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
1
COLLECT
VIB
4.7μ
1Ω
REG1
＋
－
VIB OUT
VBAT
2
モータ
NF
30k
V
BAT
REG2
OUT2
3
4
4.7μ
1Ω
RB521S-30
100k
IN
（VBAT
DELAY1
1000pF
REG2 ON
）
2.5M
400k
DET1
DET OUT1
DET OUT2
DET IN2
5
VIB ON
GND
V
ref
6
GND
DET2
100k
7
BASE
OUT3
REG3
DELAY2
REG2
VIB
8
V
BAT
4.7μ
1Ω
0.02μF
OUT1
2M
TSD
POW GND
TR1 OUT
TR2 OUT
TR3 OUT
POW GND
9
REG3 ON
TR1 ON
TR2 ON
TR3 ON
10
11
12
ON / OFF
400k
400k
400k
Fig.2
BH6020FV
コミュニケーションIC
!外付け部品の説明
(1) バイブレータ用レギュレータ出力電圧変更
1) VIB OUT 現状設定について
約1V
＋
出力電圧（VIBOUT）は、
＋R
R
1
2
VIBOUT
V
O
＝
×基準電圧（1V）
－
2
R
2
30k＋100k
100k
R
R
1
＝30k
＝
× 1
3
＝1.3V
NF
2＝100k
2) 出力電圧変換について
約1V
出力電圧（VIBOUT）は、
＋
－
（RA//R1）＋（R
B//R2）
外付け抵抗
2
V
O＝
× 1V
（R
B//R2）
R
A
R
1
2
＝30k
R
R
A
＜＜R
＜＜R
1
2
3
のとき
ここで
B
NF
RB
R
＝100k
RA＋RB
VO≒
× 1Vꢀとなります。
RB
〈数値例、RA＝5kΩ、RB＝4.3kΩ〉
（5k//30k）＋（4.3k//100k）
（4.3k//100k）
V
O＝
× 1
≒2.04V
3) 出力電圧範囲について
内部回路
内部回路構成上Max.値は
Vsat
VBAT1
VOUT（Max）＝VBAT1－Vsat－VF
COLLECT
（0.2V）（0.7V）
1
＝VBAT1－0.9V
VIBOUT
VF
2
ただし、これは回路設計上のMax.値で
バラツキ、温度特性を含めると
30kΩ
（R1）
NF
3
VOUT（Max.）＝VBAT1－1.5V
100kΩ
（R
2
）
位が適当な値です。
4) 出力電圧変更時の注意点
出力電圧設定は内部のR1、R2 から決定されています。
変更される場合、R1、R2 のどちらかにパラレルに接続することで設定できますが、内部抵抗と外付け抵抗の相対バラ
ツキが大きくなります。
そこで、内部の R1(30kΩ)、R2(100kΩ)より 1 2 桁小さい抵抗値を R1、R2 それぞれにパラレルに接続すると相対バラ
ツキを低減することができます。
以上、設定を変更される際は十分評価の上セットうえで、問題ないことを確認していただきますようよろしくお願いし
ます。
BH6020FV
コミュニケーションIC
!使用上の注意
応用例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用にあたっては特性の確認を十分にお願いします。
その他、外付け回路定数を変更してご使用になる時は、静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び当社 IC の
バラツキ等を考慮して十分なマージンを見て決定してください。
本IC はモノリシックIC であり、Fig.8 のように、P 基板（サブストレート）と、各素子間にP+アイソレーションを有
しています。このP 層と各素子のN 層とでP－N 接合が形成され、電位関係が、
・GND>VOUT、GND>VIN のときP-N 接合が寄生ダイオードとして
・VOUT>GND>VIN のときP-N 接合が寄生トランジスタとして動作します。
寄生素子は、IC の構造上必然的にできるものです。寄生素子の動作は、回路間の相互干渉を引き起こし、誤動作、ひ
いては破壊の原因ともなります。したがって、入力端子に GND(Ｐ基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動
作するような使い方をしないよう十分に注意してください。
抵抗
トランジスタ
（OUT） C E （GND）
B
IN
N
P＋
P＋
P＋
P
N
P
N
P基板（サブストレート）
OUT
寄生素子
C
E
IN
B
GND
Fig.8ꢀモノリシックICの簡易構造
BH6020FV
コミュニケーションIC
!電気的特性曲線
80
4.0
3.0
2.0
4.0
3.0
2.0
・REG1＝ON
・REG2～3, VIB＝OFF
・REG無負荷
・VBAT＝3.6V
・VBAT＝3.6V
60
40
20
0
1.0
0
1.0
0
0
100
200
300
400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
100
200
300
1 (mA)
400
REG2 OUTPUT CURRENT: IO2 (mA)
REG1 OUTPUT CURRENT: I
O
POWER SUPPLY VOLTAGE: VBAT (V)
Fig.5 REG2ロードレギュレーション
Fig.4 REG1ロードレギュレーション
Fig.3 消費電流－電源電圧特性
6
4.5
3
6
4.5
3
REG（1 Io＝30mA）
REG2
60
40
（Io＝30mA）
・VBAT＝3.6V
・VRR＝－20dBV
REG3
（Io＝100mA）
20
0
1.5
0
1.5
0
0
20 50 100 300
1k
3k
10k 30k 100k
0
1
2
3
4
1
2
3
4
FREQUENCY：fRR［Hz］
INPUT VOLTAGE: VIN
2
(V)
POWER SUPPLY VOLTAGE: VBAT (V)
Fig.6 リップルリジェクション周波数特性
Fig.8 DET2検出・解除電圧
Fig.7 DET1検出・解除電圧
300
!外形寸法図 (unit : mm)
200
100
7.8±0.2
24
13
0
0
100
200
1
12
OUTPUT CURRENT: IOTR (mA)
Fig.9 N-MOSトランジスタドライブ能力
0.65
0.22±0.1
0.3Min.
0.1
SSOP-B24
相关型号：
BH6053GU-E2
Power Supply Support Circuit, Fixed, 5 Channel, PBGA32, 3.54 X 3.54 MM, ROHS COMPLIANT, VCSP-32
ROHM
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