D251N [ETC]
SCR / Diode Presspacks ; SCR /二极管Presspacks\n
| 型号： | D251N |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | SCR / Diode Presspacks
|
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European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 251 N
8,4
8,4
E-Cu-Seil 25mm²
E-CE-Rope 25 mm²
E-Cu-Seil 25mm²
E-Cu-Rope 25 mm²
Siliconschlauch
Silicon tube
Siliconschlauch
Silicon tube
SW27
ø36
Bohrung für Temperatur-
messung 3,2 x 15
Bore for temperature
measurement 3,2 x 15
M12
Typ
Schaltsymbol Kathode Anode Schutzschlauch
Typ
Schaltsymbol Kathode Anode Schutzschlauch
Type Circuit symbol Cathode Anode Prot. flex. tubing
Type Circuit symbol Cathode Anode Prot. flex. tubing
Seil
Rope
Gehäuse
Case
rot
red
Seil
Rope
Gewinde
Thread
rot
red
N
K
N
K
Gehäuse
Case
Seil
Rope
blau
blue
Gewinde
Thread
Seil
Rope
blau
blue
VWK July 1996
D 251 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C... tvj max
VRRM
800, 1200, 1400
V
V
1800, 2000
+ 100
400
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... tvj max
RMS forward current
VRSM = VRRM
IFRMSM
V
A
mean forward current
surge forward current
I2 t-value
tc = 130 °C
IFAVM
250
A
tc = 129 °C
255
A
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
tvj = 25°C, tp = 10 ms
tvj = tvj max, tp = 10 ms
IFSM
6,3
kA
5,3
kA
I2 t
198,5 kA2s
140,5 kA2s
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
reverse current
tvj = tvj max, iF = 800 A
tvj = tvj max
VT
max.
max.
1,57
0,8
V
V
VT(TO)
rT
tvj = tvj max
0,85
30
mW
mA
tvj = tvj max, VR = VRRM
iR
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
to case
Q = 180° sin
RthJC
max.
max.
max.
0,151 °C/W
0,145 °C/W
0,04 °C/W
DC
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
thermal resistance,case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
RthCK
tvj max
tc op
180
-40...+180
-40...+180
°C
°C
°C
Lagertemperatur
tstg
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anzugsdrehmoment
Anpreßkraft
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
tightening torque
clamping force
1
Æ = 21 mm (Æ 23 mm) )
Gehäuseform/case design B
Gehäuseform/case design E
M
F
20
3,5
175
12
Nm
kN
g
Gewicht
weight
G
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
mm
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50 Hz
C
Schwingfestigkeit
Maßbild
50 m/s2
Seite/page
Polarität
polarity
Anode=Gehäuse/case
1) Durchmesser 23 mm nur für V RRM = 2000 V
diameter 23 mm only for V RRM = 2000 V
D 251 N
1000
1,0
0,9
800
[A]
ó
i²dt
õ
i
F
(normiert)
0,8
600
400
0,7
0,6
0,5
200
0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
1
2
3
4
5
6
7
t
8
9
10
p[ms]
v
[V]
F
D251N_1
D251K_4
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
Limiting forward characteristic iF = f (vF)
ò
i²dt = f(tp)
tvj = °C
tvj= 25 °C
8
7
F(0V)M
I
I
F(0V)M
7
6
vR
vR
I
F(0V)M
I
[kA]
6
F(0V)M
[kA]
5
5
4
3
2
4
3
2
1a + 1b
+1c
1a
+ 1c
+1b
2a
2c
2a
2b
2b
2c
1
0
1
0
0,3
0
0,2
0,3
0
0,2
0,1
0,1
t
[s]
t [s]
D251N_5
D251N_6
Bild / Fig. 3
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 250 A; tC = 130 °C; tvj = 180 °C
a - vR £ 50 V
Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 250 A; tC = 130 °C; tvj = 180 °C
a - vR £ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM
D 251 N
4
0,06
10
9
8
7
6
Q
5
0,05
T
4
3
D
RthJC
[°C/W]
0,04
Q
[mAs]
r
[A]
i
800
FM
2
400
200
100
3
Q
10
0,03
0,02
0,01
T
9
8
7
6
5
4
3
50
25
2
Q
T
2
10
0
30
90
150
[°el]
120
180
10
/dt
100
60
0,1
1
-di
[A/ms]
Q
F
D251N_3
D251N_7
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt)
£
tvj = tvjmax; vR 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Beschaltung / Snubber: C = 0,47 µF; R = 8,2 W
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
0,20
0,18
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,16
0,0008 0,00622 0,0121 0,00408 0,0624 0,0283
0,0311
Rthn °C/W
t n [s]
Z
(th)JC
1
0,000161 0,00171 0,0171 0,149
0,263
0,946
2,79
[°C/W]
0,14
Analytische Funktion / Analytical function:
0,12
0,10
max
n
ZthJC =
Rthn(1-EXP(-t/t n))
S
n=1
0,08
0,06
0,04
0,02
0
-3
-2
-1
10
0
1
10
2
10
10
10
10
t [s]
D251N_2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
相关型号：
D25200113JP5
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 11000ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP
VISHAY
D252001225%P0
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 1200ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP
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D25200154JP0
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 150000ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP
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D252001615%P0
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 160ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP
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D25200161JP5
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 160ohm, 200V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP
VISHAY
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