D801S [ETC]
SCR / Diode Presspacks ; SCR /二极管Presspacks\n
| 型号： | D801S |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | SCR / Diode Presspacks
|
| 文件： | 总6页 (文件大小：64K) |
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 801 S 45 T
Fast Diode
S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
tvj = -40°C ... tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
VRRM
IFRMSM
IFAVM
4500
2450
V
A
f = 50Hz
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
Dauergrenzstrom
mean forward current
1240
1570
A
A
tvj = tvj max, tp = 10ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
IFSM
14 kA
Grenzlastintegral
I2t-value
I2t
0,98-106 A2s
iFM = 1000A, vR = 1500 V
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
(-diF/dt)com
1000 A/µs
iF £ 150A
Ls £ 250nH
snubberless
Höchstzulässige Kommutierungsspannung
als GTO Snubberdiode
maximum permissible link voltage
as GTO snubber-diode
VR(cr)
3200
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
tvj = tvj max, iF = 2500A
max
Durchlaßspannung
forward voltage
vF
3,7
1,8
V
tvj = tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
V
tvj = tvj max
Ersatzwiderstand
rT
0,76
mW
forward slope resistance
tvj = tvj max
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
max.
0,336
0,000414
0,163
A
B
C
D
V = A+ B×i + C×ln i +1 + D× i
F
F
F
F
0,0209
tvj = tvj max, diF/dt = 1000A/µs
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
VFRM
typ
85
V
tvj = tvj max, vR = VRRM
Sperrstrom
iR
250 mA
reverse current
tvj = tvj max
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
625 A
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 0.125µF, RS = 6W
tvj = tvj max
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
max
1700 µAs
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 0.125µF, RS = 6W
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 801 S 45 T
Fast Diode
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
max
max
max
0,01 °C/W
0,0169 °C/W
0,0249 °C/W
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCK
max
max
0,005 °C/W
0,010 °C/W
einseitig / single sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
tc op
tstg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
55DS45
Anpreßkraft
F
15...36 kN
clamping force
typ
Gewicht
weight
G
350 g
Kriechstrecke
creepage distance
16 mm
ca. 10 mm
C
Luftstrecke
air distance
DIN 40040
f = 50Hz
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
50 m/s2
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 801 S 45 T
Fast Diode
S
Outline Drawing
75
C
A
77 max.
48-0.1
2 center holes
3.5 1.8
Æ
´
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 801 S 45 T
Fast Diode
S
On-State Characteristics ( v F )
typical and upper limit of scatter range
t vj = 125 ° C
3500
typ.
max.
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
VF / [V]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 801 S 45 T
Fast Diode
S
Transient thermal Impedance for constant-current
Double side
cooled
Anode side or
Cathode side cooled
Cathode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1 0,0026
2 0,0009
3 0,0046
4 0,0012
5 0,0007
0,01
0,38
0,0095
0,0009
0,0046
0,0012
0,0007
0,0169
1,75
0,0175
0,0009
0,0046
0,0012
0,0007
0,0249
1,95
0,218
0,055
0,218
0,055
0,0082
0,0018
0,218
0,055
0,0082
0,0018
0,0082
0,0018
-
-
-
S
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
D 801 S 45 T
Fast Diode
S
Typical Peak Forward Recovery Voltage VFRM = f(di/dt)
linear di/dt
Parameter tvj
140
120
100
80
125°C
25°C
60
40
20
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
di/dt / [A/µs]
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