DBDDB6U215N [ETC]

Bridge Rectifier · AC-Switches ; 桥式整流器· AC开关\n
DBDDB6U215N
型号: DBDDB6U215N
厂家: ETC    ETC
描述:

Bridge Rectifier · AC-Switches
桥式整流器· AC开关\n

开关
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)  
N
B6  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
VRRM  
VRSM  
IFRMSM  
Id  
Periodische Spitzensperrspannung  
1200, 1400  
1600, 1800  
V
V
repetitive peak reverse voltage  
Tvj = + 25°C...T  
Stoßspitzensperrspannung  
1300, 1500  
1700, 1900  
V
V
vj max  
non-repetitive peak reverse voltage  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)  
RMS forward current (per chip)  
125  
A
TC = 110°C  
Ausgangsstrom  
215  
93  
A
A
A
A
A
TA = 45°C, KM 11  
TA = 45°C, KM 33  
output current  
127  
215  
215  
TA = 35°C, KM 14 (V = 45l/s)  
L
TA = 35°C, KM 33 (V = 90l/s)  
L
Tvj = 25°C, t = 10ms  
IFSM  
Stoßstrom-Grenzwert  
2200  
1950  
A
A
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
surge forward current  
Tvj = 25°C, t = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t  
24200  
19000  
A²s  
A²s  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
I²t-value  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iF = 300A  
vF  
Durchlaßspannung  
forward voltage  
max. 1,61  
0,75  
V
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V
Tvj = Tvj max  
rT  
Ersatzwiderstand  
1,6  
m  
mA  
forward slope resistance  
Tvj = Tvj max,vR = VRRM  
iR  
Sperrstrom  
max.  
10  
reverse current  
RMS, f = 50Hz, t = 1min  
RMS, f = 50Hz, t = 1sec  
VISOL  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
3,0  
3,6  
kV  
kV  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
pro Modul / per module, Θ = 120°rect  
RthJC  
Innerer Wärmewiderstand  
max. 0,082  
max. 0,490  
max. 0,065  
max. 0,390  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
pro Element / per chip, Θ = 120°rect  
pro Modul / per module, DC  
pro Element / per chip, DC  
thermal resistance, junction to case  
pro Modul / per module  
pro Element / per chip  
RthCK  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
Übergangs-Wärmewiderstand  
max. 0,033  
max. 0,200  
°C/W  
°C/W  
thermal resistance, case to heatsink  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
max. junction temperature  
150  
- 40...+150  
- 40...+150  
°C  
°C  
°C  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
MOD-E1; R. Jörke  
09. Feb 99  
A /99  
Seite/page 1(7)  
Technische Information / Technical Information  
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)  
N
B6  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see appendix  
Seite 3  
page 3  
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert  
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated  
Al2O3  
6
Innere Isolation  
internal insulation  
Toleranz / tolerance ±15%  
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung  
M1  
M2  
G
Nm  
mounting torque  
Toleranz / tolerance +5% / -10%  
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse  
terminal connection torque  
6
Nm  
g
Gewicht  
weight  
300  
12,5  
50  
typ.  
Kriechstrecke  
mm  
m/s²  
creepage distance  
f = 50Hz  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33  
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung  
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.  
It is valid in combination with the belonging technical notes.  
MOD-E1; R. Jörke  
09. Feb 99  
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)  
N
B6  
MOD-E1; R. Jörke  
09. Feb 99  
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)  
N
B6  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
[
]
Rthn °C / W  
0,15200 0,21100 0,02960  
0,31800 0,03870 0,00109  
nmax  
[ ]  
τn s  
t
τn  
Analytische Funktion:  
ZthJC  
=
R
1e  
thn  
n=1  
MOD-E1; R. Jörke  
09. Feb 99  
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)  
N
B6  
0,60  
0,50  
0,40  
0,30  
0,20  
0,10  
0,00  
120° rect  
DC  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z = f(t)  
thJC  
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angleΘ  
MOD-E1; R. Jörke  
09. Feb 99  
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)  
N
B6  
160  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
180  
200  
220  
240  
Id [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T= f(Id)  
C
MOD-E1; R. Jörke  
09. Feb 99  
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Technische Information / Technical Information  
Netz-Dioden-Modul  
Rectifier Diode Module  
DD B6U 215 N 12...18 (ISOPACK)  
N
B6  
300  
290  
280  
270  
260  
250  
240  
230  
220  
210  
200  
190  
180  
170  
160  
150  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
t [s]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom in 24h / Maximum allowable output current at 24h =I f(t)  
d
T
C 100°C  
MOD-E1; R. Jörke  
09. Feb 99  
Seite/page 7(7)  

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