DD230S [ETC]

SCR / Diode Modules ; SCR /二极管模块\n
DD230S
型号: DD230S
厂家: ETC    ETC
描述:

SCR / Diode Modules
SCR /二极管模块\n

二极管
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European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
GmbH + Co. KG  
Marketing Information  
DD 230 S  
28,5  
35  
6
115  
80  
9
18  
M8  
92  
18  
AK  
K
A
March 1998  
DD 230 S  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical properties  
Höchstzulässige Werte  
Periodische Rückwärts-  
Spitzensperrspannung  
Maximum rated values  
1800 2000 2200  
tvj = -40°C...+ 150°C  
tvj = +25°C...+ 150°C  
VRRM  
VRSM  
repetitive peak reverse voltage  
V
V
2400 2600  
1900 2100 2300  
Rückwärts-Stoßspitzenspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
2500 2700  
410  
IFRMSM  
IFAVM  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
Dauergrenzstrom  
RMS forward current  
mean forward current  
A
A
tc = 100°C  
230  
261  
tc = 91°C  
A
tvj = 25°C, t p = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
tvj = 25°C, t p = 10 ms  
tvj = tvj max, tp = 10 ms  
IFSM  
Stoßstrom-Grenzwert  
Grenzlastintegral  
surge forward current  
9000  
A
7500  
A
A2s  
A2s  
ò 2  
I t-value  
ò 2  
I t  
405000  
281000  
Charakteristische Werte  
Durchlaßspannung  
Characteristic values  
forward voltage  
tvj = tvj max, iF = 800 A  
tvj = tvj max  
vF  
max. 1,74  
V
V
V(TO)  
rT  
Schleusenspannung  
Ersatzwiderstand  
threshold voltage  
1,0  
0,8  
tvj = tvj max  
W
forward slope resistance  
reverse current  
m
tvj = tvj max, vR = VRRM  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
iR  
Rückwärts-Sperrstrom  
Isolations-Prüfspannung  
max. 160  
3
mA  
kV  
VISOL  
insulation test voltage  
Thermische Eigenschaften  
Thermal properties  
thermal resistance, junction  
to case  
Q
RthJC  
Innerer Wärmewiderstand  
max. 0,075 °C/W  
max. 0,150 °C/W  
max. 0,072 °C/W  
max. 0,144 °C/W  
max. 0,02 °C/W  
max. 0,04 °C/W  
=180°el. sin: pro Modul/per module  
pro Zweig/per arm  
DC: pro Modul/per module  
pro Zweig/per arm  
RthCK  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul/per module  
pro Zweig/per arm  
tvj max  
tc op  
tstg  
Höchstzul.Sperrschichttemperatur  
Betriebstemperatur  
max. junction temperature  
operating temperature  
storage temperature  
150  
-40...+150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C1)  
Lagertemperatur  
Mechanische Eigenschaften  
Gehäuse, siehe Anlage  
Si-Elemente mit Druckkontakt  
Innere Isolation  
Mechanical properties  
case, see appendix  
Si-pellets with pressure contact  
internal insulation  
AIN  
Anzugsdrehmomente  
mechanische Befestigung  
elektrische Anschlüsse  
Gewicht  
tightening torques  
mounting torque  
Toleranz/tolerance +/- 15%  
Toleranz/tolerance +5%/-10%  
M1  
M2  
G
6
Nm  
Nm  
g
terminal connection torque  
weight  
12  
typ. 800  
17  
Kriechstrecke  
creepage distance  
vibration resistance  
mm  
m/s²  
×
Schwingfestigkeit  
f = 50 Hz  
5
9,81  
1) Gemäß DIN IEC 749 mit 747-1 gilt eine Zeitbegrenzung von 672 h. Für die im Betrieb auftretende Gehäusetemperatur gilt keine zeitliche Begrenzung.  
1) According to DIN IEC 749 with 747-1 a time-limit of 672 h is defined. There is no time-limit set for case temperture during operation.  
DD 230 S  
3000  
-diF/dt  
600  
-di /dt  
F
i
=
FM  
trr  
ts  
t
rr  
3200 A  
tf  
t
t
Q
f
s
s
I
[A]  
RM  
0
0
[µAs]  
1600 A  
800 A  
400 A  
400  
2000  
1000  
0
i
=
FM  
3200A  
200 A  
100 A  
1600A  
800A  
200  
400A  
200A  
50 A  
250  
100A  
50A  
0
0
50  
100  
150  
200  
250  
0
50  
100  
150  
200  
-di /dt [A/µs]  
F
-di /dt [A/µs]  
F
DD230F/6  
DD230S/7  
Bild / Fig. 1  
Bild / Fig. 2  
Typische Abhängigkeit der oberen Rückstromspitze I  
Sperrverzögerungsladung Q (Richtwert für obere Streubereichsgrenze)  
RM  
s
von der abkommutierenden Stromsteilheit bei t = 150°C  
vj  
in Abhängigkeit von der abkommutierenden Stromsteilheit bei t = 150°C,  
vj  
V
= 100V, V  
£ 200V  
V =100V , V  
£ 200V.  
R
RM  
r
RM  
Parameter: Durchlaßstrom vor der Kommutierung.  
Parameter: Durchlaßstrom vor der Kommutierung.  
0.18  
0.16  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z  
pro Zweig für DC  
per arm for DC  
thJC  
5
Analytical elements of transient thermal impedance Z  
thJC  
4
3
2
1
Pos. n  
[°C/W]  
1
2
3
4
5
6
7
0.14  
TH  
[°C/W]  
Z
0,0031 0,0097 0,0257 0,0529 0,0526  
0,0009 0,008 0,11 0,61 3,06  
R
thn  
t
[s]  
n
0.1  
0.08  
Analytische Funktion / Analytical function:  
n
max  
t
0.06  
0.04  
0.02  
-
t n  
)
Z
=
R
(1-e  
thn  
thJC  
S
n=1  
0
2 3 4 6  
2 3 4 6  
2 3 4 6  
2 3 4 6  
T [s]  
2 3 4 6  
2
-3  
10  
-2  
10  
-1  
10  
0
1
10  
10  
10  
DD 230 S/5  
Bild / Fig. 3  
Transienter innerer Wärmewiderstand Z  
für einen Zweig  
thJC  
1. Konstantstrom  
2. Sinus  
f= 50 Hz Stromflußwinkel 180°  
3. Rechteck f= 50 Hz Stromflußwinkel 180°  
4. Rechteck f= 50 Hz Stromflußwinkel 120°  
5. Rechteck f= 50 Hz Stromflußwinkel  
60°  
30  
25  
-diF/dt  
trr  
t
tf  
ts  
rr  
[µs]  
0
20  
i
=
FM  
15  
3200A  
1600A  
800A  
400A  
200A  
100A  
50A  
10  
5
0
0
50  
100  
150  
200  
-di /dt [A/µs]  
250  
DD230 S /8  
F
Bild / Fig. 4  
Sperrverzögerungszeit t (Richtwert für obere Streubereichsgrenze)  
rr  
in Abhängigkeit von der abkommutierenden Stromsteilheit bei  
t
=150°C, V =100V, V £ 200V.  
vj  
r
RM  
Parameter: Durchlaßstrom vor der Kommutierung.  

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