EM1781 [ETC]
EM1781;
| 型号： | EM1781 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | EM1781 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：124K) |
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モノリシック型 ꢀホールICꢀEMシリーズ
梱包は5000個 /巻のテ－ピングとなります。
EM1781
EM1781は、ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ホールICです。
ホール素子はパルス駆動されているため、VDD=1.85V時平均消費電流6.5μAときわめて低消費電力です。
両極検知 電源電圧 ホール素子 高感度 出力形式 小型表面実装
1.6～5.5Ｖ パルス駆動 Bop：3mT パッケージ
CMOS出力
●磁電変換特性
Vout
S or N
VOH
H
マーク面
1：VDD
2：OUT
1
2
BhN
BhS
VOL
3：N.C.
4：VSS
L
N or S
印加磁束の方向
0
BopN BrpN
BrpS BopS
N極
S極
磁束密度
●回路構成
1:VDD
Switch
●最大定格（Ta=25℃）
項ꢀ目
記号
定ꢀꢀ格
単ꢀ位
3:OUT
2:VDD
V
VDD
－0.1 ～ 6
電
出
源
電
圧
mA
℃
I
±0.5
力
電
流
out
Topr
Tstg
－30 ～ 85
動 作 周 囲 温 度
Pulse
Hall
Chopper Amplifier Schmitt
Output
Stage
Regulator Element Stabilizer
trigger
℃
－40 ～ 125
保
存
温
度
&Latch
●電気的特性（Ta=25℃ VDD=1.85V）
●磁界特性（Ta=30℃～85℃ VDD=1.85V）
項ꢀ目
記号
測
ꢀ定ꢀ条ꢀ件
最小
標準 最大 単位
項ꢀ目
記号
測
ꢀ定ꢀ条ꢀ件
最小 標準 最大 単位
BOP
OP
S
動 作 電 圧 範 囲
出力H→L磁束密度
出力L→H磁束密度
ヒステリシス幅
パルス駆動周期
出 力 H i g h 電 圧
出 力 L o w 電 圧
出力H→L磁束密度
出力L→H磁束密度
ヒステリシス幅
VDD
1.6
1.4*
1.1
5.5
4.0
V
mT
mT
mT
ms
V
1.2
0.9
0.1
3.0
2.2
0.8
4.4
4.1
1.7
mT
mT
mT
B
N
I
I
BOP
OP
S
N
B
rp
B
rp
S
N
I
3.0
2.2
0.8
50
B
I
I
I
B S
rp
B N
rp
B S
h
B N
h
3.7*
1.5*
100
I
I
I
I
B S
h
B N
h
注）本特性は設計保証となります。
0.3*
I
I
T
p
●外付け部品推奨回路
V
OH
Io=－0.5mA
Io=＋0.5mA
VDD－0.4
VDD
CMOS出力
0.4
9
V
V
OL
OUT
VDD
外付けコンデンサ
IDD
6.5
μA
平均値
電
源
電
流
EM1781
N.C. VSS
0.1μF
1［mT］=10［Gauss］
「*」印の特性値 は設計保証値 になります。
GND
EM1781
•製品
はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原
子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財
産等へ重 大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同
意
をおとりください。
•本資料の掲載内容
は予告なく変更されることがあります。
b
●外形寸法図（単位：ｍｍ）
●（参考）ランド形状（単位：mm）
2.1±0.1
1.3
0.50
0.3
2
3
1
4
φ0.3
Sensor center
0～0.1
5°
5°
0.1
0.05
5°
f
注１）センサ中心はφ0.3mmの
円内に位置します
注２）公差は特に定める以外は
±0.1mmとします
注３）リード平坦度：端子間の
スタンドオフの差は最大
0.15mmとします。
5°
1.30
端子番号
接続
VDD
OUT
N.C.
VSS
機能
ピン
号出力ピン
－
GND
備考
1
2
3
4
電源
信
GNDと短絡
●使用電圧範囲
●パルス駆動消費電流（VDD=1.85V）
6
5
4
3
2
1
0
50ms
IDD
146μs
j
IDD ON
（TYP : 1.8mA）
IDD
（TYP : 6.5μA）
IDD OFF
（TYP : 1.3μA）
time
－40
－20
0
20
40
60
80
100
周
囲温度［℃］
●動作磁束密度温度特性
●動作タイミング
IDD
IDD
6
4
2
0
n
o
p
BopS
BrpS
t
t
t
B
B
Bop
VDD＝1.85V
BrpN
Brp
－
－
－
2
4
6
t
Vout
High
Vout
High
48.8μs
48.8μs
BopN
Low
Low
－
50
0
50
100
周
囲温度［℃］
t
t
Operate Point Timing
Release Point Timing
磁界判定結果は、内部回路 OFF（IDD OFF）直前に内部データとして保持され、それから48.8μs
経って出力端子に結果を出力します。
注）図中の数字は標準値 です。
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