IPDQ60R022S7
在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中,600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列针对低导通损耗作了优化,具有市场上最低的 RDS(on)。其 RDS(on) x 价格品质因数前所未有,完美契合大功率电源中的固态断路器和继电器、PLC、电池保护及有源桥式整流。顶部冷却可最大限度地降低导通损耗,同时最大限度地提高功率密度,冷却方式采用最高效的 SMD 冷却。
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