FD6R16K4 [ETC]

IGBT Module ; IGBT模块\n


型号：	FD6R16K4
厂家：	ETC
描述：	IGBT Module IGBT模块\n 双极性晶体管
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European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

Marketing Information

FD 600 R 16 KF4

55,2

11,85

screwing depth

max. 8

130

31,5

114

16 18

2,5 deep

screwing depth

max. 8

C2 (K)

E2 (A)

VWK Apr. 1997

IGBT-Module

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FD 600 R 16 KF4

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Kollektor-Dauergleichstrom

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

Gesamt-Verlustleistung

collector-emitter voltage

DC-collector current

V_CES

I_C

1600 V

600 A

repetitive peak collector current

total power dissipation

gate-emitter peak voltage

DC forward current

t_p=1 ms

I_CRM

P_tot

V_GE

I_F

1200 A

3900 W

± 20 V

600 A

t_C=25°C, Transistor /transistor

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Dauergleichstrom

Periodischer Spitzenstrom

Isolations-Prüfspannung

repetitive peak forw. current

insulation test voltage

t_p=1ms

I_FRM

V_ISOL

1200 A

3,4 kV

RMS, f=50 Hz, t= 1 min.

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage

min.

typ.

max.

3,9 V

i_C=600A, v_GE=15V, t_vj=25°C

i_C=600A, v_GE=15V, t_vj=125°C

i_C=40mA, v_CE=v_GE, t_vj=25°C

f_O=1MHz,t_vj=25°C,v_CE=25V, v_GE=0V

v_{CE sat}

3,5

4,6

5,5

5 V

Gate-Schwellenspannung

Eingangskapazität

gate threshold voltage

input capacity

v_GE(TO)

C_ies

4,5

6,5 V

- nF

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

v_CE=1600V, v_GE=0V, t_vj=25°C

v_CE=1600V, v_GE=0V, t_vj=125°C

i_CES

- mA

Gate-Emitter Reststrom

Emitter-Gate Reststrom

Einschaltzeit (induktive Last)

gate leakage current

v_CE=0V, v_GE=20V, t_vj=25°C

v_CE=0V, v_EG=20V, t_vj=25°C

i_C=600A,v_CE=900V,v_L=±15V

i_GES

i_EGS

t_on

400 nA

gate leakage current

turn-on time (inductive load)

v_L=±15V, R_G=3,3 , t_vj=25°C

0,8

- µs

v_L=±15V, R_G=3,3 , t_vj=125°C

Speicherzeit (induktive Last)

Fallzeit (induktive Last)

storage time (inductive load)

fall time (inductive load)

i_C=600A,v_CE=900V,v_L=±15V

t_s

v_L=±15V, R_G=3,3 , t_vj=25°C

1,1

1,3

- µs

v_L=±15V, R_G=3,3 , t_vj=125°C

i_C=600A,v_CE=900V,v_L=±15V

t_f

v_L=±15V, R_G=3,3 , t_vj=25°C

0,25

0,3

- µs

v_L=±15V, R_G=3,3 , t_vj=125°C

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

Einschaltverlustenergie pro Puls

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

i_C=600A,v_CE=900V,v_L=±15V

E_on

E_off

R_G=3,3 , t_vj=125°C, L_S=70nH

240

140

- mWs

2,8 V

turn-off energy loss per pulse

i_C=600A,v_CE=900V,v_L=±15V

R_G=3,3 , t_vj=125°C, L_S=70nH

Inversdiode / Inverse diode

Durchlaßspannung

forward voltage

i_F=600A, v_GE=0V, t_vj=25°C

i_F=600A, v_GE=0V, t_vj=125°C

i_F=600A, -di_F/dt=3kA/µs

v_F

2,4

2,2

- V

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

I_RM

v_RM=900V, v_EG=10V, t_vj=25°C

v_RM=900V, v_EG=10V, t_vj=125°C

i_F=600A, -di_F/dt=3kA/µs

230

320

- A

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

v_RM=900V, v_EG=10V, t_vj=25°C

v_RM=900V, v_EG=10V, t_vj=125°C

- µAs

110

1) Höchstzulässiger diF/dt-Wert / Maximum rated diF/dt-value

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Transistor, DC, pro Zweig / per arm

Diode /diode, DC, pro Modul / per module

Diode /diode, DC, pro Zweig / per arm

pro Module / per Module

R_thJC

0,032 °C/W

0,04 °C/W

0,08 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCK

0,008 °C/W

0,016 °C/W

150 °C

pro Zweig / per arm

Höchstzul. Sperrschichttemperatur

Betriebstemperatur

max. junction temperature

operating temperature

storage temperature

t_{vj max}

t_{c op}

t_stg

-40...+125 °C

Lagertemperatur

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation

internal insulation

Al₂O₃

3 Nm

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque

terminals M6

terminals M4

terminals M8

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque

2 Nm

8...10 Nm

ca. 1500 g

Gewicht

weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den

zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid

combination with the belonging technical notes.

Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection

t_fg= 10 µs

V_CC= 1000 V

v_CEM= 1300 V

v_L= ±15V

i_CMK16000 A

R_GF= R_GR= 3,3

t_vj= 125°C

i_CMK24500 A

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions _CEM= V_CES- 20nH x |di_c/dt|

FD 600 R 16 KF4

1000

1200

i_C

[A]

1000

800

20 V

15 V

800

600

400

200

600

400

200

12 V

10 V

9 V

8 V

v_CE[V]

FD 600 R 16 KF4 / 1

FD 600 R 16 KF4 / 2

Bild / Fig. 1

Bild / Fig. 2

Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /

Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)

Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /

Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)

= 15 V

t = 125°C

= 25°C

= 125°C

1400

1200

125 °C

25 °C

i_C

[A]

i_C

[A]

1000

800

600

400

200

1000

800

600

400

200

v_GE[V]

500

1000

1500

v_CE[V]

2000

FD 600 R 16 KF4 / 3

FD 600 R 16 KF4 / 4

Bild / Fig. 3

Bild / Fig. 4

Übertragungscharakteristik (typisch) /

Transfer characteristic (typical)

Rückwärts-Arbeitsbereich /

Reverse biased safe operating area

t = 125 °C

= 20 V

= v = 15 V

= 3,3 W

FD 600 R 16 KF4

-1

1200

i_F

Diode

IGBT

[A]

(th)JC

[°C/W]

1000

800

600

400

200

-2

-3

-2

-1

4 5

3 4 5 7

0,5

1,5

2,5

3,5

t [s]

v_F[V]

FD 600 R 16 KF4 / 5

FD 600 R 16 KF4 / 6

Bild / Fig. 5

Bild / Fig. 6

Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) /

Transient thermal impedance (DC)

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /

Forward characteristic of the inverse diode (typical)

= 25°C

= 125°C

FD6R16K4 [ETC]

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