MRT1025CAF4B

i.MX RT1024 Crossover Processors Data Sheet for Consumer Products
暂无信息
NXP

SVC75C2C07D2

Ceramic SMT 6 Pad CMOS VCXO
石英晶振 压控振荡器
SUNTSU

FVS-D4W-R

Space-saving Plug-in Signal Conditioners F-UNIT
暂无信息
MSYSTEM

NT6TL256M8CI-G0

Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

EFL1608-R47

MULTILAYER CHIP INDUCTORS
暂无信息
ECE

NT6TL256T32CI-G1

Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

STCFSK50O27VD

Metal Full Size Dip Clipped Sinewave (VC)TCXO
石英晶振 温度补偿晶振
SUNTSU

STCFSK50Q37VG

Metal Full Size Dip Clipped Sinewave (VC)TCXO
石英晶振 温度补偿晶振
SUNTSU

GRT31CC80J226ME01#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗 医疗器械
MURATA

AST02506E25R00KE92

Wirewound Resistors, Industrial Power, Silicone Coated, Adjustable Tubular
暂无信息
VISHAY

SVC75C2C16D5

Ceramic SMT 6 Pad CMOS VCXO
石英晶振 压控振荡器
SUNTSU

SVC75C3C17A2

Ceramic SMT 6 Pad CMOS VCXO
石英晶振 压控振荡器
SUNTSU

FDZS10

Zener Voltage Regalators
暂无信息
FS

WR04X1622FTL

Thick Film General Purpose Chip Resistors
暂无信息
WALSIN

MRT101LDAE6B

i.MX RT1024 Crossover Processors Data Sheet for Consumer Products
暂无信息
NXP

74ACT139MTC

双 1/4 解码器/信号分离器
驱动 光电二极管 逻辑集成电路 解码器
ONSEMI

VOS-E-1412/R2

Position Sensors 2-WIRE POSITION TRANSMITTER
暂无信息
MSYSTEM

AST02514E1R500KENH

Wirewound Resistors, Industrial Power, Silicone Coated, Adjustable Tubular
暂无信息
VISHAY

MRT105LCAG5B

i.MX RT1024 Crossover Processors Data Sheet for Consumer Products
暂无信息
NXP

BQ27425YZFR-G2A

适用于钴酸锂电池的系统侧 Impedance Track™ 电量监测计 | YZF | 15 | -40 to 85
电池
TI

NT6TL128M32C3-G0

Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

TA100-Y230C2X01-00B-VAO

CryptoAutomotive™ TA100 (B5) Summary Data Sheet
暂无信息
MICROCHIP

MP1422-0-JX

RTD INPUT LIMIT ALARM
输入元件
MSYSTEM

NT6TL64M16AR-G0

Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

CPCC051K500JE66002

Wirewound/Metal Oxide Resistors, Commercial Power, Vertical Mount
暂无信息
VISHAY

SVC75C3B16D2

Ceramic SMT 6 Pad CMOS VCXO
石英晶振 压控振荡器
SUNTSU

BM28723AMUV

BM1050AF是组合了应对高次谐波的功率因数校正(Power Factor Correction)转换器(以下简称PFC部)与DC/DC转换器(以下简称DC/DC部)的复合LSI。DC/DC部采用准谐振方式动作,有助于实现低EMI。BM1050AF内置650V耐压启动电路。PFC部、DC/DC部均外接开关MOSFET及电流检测电阻,可实现自由度高的电源设计。PFC部采用峰值电流控制。利用带AC电压过低补偿电路的乘法器、应对负载变动的电路、最大功率补偿电路等各种保护电路,提供合适的应用方案。此外,内置跳频功能,有助于实现低EMI。DC/DC部的准谐振方式为软开关动作,有助于实现低EMI。内置脉冲串模式,可降低轻负载时的功耗。内置了软启动功能、脉冲串功能、逐周期过电流限制、过电压保护、过负荷保护等各种保护功能。与微控制器间设有通信控制用端子、外部停止端子,可提供适用于各种应用的系统方案。
通信 开关 控制器 微控制器 软启动 脉冲 功率因数校正 转换器
ROHM

NT6TL256F32BR-G1

Commercial Mobile DDR 1Gb SDRAM
动态存储器 双倍数据速率
NANYA

STCFSK33R17VD

Metal Full Size Dip Clipped Sinewave (VC)TCXO
石英晶振 温度补偿晶振
SUNTSU

SV-04-S/K

Plug-in Signal Conditioners M-UNIT
暂无信息
MSYSTEM
KYOCERA AVX
AMPHENOL
SAMTEC
WALSIN
VISHAY
MSYSTEM
GLENAIR
ITT
MICROSEMI
YAGEO
ECLIPTEK
ABRACON
MOLEX
VICOR
KEMET
MTRONPTI
TI
PANASONIC
CTS
SCHURTER
KNOWLES
MURATA
TE
TOREX
SILICON
BOURNS
GOLLEDGE
STMICROELECTRONICS
RCD
BEL
NXP
MICROCHIP
TDK
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