PL3539 [ETC]
LED驱动 内置MOS管; LED驱动内置MOS管型号: | PL3539 |
厂家: | ETC |
描述: | LED驱动 内置MOS管 |
文件: | 总8页 (文件大小:251K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
PL3539
高精度恒压/恒流、原边控制
PWM 功率开关
芯片概述:
主要特点:
PL3539 是一款高效率、高集成度、原边调节的 PWM 功率
开关,其主要应用于小于 5W 的 AC/DC 反激式开关电源。
PL3539 通过去除光耦以及次级控制电路,简化了充电器/
适配器等传统的恒流/恒压的设计,从而实现高精度的电压
和电流调节,调节波形如下图 1 所示。
•
•
•
•
•
•
•
•
内置高集成度的功率MOSFET
+/-5%恒压调节
全电压范围内实现高精度电流调节
去除光耦和次级控制电路
内置高精度恒流调节的线电压补偿
内置变压器电感补偿
可编程的输出线补偿
内置可提高效率的自适应多模式
PWM/PFM控制
复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪
音、高效率。内置的频率抖动可以很好的降低芯片的 EMI
以及 EMI 滤波成本,而且高集成的功率 MOSFET 能够降低
外部 PCB 的面积以及系统的成本。
•
•
•
•
•
•
低启动电流
PL3539 同时具有多种保护功能:逐周期峰值电流检测、欠
压保护、过压保护、VDD 钳位、过载保护等。
内置软启动
内置前沿消隐
逐周期电流限制
欠压保护
内置短路保护以及输出过压保护
应用:
•
•
•
•
•
手机/无绳电话充电器
图 1 典型的恒流/恒压波形
数码相机充电器
小功率电源适配器
LED 驱动
管脚分布图:
消费类的备用电源
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
1
Datasheet
PL3539
1
概述
静态功耗、低音频噪音、高效率。在恒流模式以
及系统重载下,芯片会工作在PFM模式,系统正
常时,PL3539工作在PWM模式。这种绿色模式
会大大提高系统的效率,同时能够节省能耗。
PL3539是款恒流/恒压原边控制的高性能离线反
激式开关电源,其外部仅需少量元件。其内部集
成了包括功率MOSFET以及原边控制模块等高
压功率调节器。
PL3539具有多种保护功能以应对系统的各种异
常状态。主要包括:限流保护、欠压保护、过压
保护、VDD钳位等。系统发生异常时,芯片将被
保护,直到系统恢复正常状态。
PL3539适用于小于5W的AC/DC应用场合。其无
需光耦以及次级控制电路就能实现高精度的恒流
/恒压功能。系统稳态时也无需额外的补偿电路,
从而能够得到精准的电压/电流控制。
PL3539提供SOP8封装。
PL3539的复合模式的应用使得芯片能够实现低
2
特性
�
�
�
�
�
�
�
�
�
低启动电流
内置软启动
内置短路保护
内置前沿消隐
过流保护
�
�
�
�
�
�
�
�
内置高集成度的功率MOSFET
+/-5%恒压调节
全电压范围内精准的恒流调节
去除光耦和次级恒流恒压控制电路
内置高精度恒流调节的线电压补偿
内置变压器电感补偿
过压保护
VDD钳位保护
欠压保护
可编程的输出线补偿
内置可提高效率的自适应多模式PWM/PFM
控制
过载保护
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
2
Datasheet
管脚分布图
PL3539
3
SOP-8的管脚图如下图所示:
4
管脚描述
管脚名
VDD
CMP
FB
描述
芯片电源输入
误差放大器输出,用于环路补偿
通过电阻分压连接到辅助绕组,该管脚用于检测输出信号并调节芯片的恒流/恒压.
通过检测连接CS到地电阻的电压来反映原边电感电流.
高压MOSFET的漏端,连接到变压器.
CS
DRAIN
GND
芯片地
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
3
Datasheet
最大额定值
PL3539
5
参数
符号
VDD
CMP
CS
范围
-0.3 到 VDDclamp
-0.3 到 7
-0.3 到 7
-0.3 到 7
150
单位
V
VDD 电压(1 脚)
CMP 输入(2 脚)
CS 输入(4 脚)
FB 输入(3 脚)
最大工作结温
存储温度
V
V
FB
V
Tjmax
Tsto
Tlea
℃
℃
℃
-55 到 150
260
焊接温度(Soldering,10secs)
注释:超过最大额定值可能损毁器件;超过推荐工作范围的芯片功能特性不能保证;长时间工作于最大额定条件下可能
会影响器件的稳定性。
6
7
推荐工作条件
参数
最小
最大
单位
℃
工作环境温度
-40
+105
结构框图
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
4
Datasheet
PL3539
8
电气特性
(无特殊说明,其测试条件为:VDD =16V, TA = 25℃)
参数
电源电压 (VDD)
测试条件
最小
典型
最大
单位
符号
启动电流
工作电流
1.1
20
I DD_sd
VDD=16V
uA
FB=2V, CS=0V,
VDD=20V
1
1.5
I DD_op
mA
VDD 进入欠压阈值
VDD 退出欠压阈值
UVLO(ON)
VDD 下降
8.1
9.0
9.8
V
V
UVLO(OFF) VDD 上升
13.5
14.5
15.5
VDD 上升直到栅
极关断
VDD 过压阈值
OVP
26
30
27.5
32.5
29
35
V
V
VDD 齐纳击穿电压
频率 (FOSC)
VDD_zb
IDD=10mA
IC 最大频率
Freq_Max
55
60
65
KHz
%
频率抖动范围
+/-5
△f/Freq
电流检测 (SENSE)
导通 LEB 时间
过流阈值
TLEB
Vocp
500
ns
980
100
1000
1020 mV
Kohm
输入阻抗
ZSENSE
T_sst
软启动
10
ms
恒流/恒压控制 (CC/CV)
EA 的基准电压
Vref_EA
Gain
1.98
2
2.02
V
EA 的直流增益
70
38
dB
uA
最大输出线补偿电流
采样端 LEB 时间
I_CMP_MAX FB=2V, CMP=0V
SLEB
2
us
功率 MOSFET
MOSFET 漏源击穿电压
BVdss
600
V
导通电阻
Rdson
Static, Id=0.5A
12
Ώ
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
5
Datasheet
典型应用
PL3539
9
N
N
P
S
应用说明:
I
Spk
=
• IPpk
PL3539 为小功率的适配器/充电器应用提供了很
有效的解决方案,其新颖的恒流/恒压控制使得系
统不需要次级反馈电路,并能实现高精度的恒流/
恒压输出,从而满足更严格的能源损耗要求。
(1)
IPpk
为功率管关闭后的原边峰值电流。
通过次级绕组和辅助绕组之间的耦合,输出电压
可以下式得到:
Ns V
•
aux − ∆V
9.1 启动电流和工作电流
V
o
=
PL3539 具有低的启动电流,因而可以采用大的
启动电阻以及小的 VDD 电容以降低应用中的功
率损耗。
Naux
(2)
aux 是辅助绕组的电压,
V
∆V
是次级二极管的压
PL3539 的工作电流小至 1mA,再加上特有的复
合模式控制,从而提高了系统的效率,特别是系
统处于轻载条件下。
降。
9.2 软启动
系统上电后,当 VDD 达到 UVLO(OFF),芯片开
始工作,其振荡频率及 CS 端的峰值电压会逐步
增加,因而会降低外部元件在芯片启动过程中的
电压应力。芯片每次重启都伴随着软启动。
9.3 恒压/恒流调节
恒压/恒流的调节主要是基于系统工作在 DCM 模
式。
工作于 DCM 模式的反激式开关电源,可以通过
辅助绕组来采样输出电压。功率管导通时,原边
电流逐步增加,功率管关闭后,原边电流传输到
图 2 辅助绕组电压波形
基于内部的时序控制,辅助绕组的电压可以通过
对连接于辅助绕组和 FB 之间的分压电阻采样得
到。在恒压工作模式中,内部误差放大器对采样
I
Spk
次级,并形成次级电流
。
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
6
Datasheet
PL3539
在大规模应用中会使得芯片的一致性变差。为了
降低原边绕组电感量变化产生的效应,芯片内置
了补偿电路,使得电感值和频率的乘积恒定,并
矫正电感量的误差,从而得到准确的恒流点。
的电压进行调节,从而得到恒定的输出电压。
在恒流工作模式中,不管系统的输出电压大小 ,
芯片会保持输出电流恒定。
9.4 可编程恒流点及输出功率
9.6 可编程的输出线补偿
在小于 5W 的应用中,CS 端不同的采样电阻会
得到不同的恒流点。输出功率的大小可通过调节
CS 端的采样电阻实现,采样电阻越大,恒流点
越小,同时输出功率也越小。
由原边反馈原理可知,输出电压通过辅助绕组采
样得到,这样会影响恒压的精度,为提高负载调
节率,芯片内置了输出线补偿电路,那么系统在
空载和满载状态时,输出电压可保持恒定。
不同的应用中,通过调节连接于 FB 端的分压电
阻可得到不同的线补偿量,FB 端的分压电阻越
大,那么补偿量也越大。
9.5 开关频率及电感补偿
PL3539 的开关频率大小取决于系统负载状态以
及芯片工作模式。恒压模式中芯片通常工作在最
大频率。假设系统的效率是 100%,那么输出功
率可由下式给出:
9.7 保护功能
PL3539 内置了多种保护功能,包括:逐周期限
流保护,VDD 钳位保护,软启动,欠压保护,短
路保护,开路保护,过压保护,过载保护等。
当 PL3539 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON),或
者 VDD 电压上升到 OVP 阈值,芯片将不工作,
同时会进入重启状态。
1
Po =
L
mf
swIP2pk =Vo• I
O
2
(3)
IPpk
Lm 是原边绕组的电感值,
是原边绕组的峰
值电流。
从上式中可看出,Lm 的变化会导致功率的变
化,同时也影响恒流模式中的输出电流的恒定性,
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
7
Datasheet
PL3539
10 封装
SOP8 封装
SOP8 封装尺寸:
毫米尺寸
英寸尺寸
符号
最小
1.350
0.050
1.250
0.310
0.100
4.700
3.800
5.800
最大
1.750
0.250
1.650
0.510
0.250
5.150
4.000
6.200
最小
0.053
0.002
0.049
0.012
0.004
0.185
0.150
0.228
最大
A
A1
A2
b
0.069
0.010
0.065
0.020
0.010
0.203
0.157
0.244
c
D
E
E1
e
1.270(BSC)
0.050(BSC)
L
0.400
0º
1.270
8º
0.016
0º
0.050
8º
θ
11 注意事项
聚元有权在任何时刻修改其产品信息,恕不另行通知;客户在下订单前应确保产品信息的及时更新和完
整性。
V1.0 © 2011
www.pmicro.com.cn
8
相关型号:
PL370CS
Rectangular Connector Adapter, 37 Contacts(Side1), 37 Contacts(Side2), Panel Mount, Female-Female
MOLEX
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明