概述
数据手册SD7530 概述
高功率因数反激式PWM控制器 固定频率电流模式PWM控制器
SD7530 数据手册
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高功率因数反激式PWM控制器
描述
SD7530 是一款用于LED 照明的高功率因数反激式PWM 控制
器。
SD7530 内部集成了高性能的模拟乘法器用于功率因数校正，
零电流检查器来确保临界导通工作模式，带消隐电路的电流感应比
较器，以及驱动峰值电流为-600mA 和+800mA 的输出驱动级，适
合驱动大电流的MOSFET 或者IGBT。
SD7530 内置软启动电路，能够防止轻载启动时输出电压过
冲，降低MOSFET 的电压应力，提高电路的可靠性。
SD7530 内置输出短路保护电路，能够获得极低的输出短路保
护功耗，避免损坏电路。
SD7530 内部集成了 VCC 欠压锁定电路，VCC 过压保护功能，
原边过流保护功能，过热保护功能，以及 AC 输入欠压/过压保护功
能。
应用
主要特点
*
LED 日光灯
* 临界导通模式
* 高性能的模拟乘法器
* 内置启动定时器
* 集成数字LEB 电路
* 极低启动电流（5μA）
* 带迟滞的VCC 欠压锁定
* 无音频噪声
* 软启动功能
* 输出短路保护功耗极低
*
VCC 过压保护功能
* 原边过流保护功能
* 过热保护功能
*
AC 输入欠压/过压保护功能
* 采用DIP-8 或者SOP-8 的封装形式
产品规格分类
产品名称
SD7530
封装形式
打印名称
SD7530
材料
包装
料管
料管
编带
无铅
无铅
无铅
DIP-8-300-2.54
SOP-8-225-1.27
SOP-8-225-1.27
SD7530S
SD7530S
SD7530S
SD7530STR
版本号：0.1
2012.01.05
深圳市流明芯半导体照明科技有限公司
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传真：0755-29059280 Website: www.lumen-chip.com E-mail: sales@lumen-chip.com
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SD7530 说明书
内部框图
VCC
8
钳位
电路
ZCD
CS
5
4
VCC欠压
锁定
1.1V/0.25V
17.5V/9.0V
消隐
电路
输出驱动 OUT
逻辑电路
比较器
7
电路
输出短路保护
VCC过压保护
原边过流保护
过热保护
软启动
电路
AC输入欠压/
乘法器
过压保护
INV
1
误差
MULT
3
放大器
VREF
GND
6
COMP
2
极限参数
参
数
符号
参数范围
40
单位
V
电源电压（ICC<20mA）
峰值驱动输出电流
VCC
I
OH/IOL
-600/800
-0.3 ~ 8
±10
mA
V
模拟输入和输出脚电压
零电流检测器最大电流
-
-
mA
SD7530
1
W
W
功耗（环境温度50°C）
Pdiss
SD7530S
0.65
工作温度范围
贮存温度范围
结温
Tamb
Tstg
Tj
-20~+85
-40~+125
+150
°C
°C
°C
SD7530
100
150
°C/W
°C/W
从芯片表面到外界环境的热阻
Rth(j-a)
SD7530S
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电气参数(除非特别指定，VCC=22V；CO=1nF；-25°C<Tamb<125°C)
参
数
符号
测 试条件
最小值 典型值 最大值
单位
电源电压
工作电压范围
启动电压
等电路正常启动之后
9
--
--
--
--
--
--
32
--
VCC
VCCon
VCCoff
VCChys
Vz
V
V
V
V
V
V
17.5
9.0
8.5
40
*
*
关断电压
--
迟滞电压
--
钳位电压
--
ICC=20mA
电源过压保护阈值
电源电流
33.5
--
VCCovp
启动电流
正常启动前，VCC=17V
等电路正常启动之后
振荡频率70kHz
--
--
--
4
8
IST
IQ
μA
mA
mA
静态电流
2.5
3.5
3.75
5.0
动态电流
ICC
乘法器
乘法器输入偏置电流
乘法器输入电压范围
乘法器的增益**
IMULT
VMULT = 0 ~ 4V
--
--
--
-1
--
μA
V
线性工作范围
VMULT
0~3
0.32
VMULT=1V，VCOMP=4V
K
0.38
0.44
V
ΔVCS
ΔVMULT
VMULT=0 ~ 1V
乘法器的最大输出斜率
误差放大器
1.0
1.1
--
V/V
VCOMP=高钳位电压
Tamb=25°C
2.455
2.445
--
2.5
--
2.545
2.555
5
电压反馈输入阈值电压
VREF
V
9V< VCC <32V *
VCC = 9V~ 32V
VINV = 0 ~ 3V
开环
VREF线性调整率
输入偏置电流
电压增益
-
2
mV
μA
dB
MHz
mA
mA
V
IINV
--
--
-1
GV
60
80
1
--
增益带宽积
GB
--
--
COMP端源电流
COMP端陷电流
COMP端高钳位电压
COMP端低钳位电压
电流感应比较器
输入偏置电流
消隐时间
VCOMP=4V，VINV=2.4V
VCOMP=4V，VINV=2.6V
Isource=0.5mA
ICOMP
ICOMP
VCOMP
VCOMP
-2
-3.5
4.5
5.8
2.25
-5
2.5
5.6
2.1
--
6.0
2.4
Isink=0.5mA *
V
ICS
tLEB
VCS=0V
--
100
--
--
-1
300
--
μA
ns
ns
200
175
电流感应输出延迟
td(H-L)
V
COMP=Upper clamp
CS端钳位电压
VCS
1.0
1.08
1.16
V
VMULT=1.5V
VMULT=0V
--
--
--
25
5
--
--
--
失调电压
Voffset
Vpocp
mV
V
VMULT=2.5V
原边过流保护阈值电压
1.7
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参
零电流检测器
输入偏置电流
检测阈值电压
检测迟滞电压
数
符号
测 试条件
最小值 典型值 最大值
单位
IZCD
Vth(det)
HY(det)
VZCD
VZCD
Isrc
VZCD=1 ~ 4.5V
--
--
2
1.1
0.85
6.8
0
--
--
μA
V
VZCD 上升***
***
--
--
V
ZCD端高钳位电压
ZCD端低钳位电压
ZCD端源电流能力
ZCD端陷电流能力
重新启动定时器
启动时间延迟
过热保护
6.5
-0.3
-2.5
2.5
7.1
0.3
--
IZCD=2.5mA
IZCD=-2.5mA
V
V
--
mA
mA
Isnk
--
--
td(rst)
31
--
38
45
--
μs
°C
过热保护
TOTP
140
输出驱动
输出低电平电压
输出高电平电压
VOL
VOH
Isrcpk
Isnkpk
tf
Isink=100mA
Isource=5mA
--
--
0.6
15
--
1.2
--
V
V
-0.6
0.8
--
--
A
峰值驱动电流
--
--
A
下降时间
30
60
15
70
110
18
ns
ns
V
上升时间
tr
--
输出钳位电压
Isource=5mA；VCC=32V
12
Vclamp
AC输入欠压/过压保护
MULT端输入欠压保护阈值
MULT端输入欠压退出阈值
MULT端输入过压保护阈值
驱动输出关闭
驱动输出开启
VMULTUVP1
VMULTUVP2
VMULTOVP
--
--
--
0.95
1.05
4.50
--
--
--
V
V
V
* 所有参数都有测试温度系数
** 乘法器输出公式：
VCS = K× VMULT
×
(VCOMP − 2.5
)
*** 设计上确保这些参数
管脚排列图
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管脚描述
管脚号
管脚名称
INV
管脚描述
I/O
误差放大器的反相输入。
1
2
3
I
I/O
I
误差放大器的输出管脚，此管脚和INV脚之间连接一个反馈补偿网络。
COMP
MULT
乘法器的输入管脚。
PWM 比较器输入管脚，MOSFET 管电流经过一个电阻后，转变成电
4
CS
I
压提供给CS 脚。
零电流检测输入脚。
地。
5
6
7
8
ZCD
GND
GD
I
I/O
O
输出驱动管脚。
电源电压。
VCC
I/O
典型应用电路图
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SD7530 说明书
封装外形图
单位：mm
DIP-8-300-2.54
单位：mm
SOP-8-225-1.27
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MOS电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的
损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
声明：
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否
完整和最新。
•
•
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan 产品进行系
统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损
失情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
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士兰微电子推出应用于LED 照明的高功率因数控制器SD7530
杭州士兰微电子最近推出了应用于LED照明的高功率因
数反激式PWM控制器——SD7530。该芯片具有启动电流低（小
于5uA）和功率因素高（大于0.95）等优点，可广泛应用于
LED日光灯等LED照明产品，最大功率可以做到60W。
SD7530内部集成了高性能的模拟乘法器和零电流检查
器，分别用于进行功率因数校正和确保临界导通工作模式。
芯片也集成了带消隐电路的电流感应比较器和峰值电流为
-600mA和+800mA的输出驱动电路，非常适合于驱动大电流
的MOSFET。
此外，芯片内置了软启动电路，能够防止轻载启动时输
出电压过冲，降低MOSFET的电压应力，提高电路的可靠性。
芯片还设置了各种异常状态保护功能，例如短路保护功能、
电源过压保护功能、VCC欠压锁定功能、原边过流保护功能
和过热保护功能等。其中短路保护功能可以使芯片在发生输
出短路的异常情况下，能够获得极低的输出短路保护功耗，
避免损坏电路；而电源过压保护功能则可以确保芯片在发生
光耦短路或者开路的异常情况下，能够有效的保护系统避免
损坏。
SD7530芯片基于士兰微电子自主研发的BCD工艺制造，
具有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出的特点，
采用了SOP-8和DIP-8两种封装形式，便于客户根据实际应
用方案进行选择。
士兰微电子
SD7530
SD7530
反激PFC 控制电路应用指导
LED 驱动方案应用
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士兰微电子
SD7530
目
录
一、概述............................................................................................................................................4
1.1
1.2
芯片的主要特点：..........................................................................................................4
芯片的管脚描述.............................................................................................................4
二、DEMO 设计指导........................................................................................................................5
2.1
设计规格........................................................................................................................5
2.2
2.3
2.4
电路原理图.....................................................................................................................5
PCB Layout ...................................................................................................................6
元件清单........................................................................................................................6
2.5
2.6
2.7
DEMO照片.....................................................................................................................8
反激PFC电路的工作原理...............................................................................................8
变压器设计步骤.............................................................................................................9
2.7.1 磁芯的选择.............................................................................................................9
2.7.2 计算副边最大峰值电流.........................................................................................10
2.7.3 计算原边峰值电流................................................................................................10
2.7.4 计算初级电感量....................................................................................................10
2.7.5 计算初级匝数.......................................................................................................10
2.7.6 计算次级匝数.......................................................................................................11
2.7.7 计算原副边辅助供电绕组.....................................................................................11
2.7.8 根据实际选择的匝比，重新计算:..........................................................................11
2.7.9 变压器绕法...........................................................................................................12
2.7.10 变压器安规要求..................................................................................................12
2.7.11 DEMO的变压器详细规格：................................................................................13
电参数设计...................................................................................................................13
2.8.1 F1（保险丝）.......................................................................................................13
2.8.2 TR1（热敏电阻）.................................................................................................14
2.8.3 VR1（突波吸收器）.............................................................................................14
2.8
2.8.4
CY1（Y-CAP）..................................................................................................14
2.8.5 输入EMI滤波器.....................................................................................................14
2.8.6 DB1 整流桥..........................................................................................................14
2.8.7 C1 (输入滤波电容) ...............................................................................................14
2.8.8 D6 D12（辅助电源二极管）................................................................................14
2.8.9 R1、R2（启动电阻）...........................................................................................15
2.8.10 C16（VCC滤波电容）.......................................................................................15
2.8.11 R8（辅助电源电阻）..........................................................................................15
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士兰微电子
SD7530
2.8.12 C5、R13、D2（浪涌吸收回路）.......................................................................15
2.8.13 R4 R5 R6（线电压采样电阻）与Rs1—Rs5（原边电流采样电阻）...................15
2.8.14 R3(ZCD输入电阻)选择和短路保护的实现..........................................................16
2.8.15 C3(反馈电容)......................................................................................................16
2.8.16 U2（光耦合器）.................................................................................................16
2.8.17 R8 R23 (反馈增益电阻设计)...............................................................................17
2.8.18 输出过压控制.....................................................................................................17
2.8.19 输出恒流环控制..................................................................................................17
2.8.20 D7（输出整流二极管）......................................................................................17
2.8.21 R13、R14、C6（二次侧Snubber）..................................................................18
2.8.22 Co1—Co6 （输出滤波电容）............................................................................18
测试报告......................................................................................................................18
2.9.1 效率、PF和THD...................................................................................................18
2.9.2 开机延迟时间.......................................................................................................18
2.9.3 峰值电压波形.......................................................................................................19
2.9
三、设计问题点分析........................................................................................................................20
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
输出负载短路不保护的问题.........................................................................................20
PF值出现偏低..............................................................................................................20
效率偏低,通常原因以下几种: .......................................................................................20
电源启动时异常工作，可能原因为以下几种：.............................................................20
EMI的问题分析：.........................................................................................................20
PCB要求：..................................................................................................................21
四、SD7530+SD52528 两级方案 DEMO设计资料.........................................................................22
4.1
4.2
4.3
原理图..........................................................................................................................22
元件清件......................................................................................................................23
变压器设计规格（EC25 5+5 骨架）；..........................................................................24
4.3.1
原理图:.............................................................................................................24
绕制方法: .........................................................................................................24
电气特性: .........................................................................................................25
4.3.2
4.3.3
4.4
测试报告......................................................................................................................25
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SD7530
一、概述
SD7530 是一款有源功率因数校正控制电路，适合用于反激式高功率因数 LED 照明，该电路具
备一般的 PFC 控制电路的功能外，还加入各种保护功能，如：软启动、输出负载短路保护、原边过
流保护等，本电路含有零电流检测，且工作于临界导通模式。
电路内部集成了各种异常状态保护功能，包括欠压锁定、过压保护、脉冲前沿消隐、过流保护和
温度保护功能，当电路发生保护时，进入自动重启模式，直到系统正常工作为止。
1.1 芯片的主要特点：
*
*
极低的启动电流(5uA)
输出负载短路保护
软启动功能
*
*
较宽的Vcc供电滞环(9V)
临界导通模式
*
*
*
*
*
原边过流保护功能
高性能的模拟乘法器
Vcc电压过欠压保护
无音频噪声
1.2 芯片的管脚描述
管脚编号
管脚名称
管脚描述
误差放大器的反相输入
1
2
3
4
5
6
7
8
INV
COMP
MULT
CS
误差放大器的输出管脚，此管脚和INV脚之间连接一个反馈补偿网络
乘法器的输入管脚
电流采样输入端
零电流检测输入脚
地
ZCD
GND
GD
输出驱动管脚
电源电压
VCC
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SD7530
以下是我司选择 SD7530 作为典型 DEMO 的
设计指导全过程
二、DEMO 设计指导
2.1 设计规格
参
数
符号
最小值
典型值
最大值
单位
备注
输入
输入电压
VIN
f
90
47
--
264
64
Vac
HZ
2 Wire – no P.E
输入电压频率
输出
50
负载输出电压
负载输出电流
输出电流纹波
输出电压纹波
平均效率
Vout
Iout
--
--
--
36
1.5
0.6
2
--
--
--
--
--
--
2
V
A
20 MHz 带宽
20 MHz 带宽
输入230Vac
输入230Vac
--
A
--
--
V
--
--
90
--
%
--
功率因素
PF
Pin
0.97
--
负载短路平均功耗
--
W
2.2 电路原理图
Vin+
D7
Vo
F1
1
2
LED+
DB1
C6
R15
Lcom1
C1
C5
R19
R20
90V-265VAC
90V-265VAC
1
2
3
4
R13
C9
C8
R14
Co1 Co2 Co3 Co4 Co5 Co6
T1
D3
D2
RL1
LED-
C4
R12
SGND
Vin+
D12
VCC
Va
D6
Vbb
R1
R2
R18
ILim
C13
C16 C17
INV
R10
C3
U1
Vbb
R24
D4
R9
C11
C10
1
2
3
4
8
7
6
5
INV
Vcc
GD
Q1
SGND
COMP
MULT
CS
Va
GND
ZCD
R25
U3B
R7
6
5
ILim
Vref
R3
Vbb
R8
7
C2
R32
8
R6
C7
Vcs
R27 R26
U4
SGND
U2
Vcs
R21
RS5 RS4 RS3 RS2 RS1
VCC
D5
D9
R11
INV
Vo
Vbb
R23
R29
U3A
Vref
CY1
3
1
R30
2
SGND
C18
R31
SGND
单级54W 电路原理图
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2.3 PCB Layout
TOP 层
BOTTOM 层
2.4 元件清单
使用
序号
位置
使用
位置
品名规格
数量 序号
品名规格
数量
1
2
3
R1 R2
150K 1206 0.25W
2
2
1
28
29
30
C5
100pF 200V 1206 X7R
0.01uF 275Vac Film
0.1uF 275Vac Film
1
1
1
R10 R11 10K 0603 0.1W
C6
C8
R12
2K 0603 0.1W
22uF 50V Aluminium
100K 色环电阻 1/4W
4
R13
1
31
C9
Electrolytic
(5*10)
Capacitor
1
5
6
R14 R15 22R 1206 0.25W
2
1
32
33
C13 C16 100pF 200V 1206 X7R
2
1
R18
2R 1206 0.25W
C15
0.1uF X7R 0805
R22 R30
R38
2200pF
250VAC
Y
7
0R 0805 0.125W
3
34
CY1
1
Capacitor
Co1 Co2 470uF 50V Aluminium
8
R23
1.5K 0603 0.1W
1
35
Co3 Co4 Electrolytic
Co5 Co6 (10*16)
Capacitor
6
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使用
位置
使用
位置
序号
品名规格
数量 序号
品名规格
数量
C7 C12
C17 C18
DB1
9
R24
7.5K 0805 0.125W
1
36
Not used
4
GBU406 整流桥
10
11
R25
R26
10K +/-0.5% 0603 0.1W
1K +/-0.5% 0603 0.1W
1
1
37
38
1
1
跳线
D1
D2
D6 1A 1000V fast recovery
diode FR107
12
13
14
15
16
R27
R29
R3
30K +/-0.5% 0603 0.1W
68K 0805 0.125W
47K 1206 0.25W
4.7K 0805 0.125W
0R 0603 0.1W
1
1
1
1
1
39
40
41
42
43
3
1
3
1
4
D12
4A 200V rectifier diode
MUR420
D3
D4 D5
D9
1A 100V
1N4148
Fast diode
MUBR20200 20A 200V
SCHOTTKY
R31
R32
D7
Z1 Z2 Z3
D8
Not used
变压器 PQ2620
25mH 3A 共模电感
SD7530
17
18
19
20
21
R4 R5
R6
2M 1206 0.25W
39K 0805 0.125W
20K 0805 0.125W
8.2K 0805 0.125W
51R 1206 0.25W
2
1
1
1
1
44
45
46
47
48
T1
1
1
1
1
1
Lcom1
U1
R7
LM358 运放
R8
U3
光耦PC817A
R9
U2
RS1 RS2
22
23
RS3 RS4 1.5R 1206 0.25W
RS5
5
1
49
50
U4
Q2
TL431 SOT-23-3
1
1
0.15R 色环电阻 3W
跳线，漏极与源极
RL1
+/-1%
R28 R35
R16 R17
12A
650V
high
R19 R20
Not used
R21 R36
24
11
51
Q1
voltage
MOSFET
1
SVF12N65F
R37 R33
R34
25
26
C1
0.47uF 630V Film
1
1
52
53
Q3
F1
Not used
2A FUSE
1
1
C2
2.2nF 16V X7R 0805
C3 C4
C10 C11
27
1uF 16V X7R 0603
4
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2.5 DEMO 照片
正面
反面
2.6 反激PFC 电路的工作原理
一般的开关电源整流桥后的滤波电容平滑了输出电压，但输入电流却变成尖脉冲，造成功率因数
低和电流谐波畸变严重的原因。SD7530 是一款工作于临界导通模式，采用峰值电流控制的 PFC 控制
器，可以使输入电流波形完全跟踪输入交流电压的波形,从而提高功率因数和降低电流谐波畸变。
基本工作原理：
第一， 功率管导通时(Ton)，变压器原边电感电流按照固定斜率上升，副边二极管处在关断状态。
当电流峰值达到内部基准电压(为 AC 输入电压全波整流后的采样电压信号与电压环的
误差放大器输出信号的乘积)时，关断开关管。
第二， 功率管关断时(Toff)，原边绕组电流转移到副边绕组，副边功率二极管正向导通，并对输
出负载和输出电容提供能量。期间内，原边MOS 管一直处于判断状态并承受高压;输出
电压对变压器进行复位，副边绕组电流开始不断下降，当辅助绕组 ZCD 脚电压下降至
0.25V 时，产生一个功率管开通信号，一个周期结束进入到下一个Ton,并不断重复。
在一个正弦半波内频率是不断变化，而导通时间是固定不变的，具体的原理波形和一周期内
各点电压波形如下两图:
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原理波形
功率管漏端电压
功率管电流IQ
辅助绕组电压
Id
Toff
Ton
一个开关周期内各点电压波形
2.7 变压器设计步骤
变压器设计方法较为繁琐，计算出来的参数一般会存在偏差。另外，磁芯大小，原边电感，气隙
大小，原边线圈匝数的选择，以及在磁芯内直流成分和交流成分之间的相互影响等问题都要在设计中
应细致考虑。
2.7.1 磁芯的选择
设计的额定输出功率：Pout=36V×1.5A=54W，但是为了留有一定裕量，我们把输出电压放到38V，
这样：Pout＝38V×1.5A=57W。反激式变换器工作于电流断续模式下，其副边整流二极管的反向恢复
电流几乎为零，那么它作用在功率开关管上的电流尖峰将大大减小，所以原副边的损耗也将大大减小，
实际中转换效率可以提高。假设我们把效率设定为0.9。
Pin(set)=Pout/η=57W/0.9=63W
从变压器的磁性材料传递功率与尺寸的关系上可以得到反激式变换器工作在 60W 左右的可以选择
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PQ2620 磁芯。
2.7.2 计算副边最大峰值电流
副边最大峰值电流计算公式:
2 × IO
IPK _ S
=
1
Vin (min) × 2
fac
fac ×
dt
∫
0
Vin (min) × 2 + n ×VO
此处：
，fac 是输入AC 频率50HZ，根据选择的MOSFET 耐压， 取相应的
Vin (min) = 85(V )
匝比，这里选择650V，
，因此选择n=3；
VDS = 2 ×Vin(max) + n×VO +150
2 ×1.5
IPK _ S
=
= 11.1( A)
0.02
85 × 2
85 × 2 + 3× 36
50 ×
dt
∫
0
2.7.3 计算原边峰值电流
原边峰值电流计算公式：
IPK _ S
Ipk _ p =
n
原边峰值电流：
11.1
3
Ipk _ p =
= 3.7(A)
2.7.4 计算初级电感量
初级电感量最大值计算公式：
n×VO × 2 ×V
in(min)
Lp _ max
=
fmin × IPK _ P
×
2 ×Vin(min) +VO
(
)
其中：开关频率设置最低频率点
初级电感量最大值：
fmin = 40KHZ
85× 2 ×3×36
Lp _ max
=
= 0.56(mH)
40×103 ×3.7× 85× 2 + 36
(
)
2.7.5 计算初级匝数
恒导通时间计算公式:
Lp× IPK _ P
Ton =
Vin(min) × 2
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0.56×3.7×10−3
85× 2
Ton(max)
=
=17.2uS
2
，查PQ2620 的Ae 值为：
Ae − − − 磁芯面积
A =120(mm )
e
对于铁氧体材料的磁芯，在100°C 时的饱和磁通密度Bmax=0.3T
初级匝数：
V
in(min) × 2 ×Ton(max)
Np =
Np =
Bmax × A
e
85× 2 ×17.2
0.3×120
= 57
2.7.6 计算次级匝数
次级匝数计算公式：
Np 57
Ns =
=
=19
n
3
根据变压器的骨架及线径、效率情况，实际取Np=38TS Ns=12TS
2.7.7 计算原副边辅助供电绕组
辅助供电绕组的计算公式：
Vcc× Ns 20×12
取7TS
Na =
=
= 6.7
Vo
36
2.7.8 根据实际选择的匝比，重新计算:
原副边匝比: n=3.16
副边最大峰值电流：
IPK _ S = 10.3( A)
IPK _ P = 3.26( A)
原边最大峰值电流：
Bmax × A × Np
e
Ton(max)
=
=11.4(uS)
Vin(min) × 2
最大导通时间：
V
in(min) × 2 ×Ton(max)
LP =
= 0.42(mH)
IPK _ P
原边电感量：
实际应用中考虑各种情况，留点裕量，取Lp=0.38（mH）
L× Ipk _ p
0.38×3.26
38×120
×103 = 0.27(T)
再根据实际数据验证最大磁通密度Bmax：
Bmax
=
=
Np × A
e
最后结果Bmax<0.3T，基本符合设计要求。
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2.7.9 变压器绕法
开关电源中高频变压器性能的优劣不仅对电源效率有较大影响，而且直接关系到电源的其他技术
指标和电磁兼容性，变压器绕组的先后顺序、绕组的层数及紧密度会直接影响EMI 效果，但对于40W
以上，推荐采用夹层绕法，这里绕组顺序为（从里到外）
Np(初级绕组) → Sheilding(屏蔽绕组) → Ns(次级绕组) → Na_p(原边辅助绕组)
→ Np(初级绕组) → Na_s(副边辅助绕组)
辅助绕组以铺满整个骨架的绕线空间为宜，需平整密绕有序，尽量一层绕完，当传导干扰在频段
较高时，可以改变变压器的绕组的绕法来改善，初级绕组一般分为三层，以三层初级绕组为例，可将
连接到主开关管的集电极或漏极的那层绕组夹在另外两层中间，这样可使初级主绕组之间差模电流相
互抵消，有效的降低初级绕组的层间电容的干扰，屏蔽层的宽度以等于或稍大于初级主绕组的宽度为
宜，屏蔽层既可以用铜线也可以用铜皮，一般铜皮的屏蔽效果会比较明显，屏蔽层的首尾不应相连，
收尾部分应略超出起始点，约1.1 圈左右，边缘部分一定要有良好的绝缘，屏蔽层的引出线应从铜皮
的中间引出，根据不同的电源可接初级地或初级高压直流端，次级绕组一般为三重绝缘线，在满足电
流密度的条件下，尽可能选择一层即可绕完的线径。
一个高效率的高频变压器应符合直流损耗和交流损耗低、漏感小、绕组本身的分布电容及各绕组
之间的耦合电容小等条件。变压器应采用夹层绕法(俗称三明治绕法)以减少漏感。为防止高频变压器
的泄漏磁场对相邻电路造成干扰，可以把一铜片环绕在变压器外部构成屏蔽带并接地。该屏蔽带相当
于短路环，能对泄漏磁场起到抑制作用，有效降低输出纹波，杂散磁场会在铜皮屏蔽内产生相反的电
流，可以部分地抵消其影响，如有必要，铜皮屏蔽还可以连接到初级返回端，以降低静电耦合的干扰，
如果使用了铜皮屏蔽，必须注意初级引脚通过屏蔽带至次级引脚之间要保证足够的爬电距离。
2.7.10 变压器安规要求
对于普通的开关变压器的磁芯来说，如果都直接从变压器的引脚上出线是无法满足安规要求，通
常的解决变压器安规办法有以下几种：
1、采用次级出线部分延伸的骨架，例如：EE1615、EE1312 等，此类骨架目前在韩国应用较多，
国内也会越来越普及；
2、当 PCB 结构限制必须使用普通骨架时，次级的引线出线可以采用飞线的方式，且变压器次级
的所有脚都必须拔除；
注：变压器的引脚如果没有套上绝缘套管，那么在引脚处的隔离距离可能也仅为胶纸加挡墙的厚度，所以
变压器的引脚需要套上绝缘套管且套管要穿过挡墙。
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3、当PCB结构限制必须使用普通骨架时，在变压器的初级与次级的两端增加3mm 档墙。
2.7.11 DEMO 的变压器详细规格：
⑴ 原理图与实际骨架
⑵ 绕制方法
线材
Φ0.4mm
起绕点
9Pin
11Pin
A
终点
悬空
－
圈数
19TS
35TS
12TS
7TS
备注
密绕
密绕
密绕
密绕
密绕
密绕
第一层：初级层（Np）
第二层：屏蔽层（S1）
Φ0.15mm*2
TEX-EΦ0.5mm*2
Φ0.25mm*3
Φ0.4mm
第三层：次级层（Ns）
B
第四层：原边VCC 层（Na_p）
第五层：初级层（Np）
第六层：副边VCC 层（Na_s）
11Pin
悬空
C
10Pin
7Pin
D
19TS
7TS
TEX-EΦ0.25mm*2
A、B、C、D 变压器飞线、初级绕组第一层结束时不挂在任何引脚，要留足够长的线绕第五层。
⑶ 电气特性
描述
条件
参数
Np 电感量
在1Vac & 10kHz 的条件测试7 与9 脚之间的电感量
短路A 与B 脚测试7 与9 脚之间的电感量
0.38mH±10%
15uH max
Np 漏感
2.8 电参数设计
2.8.1 F1（保险丝）
由变压器计算得到 Iin 值（0.53A），可知使用公司共用料 2A/250V，设计时应须考虑 Pin(max)
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时的Iin 是否会超过保险丝的额定值。
2.8.2 TR1（热敏电阻）
电源启动的瞬间，由于C1/C2（一次侧滤波电容）短路，导致Iin 电流很大，虽然时间很短暂，
但也可能对电源产生伤害，所以必须在滤波之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin 在SPEC 之
内（115V/30A，230V/60A），但因热敏电阻也会消耗功率，所以不可放太大的阻值（否则会影响效率），
一般使用SCK053（3A/5Ω），若C1/C2 电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大（一
般使用在大瓦数的电源上）。
2.8.3 VR1（突波吸收器）
当雷击发生时，可能会损坏零件，进而影响电源的正常动作，所以，必须在靠近AC 输入端（Fuse
之后），加上突波吸收器保护电源（一般常07D471K），便若有价格上的考量，可以先忽略不裝。
2.8.4
CY1（Y-CAP）
Y-CAP 一般可分为Y1 和Y2 电容，若AC Input 有FG（3 Pin）一般使用Y2-CAP，AC Input
若为2 Pin(只有L、N)一般使用Y1-CAP，Y1 与Y2 的差异，除了价格外（Y1 较贵），绝缘等级及
耐压也不同（Y1 称为双重绝缘，绝缘耐压为Y2 的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1），
此电路因为有FG，所以使用Y2-CAP，Y-CAP 会影响EMI 特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电
及价格问题，漏电（Leakage Current）必须符合安规须求（3Pin 公司标准为750uA max）。
2.8.5 输入EMI 滤波器
抑制电磁干扰常用的方法是屏蔽、接地和滤波，滤波是抑制干扰的一种很好的方法，而SD7530
的控制方式会出现开关频率在一个正弦半波内出现几十 KHZ 的变化，不同的输入电压下开关频率也
会不同，相对而言EMI 会更加难以抑制，所以EMI 滤波电路是必要的。
2.8.6 DB1 整流桥
整流桥将AC 输入电压全波整流为正弦半波，选择整流桥主要考虑最大的正向平均电流和耐压，
而整流桥的平均最大电流前面已经计算出Iin(max),这里选择使用4A 的GBU406。
2.8.7 C1 (输入滤波电容)
输入电压为高频滤波电容，主要减小高频纹波，所选择的电容值比较小，根据输出的功率可做适
当的调整，如果太大，会出现整机PF 会偏低，可以根据以下公式进行估算：
2LpP 2
O
C ≥
in
3
2η2ΔV
V
in_min in_min
其中：ΔVin_min是输入电容上纹波电压，Lp是原边电感量。
2.8.8 D6 D12（辅助电源二极管）
原边辅助供电与副边辅助供电原理是一样，首先应考虑二极管的耐压，辅助电流的整流二极管一
般常用FR107，对于正常工作频率如果高于100KHZ 以上，由于IN4007 的反向恢复时间比较长，如
果用IN4007 可能会造成整机效率有所下降。
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SD7530
2.8.9 R1、R2（启动电阻）
主要是用于提供 IC 的 VCC 启动电压，SD7530 的启动电源为 5uA，启动电压最小 17.5V，在
Vin 为 85V 时，启动电阻则为：R=Vin(min)-17.5/5*10^-6,电阻上的功率，假如全部加在电阻上，
P=264^2/(R3+R4)，根据此情况，可以适当选择电阻的阻值及功率。
2.8.10 C16（VCC 滤波电容）
辅助电源的滤波电容，提供PWM IC 较稳定的直流电压，对于LED 驱动电源设计一般输出电压
都比较高，而输出电压建立比较缓慢时，使得VCC 的供电建立也会相对缓慢，VCC 电容要有足够的
能量来维持IC 的正常工作，推荐使用大于22uF/50V 电解电容。
2.8.11 R8（辅助电源电阻）
主要用于调整 PWM IC 的 VCC 电压，以目前使用的 SD7530 而言，设计时 VCC 必须大于 9V
（min.load）而小于32V，VCC 电压不可以设计的太高，否则高压带载连续开关机会触发过压保护，
如果设计太低容易造成开机比较困难，一般设计在20V 左右。
2.8.12 C5、R13、D2（浪涌吸收回路）
当Q1 off 瞬间会有Spike 产生，调整Snubber 可以确保Spike 不会超过MOS 的耐压值；调整
Snubber 可改善EMI，一般而言，D2 使用IN4007（1A/1000V）EMI 特性较好，R13 使用1/4W 电
阻，C3 的耐压值以两端实际压差为准（一般使用耐压为600V 的陶瓷电容）。
2.8.13 R4 R5 R6（线电压采样电阻）与Rs1—Rs5（原边电流采样电阻）
通过R4 R5 R6 三个电阻取得电压后，送入到乘法器的输入端，然后与输出电压反馈的误差放大
信号相乘，得到乘法器的输出电压（ MULT _ O ），此电压就做为原边峰值电流的基准，同时SD7530
V
也通过乘法器采样信号去判断AC 输入是否进入的欠压和过压状态，下面推荐使用乘法器的设计方法。
第一；先设置AC 启动电压Vin(on)
Von R4 + R5+ R6
V
=
×
in(on)
R6
2
此处Von=1.05V 是内部基准电压，而可以先确定R4、R5 可以先定一个比较大的电阻2M，开启
电压Vin(on)=80V，则有：
Von×(R4 + R5)
2 ×Vin(on) −Von
1.05×(2 + 2)
2 ×80 −1.05
R6 =
=
= 37.4(KΩ)
本电路选择使用电阻值为39K，重新计算Vin(on)=77V
第二；计算AC 欠压点Vin(uv)
Vuv R4 + R5+ R6
Vin(uv)
=
×
R6
0.95 4000 +39
2
V
=
×
= 70(V)
in(uv)
39
2
第三；计算AC 输入过压保护点Vin(ov)
Vov R4 + R5+ R6
Vin(ov)
=
×
R6
2
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SD7530
4.5 4000 + 39
Vin(ov)
=
×
= 329(V )
39
2
其中：Vin(on)=1.05V 是开启电压门槛，Vin(uv)=0.95V 是关断电压门槛，Vin(ov)=4.5V 是过压
门槛。
原边电流采样电阻的设计主要影响整机的输出最大功率，同时在设计时要考虑电阻的能承受功耗
问题，由于乘法器的输入电阻已经基本确定，可以通过下面关系式得到：
VMULT _ O
Rsense ≤
Iin(max)
R6
39
VMULT = Vin × 2 ×
= 85× 2 ×
= 1.16(V )
R4 + R5 + R6
4039
VMULT _ O = Vmult × K × Vcomp − 2.5 = 1.16 × 0.38×1.5 = 0.66(V )
(
)
其中VMULT _O ，是乘法器的输出；K 是乘法器的增益0.38；Vcomp 是COMP 端最高电压为4V。
0.66
Rsense ≤
= 0.28(Ω)
2.34
2.8.14 R3(ZCD 输入电阻)选择和短路保护的实现
R3 的主要作用是检测电感电流是否到零和输出负载是否短路，如果 R3 电阻选择太大，短路保
护功能会失效。ZCD 内部有正、负压箝位电路，辅助绕组上的负压最大的状态是输入电压高压情况
下，ZCD 内部通过负压箝位将ZCD 端箝位到0V 左右,基本上可以通过以下公式计算出范围：
Vin(max) × 2 × Na _ p
R3 >
Np × Izcd (max)
其中，Izcd(max)是ZCD 端最大箝位电流3mA。
265× 2 × 7
R3 >
= 23(K Ω)
38× 3×10−3
在设计输出短路保护时，要考虑副边输出绕组与辅助绕组的耦合问题，如果耦合越好，漏感能量
越少，在辅助绕组上的电压不会出现很大的干扰尖峰，从而使系统更好的实现短路保护。实际应用中，
还会有其它因素引起 Vzcd 电压比计算值偏高，可以适当在 ZCD 端加入下分压电阻；短路保护设计
可根据如下公式：
VS ×Na
NS
Vzcd =
< 2.5
其中，Vs 为短路时副边输出绕组端电压，Na 为辅助绕组匝数，Ns 为副边绕组匝数。
实际选择电阻为47K，同时推荐预留ZCD 端一个下拉电阻位置，可以更好地实现短路保护。
2.8.15 C3(反馈电容)
要获得高 PF 就要输入电流与输入电压的相位的不发生变化和波形不发生畸变如果闭环速度变
快，出现的结果就是输入电流波形发生变化，导致 PF 会变低，所以 PFC 电路要将闭环控制响应做
慢的原因；此电容越小，响应速度越快，PF 会相对低一点，一般推荐值为1UF 的陶瓷电容。
2.8.16 U2（光耦合器）
光耦合器是以光为媒介来传输电信号的器件，将二次侧的信号转换到一次侧，要选用线性光耦，
而 CTR 值要能够在一定范围内做线性调整，在开开关电源中使用光耦主要为实现输入与输出实现隔
离反馈，同时也为了符合安规需用（初级对次级的距离至少需要5.6mm 以上）。
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2.8.17 R8 R23 (反馈增益电阻设计)
系统闭环设计，首先考虑原边光耦的电流Ic, 考虑到光耦的CTR 随着寿命会变小，Ic 电流选择
要适当，可以考虑设计在1.5mA 左右，
2.5
Ic =
R23
R23 就可以通过上式求出，这里选择1.5KΩ，从而R8 的选择可以通过以下公式。
2.5 Vbb − VF − Vea
<
× CTRmin
R23
R8
20 −1.4 −1
R8 <
×1.5× 0.8 = 8.5(kΩ)
2.5
其中：Vbb 是副边辅助源电压20V，Vf 是光耦输入的正向电压1.4 左右，Vea 是运放的最低输出
电压，一般运放最低输出电压可能到不了零伏，可以选择1V 左右，CTRmin 是光耦CTR 的最小值，
不同型号范围有可能不一样，可以查相应规格书；要考虑留点裕量，这里选择R8 选择在8.2KΩ。
2.8.18 输出过压控制
对于 LED 驱动电源，要设计输出过压保护功能，通过一个比较器，将输出电压通过 R29，R31
两个电阻分压后到比较器的反相输入端，当输出电压超过设定值时，比较器输出变低，实现INV 端实
现关闭PWM。
2.8.19 输出恒流环控制
对于输出恒流环的设计，原理是通过采样电阻取得输出的电流后，通过误差放大器将误差信号放
大，再通过光耦将信号送回原边，实现恒流闭环控制；具体参数配置：
第一， 选择运算放大器U3，这里选用比较常用的LM358；
第二， 采样电阻RL1 的选取，主要考虑首先，采样电压即误差放大器的基准电压不能太低
也不能太高，太高需要采样电阻损耗太大， 太低误差放大器容易工作不正常，这里
0.225V
基准电压放到 225mV，则电阻值
；其次，要考虑采样电阻
R =
= 0.15Ω
1.5A
2
的功耗及封装问题，采样电阻功耗
，考虑到各种情况可以
P = I ∗ R = 0.3375W
将电阻型号用大一点，这里选用3W 色环电阻；
第三， 在输出采样电阻并一个大的二极管主要考虑输出负载短路时，减小采样电阻的应力
而增加的，但不考虑用肖特基二极管，主要原因在于正向电压太小，会影响输出恒
流值；
第四， 补尝电容C10 C11 的选择，为了获得更好的PF 值，闭环带宽要小于100HZ 所以
电容可以选择大一点，这里采用两个1UF 的电容；
第五， 采样电压也可以加入一个低频RC 滤波电路。
2.8.20 D7（输出整流二极管）
第一，应考虑的耐压问题，其最高耐压应满足：VR=(Vds/Np)*Ns+Vout，加上尖峰，需要在此基
础上乘以1.3 或1.5 倍；第二，需要考虑输出电流，二极管的额定电流应大于实际输出电流；第三，
应考虑整机效率及二极管功耗问题，选用合适正常压降及反向恢复时间，一般选用肖特基二极管或快
恢复二极管。
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2.8.21 R13、R14、C6（二次侧Snubber）
D7 在截止的瞬间会有Spike 产生，若Spike 超过二极管（D7）的耐压值，二极管会有被击穿的
危险，调整Snubber 可适当的减少Spike 的电压值，除保护二极管外也可以改善EMI，R9 一般使用
1/4W 的电阻，C10 一般使用耐压500V 的陶质电容，Snubber 调整的过程（264V/63HZ）需要注意
R9、C15 是否有过热，应避免此种情况发生。
2.8.22 Co1—Co6 （输出滤波电容）
反激 PFC 输出滤波电容上的电压纹波为两倍工频的低频电压信号，输出电容也会影响到系统的
PF 值，输出电容与输出电容上的纹波电压满足以下公式：
IO
1.5
CO =
=
= 2388(μF)
2πfac ΔVO 2×3.14×50×2
2.9 测试报告
2.9.1 效率、PF 和THD
Vin
90
Vo
36
36
36
36
36
36
Io
EFF
PF
THD
9.4%
9.5%
10%
1.4938
1.4942
1.4942
1.4943
1.4944
1.4946
87.7%
89.2%
89.9%
90.6%
90.7%
90.6%
0.992
0.993
0.993
0.990
0.984
0.974
115
135
190
230
264
11.2%
12.6%
15%
2.9.2 开机延迟时间
通道1：输入电压 通道2：输出电压
90V 输入 Delay time=1.1S
通道1：输入电压 通道2：输出电压
115V 输入 Delay time=0.9S
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通道1：输入电压 通道2：输出电压
230V 输入 Delay time=420mS
通道1：输入电压 通道2：输出电压
264V 输入 Delay time=380mS
2.9.3 峰值电压波形
90V 输入，重负载时Switching
264V 输入，重负载时Switching
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SD7530
三、设计问题点分析
3.1 输出负载短路不保护的问题
1） 原边绕组、辅助绕组与输出绕组的漏感是不是太大，主要原因是如果辅助绕组与输出绕组漏
感太大，在负载短路时，会出现更大的噪声，造成 IC 内部短路保护判定失效；所以要在调
整变压器绕法；推荐变压器漏感小于10uH，辅助绕组与输出绕组靠近；
2） 零电流检测电阻即ZCD 端输入电阻太大，适当减小电阻或者可以在ZCD 端对地加入一个大
电阻，都会有利于输出负载短路实现正常保护；
3.2 PF 值出现偏低
1） 闭环反馈响应速度是否太快，即INV 与COMP 端之间的积分电容太小；
2） 输入电容是否设计合理，输入电容不应太大， 如果太大，在输入高压时PF 基本会偏低；
3） 检查乘法器对地电容是否太大；
4） 变压器有饱和现象，导致采样电流有异常现象影响PF 的调节；
3.3 效率偏低,通常原因以下几种:
1） 输出滤波电容的 ESR 偏大，输出电容的 ESR 偏大，会导致输出损耗过大，导致整机输出
效率降低;
2） 变压器的设计不合理;
3） 输入EMI 滤波器包括共模电感、差模电感的线径太细；
4） 功率开关管和功率二极管选择不合理，也会导致效率偏低；
3.4 电源启动时异常工作，可能原因为以下几种：
1） 判断VCC 电压是否一直在不断重启现象，原因是VCC 建立的速度太慢，应适当加大VCC
的滤波电容或提高辅助绕组电压；
2） 通过计算判断先断
¾
¾
¾
进入VCC 过压保护状态，电路的VCC 保护电压为34V 左右，当VCC 大于34V 时，
电源会进入打嗝模式，自动重启，需要降低VCC 工作电压；
输出端出现短路等原因，当次级出现异常状态时，电源会进入保护状态，直接故障消
除，因此，需要检查输出端是否有不良短路等情况；
变压器的极性错误，根据反激电源的工作原理，初级导通时，次级关断，辅助绕组的
供电也关断，因此，初级与次级及辅助绕组的极性是相反，次级绕组与辅助绕组的极
性是相同。
3.5 EMI 的问题分析：
在开关电源中主要存在的干扰形式是传导干扰和近场辐射干扰，传导干扰还会注入电网，干扰接
入电网的其他设备。减少传导干扰的方法有：合理铺设地线，采取星型铺地，避免环形地线，尽可能
减少公共阻抗；设计合理的缓冲电路；减少电路杂散电容等。除此之外，EMI 可以利用调整变压器的
绕制方法，如何加屏蔽等来实现声干扰。
¾
¾
¾
变压器的绕线顺序是否正常，每个绕组层数是否合理且是否紧密；
初级与次级是否增加屏蔽层，屏蔽层是否密绕且均匀布满整个骨架窗口；
PCB 的地线是否合理，大信号电流与小信号电流尽量分开；
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¾
可以利用EMI 元件在输入回路及输出回路进入调整，例如：调整输入EMI 电感大小、
在变压器两端RCD 回路中的二极管串联磁珠、输出二极管上增加RC 吸收回路等。
3.6 PCB 要求：
在连接芯片U1、输入电容C2、高频变压器初级绕组的引线上有高频开关电流通过容易引起共模
电磁干扰，因此上述引线应尽量短,以使印制板尺寸与环路面积最小。漏极箝位保护电路的C3、R2/ R3/
R4、D5 与变压器初级绕组的引线要尽量短。接于高频变压器次级绕组的输出二极管和输出滤波电容
器的回路面积应最小。此外在二极管阳极、阴极端的铜箔面积应足够大，以承受较大的电流与利于散
热。光耦的引脚和源极脚走线应尽量短，可使噪声耦合最小；采样电阻到芯片的CS 端线尽量短，减
小开关噪声防止IC 的误动作。
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SD7530
四、SD7530+SD52527 两级方案 DEMO 设计资料
4.1 原理图
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SD7530
4.2 元件清件
使用
位置
使用
位置
序号
品名规格
150K 1206 0.25W
51K 0805 0.125W
2M 1206 0.25W
39K 0805 0.125W
数量
序号
29
品名规格
1μF X7R 0805
数量
1
2
3
4
R1 R19
2
1
2
1
C6
1
1
1
1
100pF
X7R 1206
30
R2
C7
C8
C9
500V
31
R3 R18
R4
1.0 nF 1kV Film
2.2nF
250VAC
Y
32
Capacitor
R5
470μF 50V Aluminium
Electrolytic Capacitor
(10*16)
5
33
R36
R37
51R 1206 0.25W
3
C10
1
100pF
100V
X7R 1206
6
34
R6
20K 0805 0.125W
1
C11
1
7
8
35
36
R7 R25
R8 R9
0R 0603 0.1W
2
2
C12
C14
CX1
CX2
CS1
C17
CS2
DB1
D1 D2
D4
0.1μF
X7R 0603
4
1
22R 1206 0.25W
100pF 1206 1kV
0.1μF 275Vac Film
0.1μF 50V X7R 0805
Not used
9
37
38
39
40
41
R10
R11
R12
R13
R14
120K 0805 0.125W
8.2K 0805 0.125W
13K 0805 0.125W
1K 0603 0.1W
1
1
1
1
1
2
1
2
1
3
10
11
12
13
DF06S 整流桥
1A
1000V
fast
1K 0805 0.125W
recovery diode FR107
4A 400V
rectifier
14
15
16
17
R16 R17 10K 0603 0.1W
2
1
1
1
42
43
44
45
D3
D5
D6
T1
1
1
1
1
diode MUR440
1A 100V Fast diode
1N4148
100K 色环电阻 1/4W
R20
R21
R22
0.51R
0.25W
0.3R
+/-%
1206
SB3100
3A
100V
SCHOTTKY
Transformer,
EC2510
+/-% 1206
0.25W
18
19
20
1mH 0.5A 工字型电感
100μH 2A 工字型电感
30mH 0.5A 共模电感
R23
R24
R26
20R +/-1% 1206 0.25W
2K 0603 0.1W
1
1
1
46
47
48
Ld1 Ld2
L3
2
1
1
5.1R 1206 0.25W
Lcom2
Lcom1
Lcom3
21
330μH 2A 共模电感
R30 R31 15K 1206 0.25W
2
49
2
RS1
22
50
U1
RS2
RS3
1.5R 0805 0.125W
3
SD7530
1
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SD7530
使用
使用
位置
序号
品名规格
数量
序号
品名规格
数量
位置
R15R27
R28R29
R32 R33
J1 J2
23
51
Not used
8
U2
SD42527
1
4.7μF/50V Aluminium
24
25
26
Co
52
53
54
Electrolytic
(5*10)
Capacitor
1
1
2
U3
U4
Q1
Opto-coupler PC817
TL431 SOT-23-3
1
1
1
C1
0.1μF 630V
22μF/50V
Electrolytic
(5*10)
Film
Aluminium
Capacitor
7A
650V
high
C2 C3
voltage
SVF7N65F
MOSFET
55
56
27
28
C4
1000pF X7R 0805
1
2
MOV
F1
VARISTOR 07D471
2A FUSE
1
1
C5 C13
1μF X7R 0603
4.3 变压器设计规格（EC25 5+5 骨架）；
4.3.1 原理图:
4.3.2 绕制方法:
线材
起绕点
5Pin
1Pin
5Pin
A
终点
圈数
17TS
29TS
17TS
B
备注
第一层：屏蔽层（S1）
第二层：初级层(Np)
接高压地
密绕
Φ0.11mm*2
￠0.25mm*1
￠0.11mm*2
-
2Pin
17T
20T
-
第三层：屏蔽层（S2）
第四层：次级层（W4）
第五层：屏蔽层（S3）
第六层：初级层（Np）
第七层：VCC 层（Na）
接高压地
密绕
TEX-EΦ0.35mm*1
core(0.05*6mm)
￠0.25mm*1
接高压地
密绕
5Pin
2Pin
5Pin
17TS
27TS
10TS
3Pin
4Pin
密绕
Φ0.21mm
深圳市流明芯半导体照明科技有限公司
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