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M5576
高性½电流模式
PWM
控制器
概述:
M5576
是一款高集成度、高性½、电流模式
PWM
控制芯片,离线式
交流 - 直流
反激拓扑结构,具备½待机
功耗和½成本优点。
正常工½下,
PWM
开关频率处于合理的范围内,
IC
“跳
特点:
应力
■跳周期模式控制的改进,提高效率降½待机功耗
■抖频功½,改善系统
■消除音频噪声
■65KHz
的开关频率
■完善的保护功½
VDD电源电流
逐周的过流阈值设½,恒定输出功率
自动恢复式过½½保护(OLP)
应:
■笔记本适配器
■机顶盒电源
■各种开放式开关电源
■ 采用
SOT-23-6
DIP-8
封装
产品规格分类:
产品名称
开关频率
65KHz
封装½式
SOT-23-6
丝印打字
包装½式
编带
3K/盘
管装
50
个/管
65KHz
DIP-8
2000
个/盒
M5576_V1.0
1
M5576
高性½电流模式
PWM
控制器
典型应用:
应用图
SOT-23-6
应用图
DIP-8
管脚排列图:
M5576_V1.0
2
M5576
高性½电流模式
PWM
控制器
M5576PR
M5576SR
3
DIP-8(顶部视图)
4
SOT-23-6(顶部视图)
管脚描述:
管脚号
管脚名称
SOT-23-6
6
5
DIP-8
1
2
3、6
4
3
2
1
4
5
7
8
DRV
VDD
NC
SEN
RT
COMP
GND
输出
PWM
信号驱动外部功率
MOSFET
芯片供电
悬空
电流检测
多功½引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温
OTP
制功½,也可通过½纳管接到
VDD
调节过压保护
管脚描述
芯片内部电路的环路补偿
接地
芯片½用时极限参数:
参数值
项目
最小值
最大值
单½
M5576_V1.0
3
M5576
高性½电流模式
PWM
控制器
VDD
直流供电电压
VDD
½纳钳½电压
VDD
直流钳½电流
COMP
输入电压
SEN
输入电压
OTP
输入电压
最小/最大工½结温
最小/最大贮存温度
-0.3
-0.3
-0.3
-20
-55
30
10
VDD_Clamp+0.1
7
7
7
150
165
260
V
V
mA
V
V
V
注:如果器件工½条件超出上述各项极限值,可½对器件造成永久性损坏。上述参数是工½条件
的极限值,不建议器件工½在推荐条件以外的情况。器件长时间工½在极限工½条件下,其可靠性及
最高温度(焊接,10 秒)
寿½可½受到½响。
芯片内部框图:
5 M5576
内部框图
M5576_V1.0
4
M5576
高性½电流模式
PWM
控制器
电气参数
(Ta=25
o
C):
项目
电源电压(VDD)的
我_Startup
I_VDD_Ops
VDD_OFF
VDD_ON
Vpull_up
vdd_clamp
OVP (ON)的
过压保护电压
VDD
启动电流
工½电流
欠压锁存开启
欠压锁存结束(恢复)
上拉
PMOS
启动
IVDD=10mA
SEN=0.3V,COMP=3V,
VDD
升高直到
DRV
钟关闭
30
26
VDD=UVLO(OFF)-1V,
测试
参数
测试条件
最小
最大
单½
5
1.4
8
14.5
9
15.5
13
32
28
20
2.5
10
16.5
uA
mA
V
V
V
VCOMP=3V
34
30
V
V
针)
最大占空比
Vref_green
Vref_burst_H
Vref_burst_L
VTH_PL
TD_PL
VCOMP
开环电压
VSEN=0.3V
进入绿色模式的阈值
进入跳周期模式的阈值
离开跳周期模式的阈值
COMP
引脚短路电流
过½½时的
COMP
电压
过½½延迟时间
输入阻抗
80
测量
COMP
短路到地的
电流
4
75
5
80
1.4
0.68
0.58
0.4
3.6
88
16
96
85
V
%
V
V
V
mA
V
mS
针)
SST
T_blanking
T
D
?? OC
Vth_oc
Vocp_clamping
½启动时间
前沿消隐时间
过½½延迟时间
内部电流限制阈值电压与
零占空比
SEN
电压嵌½
从过流产生到
DRV
引脚
关闭
4
220
120
0.75
0.9
ms
ns
ns
V
V
M5576_V1.0
5
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