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WNM2021
WNM2021
N沟道, 20V , 0.89A ,小信号MOSFET
V
DS
(V)
20
RDS(ON) ( Ω )
0.220@ V
GS
=4.5V
0.260@ V
GS
=2.5V
0.320@ V
GS
=1.8V
I
D
(A)
0.55
0.45
0.35
SOT-323
HTTP // : www.willsemi.com
说明
该WNM2021是N沟道增强MOS
效果
晶体管。
用途
先进
TRENCH
(上)
D
3
技术和设计,提供优秀的研发
DS
低栅极电荷。此装置适用于在使用中
的DC-DC转换,负载开关和电平移位。
标准产品WNM2021是无铅的。
1
G
2
S
引脚配置(顶视图)
特点
沟槽技术
吃晚饭的高密度电池设计
出色的导通电阻
非常低阈值电压
小型封装SOT- 323
*
1
3
21*
2
21 =器件代码
=月( A〜Z )
记号
应用
设备
订购信息
SOT-323
航运
3000/Reel&Tape
的DC-DC转换器电路
小信号开关
负荷开关
电平转换
WNM2021-3/TR
威尔半导体有限公司
1
十二月,2010 - Rev.1.0
WNM2021
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
最大功率耗散
a
连续漏电流
b
最大功率耗散
b
漏电流脉冲
c
工作结温
焊接温度
存储温度范围
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
T
L
T
英镑
0.89
0.71
0.37
0.23
0.78
0.62
0.29
0.18
1.4
150
260
-55到150
10 S
稳定状态
20
±6
0.82
0.65
0.31
0.20
0.70
0.56
0.23
0.14
单位
V
A
W
A
W
A
°C
°C
°C
热电阻额定值
参数
结至环境热阻
a
结至环境热阻
b
结到外壳热阻
t
10 s
稳定状态
t
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
典型
275
325
375
445
260
最大
335
395
430
535
300
单位
° C / W
a
b
c
d
表面安装在FR4板采用1平方英寸的焊盘尺寸, 1盎司镀铜
表面安装在FR4板采用最小焊盘尺寸, 1盎司镀铜
重复性等级,脉冲宽度有限的结温,叔
p
=为10μs ,占空比= 1 %
重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J
=150°C.
威尔半导体有限公司
2
十二月,2010 - Rev.1.0
WNM2021
电子特性
(Ta=25
o
C,除非另有说明)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250uA
VGS = 4.5V ,ID = 0.55A
VGS = 2.5V ,ID = 0.45A
VGS = 1.8V , ID = 0.35A
正向跨导
g
FS
VDS = 5 V , ID = 0.55A
0.45
0.58
0.85
V
mΩ
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,I
D
= 250uA
V
DS
=16 V, V
GS
= 0V
V
DS
= 0 V, V
GS
=±5V
20
100
5
V
nA
uA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
220
260
320
2.0
260
310
380
S
收费,电容和​​栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体二极管的特性
正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V,I
S
= 0.35A
0.5
0.7
1.1
V
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10V,
R
L
=3
Ω,
R
G
=6
22
80
700
380
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 0.55A
V
GS
= 0 V , F = 1.0兆赫,V
DS
=
10 V
50
13
8
1.15
0.06
0.15
0.23
nC
pF
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3
十二月,2010 - Rev.1.0
WNM2021
典型特征
(Ta=25
o
C,除非另有说明)
4
IDS漏极 - 源极电流(A )
2.0
I
DS
- 漏极至源极电流(A )
VGS = 2.5V 〜 5.0V
V
DS
=5V
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0.0
3
VGS=2.0V
T = -50℃
T = 25℃
T = 125℃
o
o
o
2
VGS=1.5V
1
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VDS漏 - 源极电压( V)
VGS栅 - 源极电压(v )
输出特性
400
350
300
250
200
150
100
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=1.8V
传输特性
1600
RDS ( ON) - 导通电阻(M
Ω
)
2.0
RDS ( ON) - 导通电阻(M
Ω
)
1200
800
400
0.4
0.8
1.2
1.6
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
IDS漏极 - 源极电流(A )
VGS栅 - 源极电压(v )
导通电阻与漏电流
320
R
DS ( ON)
- 导通电阻(M
Ω
)
280
240
200
160
120
-50
导通电阻与栅极至源极电压
0.8
V
GS ( TH)
栅极阈值电压( V)
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
-50
I
D
=250uA
VGS = 4.5V ,ID = 0.55A
-25
0
25
50
75 100 125 150
o
温度(℃)
-25
0
25
50
75 100 125 150
o
温度(℃)
导通电阻与结温
阈值电压与温度的关系
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4
十二月,2010 - Rev.1.0
WNM2021
60
50
Ç - 电容(pF )
40
30
20
10
0
西塞
科斯
CRSS
V
GS
=0V
F=1MHz
0.8
I
SD
- 源漏电流(A )
0.6
0.4
T = 150℃
o
T = 25℃
o
0.2
0
2
4
6
8
10
0.1
0.2
V
DS
漏极至源极电压( V)
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
0.9
电容
体二极管正向电压
10
I
D
- 漏电流( A)
1
10毫秒
100毫秒
0.1
有限
by
R
DS ( ON)
1s
10 s
0.01
T
A
= 25 °C
单脉冲
DC
0.001
0.1
1
10
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
100
安全工作电源
2
1
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 325 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
WAVE
脉冲持续时间( S)
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
10
100
600
瞬态热响应(结到环境)
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5
十二月,2010 - Rev.1.0
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