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CAT1320PI-30TE13  CAT1320YI-30TDFN  CAT1320ZD2I-45TSSOP  CAT1022PI-45TE13  CAT1320RD2I-30SOIC  CAT1320ZD2I-42TSSOP  CAT1320RD2I-42TSSOP  CAT1320YI-42TDFN  CAT1320PI-42TE13  CAT1026PI-45TE13  
EM636327R-10 512K ×32高速同步图形DRAM ( SGRAM ) (512K x 32 High Speed Synchronous Graphics DRAM(SGRAM))
.型号:   EM636327R-10
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描述: 512K ×32高速同步图形DRAM ( SGRAM )
512K x 32 High Speed Synchronous Graphics DRAM(SGRAM)
文件大小 :   1387 K    
页数 : 78 页
Logo:   
品牌   ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
EtronTech
特点
从时钟的快速存取时间: 10/10 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
快速时钟速率: 183/166/143/125/100 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
双内置银行( 256K ×32位× 2行)
可编程模式和特殊模式寄存器
- CAS#延迟: 1,2,或3个
- 突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
- 突发类型:交错式或线性爆裂
- 突发读单写
- 加载彩色或屏蔽寄存器
突发停止功能
通过DQM0-3控制单个字节
块写,写每比特的能力
自动刷新和自刷新
2048刷新周期/ 32ms的
单+ 3.3V ± 0.3V电源
接口: LVTTL
JEDEC 100引脚塑料封装
-QFP (机身厚度=高度仅2.8mm)
-TQFP1.4 (机身厚度= 1.4毫米)
-TQFP1.0 (机身厚度= 1.0毫米)
EM636327
初步( 12/98 )
512K ×32高速同步图形DRAM ( SGRAM )
关键的特定连接的阳离子
EM636327
- 55/6/7/8/10
5.5 / 6/7 /8/ 10纳秒
32/36/42/48/60 NS
7/8/13/18/23 NS
10/10 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
48/54/63/72/90 NS
t
CK3
t
RAS
t
AC1
t
AC3
t
RC
时钟周期时间(min 。 )
行有效时间(最大)
从读命令访问时间
存取时间从CLK (最大)
行周期时间(min 。 )
订购信息
产品型号
EM636327Q-10
EM636327R-10
EM636327TQ-10
EM636327JT-10
EM636327Q-8
EM636327R-8
EM636327TQ-8
EM636327JT-8
EM636327Q-7
EM636327TQ-7
EM636327Q-6
EM636327TQ-6
EM636327Q-55
频率
100MHz
100MHz
100MHz
100MHz
125MHz
125MHz
125MHz
125MHz
143MHz
143MHz
166MHz
166MHz
183MHz
183MHz
QFP
QFP (反向)
TQFP1.4
TQFP1.0
QFP
QFP (反向)
TQFP1.4
TQFP1.0
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
概观
的EM636327 SGRAM是一个高速
含16 CMOS同步图形DRAM
兆比特。它在内部配置为双256K X
32 DRAM与同步接口(所有信号
被登记在时钟的上升沿
信号CLK ) 。每一个256K ×32位的银行是
组织为1024行,256列32位。
读取和写入访问的SGRAM被爆
导向;存取开始在一个选定的位置和
持续的地点在一个设定的号码
编程序列。访问开始时的
一个BankActivate命令,它是注册
然后是读或写命令。
该EM636327提供了可编程
读或写的脉冲串长度的1,2, 4,8,或全
EM636327TQ-55
页面上,一阵终止选项。自动
预充电功能可被使能,以提供一
自定时行预充电,在结尾处启动的
的色同步信号序列。刷新功能,
无论是自动或自刷新易于使用。在
此外, EM636327设有写入每比特和
蒙面块写入功能。
通过具有可编程的模式寄存器和
特殊模式寄存器,系统可以选择
最适合的模式,以最大限度地发挥其性能。
这些装置非常适用于应用
要求高存储器带宽,并且当
再加上特殊的图形功能,导致
一个设备特别适合于高
高性能图形应用程序。
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