FS300R17KE3 [EUPEC]
EconoPACK+ module with trench/fieldstop IGBT and EmCon3 diode; EconoPACK +带沟槽/场终止IGBT和EmCon3二极管模块
| 型号： | FS300R17KE3 |
| 厂家： | 
EUPEC GMBH |
| 描述： | EconoPACK+ module with trench/fieldstop IGBT and EmCon3 diode |
| 文件： | 总8页 (文件大小：337K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS300R17KE3
EconoPACK™+ Modul mit Trench/Feldstop IGBT³ und EmCon3 Diode
EconoPACK™+ module with trench/fieldstop IGBT³ and EmCon3 diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
300
375
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
600
1650
+/-20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 300 A, V•Š = 15 V
I† = 300 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,00 2,45
2,40
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 12,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
5,2
5,8
3,40
2,5
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
27,0
0,90
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
I†Š»
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
3,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I•Š»
tÁ ÓÒ
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 300 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 4,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,28
0,30
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 300 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 4,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,07
0,084
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 300 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 4,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,81
1,00
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 300 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 4,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,18
0,30
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 300 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V, L» = 80 nH
R•ÓÒ = 4,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
65,5
95,0
mJ
mJ
EÓÒ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 300 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V, L» = 80 nH
R•ÓËË = 4,7 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
64,0
94,0
mJ
mJ
EÓËË
Kurzschlussverhalten
SC data
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V
TÝÎ = 125°C, V†† = 1000 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
1200
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
0,075 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
0,047
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-11-17
revision: 2.1
approved by: Wilhelm Rusche
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS300R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1700
300
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
600
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
14500
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 300 A, V•Š = 0 V
IŒ = 300 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,80 2,20
1,90
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 300 A, - diŒ/dt = 3650 A/µs
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
350
380
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 300 A, - diŒ/dt = 3650 A/µs
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
78,0
130
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 300 A, - diŒ/dt = 3650 A/µs
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
40,5
71,5
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,13 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,082
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
T† = 25°C
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
20,0 mW
K
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
3375
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-11-17
revision: 2.1
approved by: Wilhelm Rusche
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS300R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
3,4
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
14,5
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min. typ. max.
0,005
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
20
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
1,10
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5
Schraube / screw M6
M
M
G
3,00
3,0
-
-
6,00 Nm
6,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
916
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-11-17
revision: 2.1
approved by: Wilhelm Rusche
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS300R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
600
600
500
400
300
200
100
0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 20 V
V•Š = 15 V
V•Š = 12 V
V•Š = 10 V
V•Š = 9 V
V•Š = 8 V
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 4,7 Â, R•ÓËË = 4,7 Â, V†Š = 900 V
600
250
225
200
175
150
125
100
75
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
500
400
300
200
100
0
50
25
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
100
200
300
I† [A]
400
500
600
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-11-17
revision: 2.1
approved by: Wilhelm Rusche
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS300R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 300 A, V†Š = 900 V
500
0,1
450
400
350
300
250
200
150
100
50
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
0,01
i: 3
rÍ[K/W]: 0,0075 0,0225 0,03 0,015
1
2
4
τÍ[s]:
0,01
0,04
0,06 0,3
0
0,001
0,001
0
5
10
15
20 25
R• [Â]
30
35
40
45
0,01
0,1
1
t [s]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 4,7 Â, TÝÎ = 125°C
700
600
500
400
300
200
600
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
500
400
300
200
100
0
I†, Modul
I†, Chip
100
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-11-17
revision: 2.1
approved by: Wilhelm Rusche
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS300R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 4,7 Â, V†Š = 900 V
IŒ = 300 A, V†Š = 900 V
120
100
108
96
84
72
60
48
36
24
12
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
0
100
200
300
IΠ[A]
400
500
600
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
0,1
10000
1000
100
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,013 0,039 0,052 0,026
4
τÍ[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0,001
0,001
0,01
0,1
1
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
t [s]
prepared by: Martin Wölz
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2004-11-17
revision: 2.1
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS300R17KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
Freimaßtoleranzen:
- Kunststoffteile nach
DIN 16901 -130-
- Metallteile nach
ISO 2768 -m-
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-11-17
revision: 2.1
approved by: Wilhelm Rusche
7
Nutzungsbedingungen
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