ES29LV160DT-90RTGI [EXCELSEMI]

4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory; 为4Mbit ( 512Kx 8 / 256K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
ES29LV160DT-90RTGI
元器件型号: ES29LV160DT-90RTGI
生产厂家: EXCEL SEMICONDUCTOR INC.    EXCEL SEMICONDUCTOR INC.
描述和应用:

4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
为4Mbit ( 512Kx 8 / 256K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存

闪存
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型号参数:ES29LV160DT-90RTGI参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商EXCEL SEMICONDUCTOR INC
包装说明TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.84
最长访问时间90 ns
其他特性TOP BOOT SECTOR
备用内存宽度8
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模1,2,1,31
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00001 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1