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ES29BDS160D-12RTG 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 (32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory)
.型号:   ES29BDS160D-12RTG
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描述: 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
文件大小 :   583 K    
页数 : 59 页
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品牌   EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
ES29LV320D
32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )
CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
一般特点
•单电源工作
- 2.7V -3.6V读取,编程和擦除操作
•最低100,000编程/擦除每个扇区周期
• 20年的数据保存在125
o
C
软件特点
•产业结构
- 8K字节×8的引导扇区
- 64K字节X 63部门
- 256字节安全部门
•顶部或底部启动块
- ES29LV320DT的热门引导块设备
- ES29LV320DB的底部引导块设备
•一个256字节的额外部门的安全码
- 工厂可锁定
- 客户可锁定
•封装选项
- 48引脚TSOP
- 无铅封装
- 所有无铅产品均符合RoHS标准
•低Vcc的禁止写入
•在0.18微米工艺技术制造
•兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪存标准
擦除暂停/删除恢复
数据#投票和切换的编程/擦除状态
支持CFI (通用闪存接口)
解锁绕道程序
自选模式
经T自动睡眠模式
+ 30ns的
硬件特性
•硬件复位输入管脚( RESET # )
- 提供一个硬件复位装置
- 任何内部装置的操作被终止,并且
设备返回的复位阅读模式
•就绪/忙#输出引脚( RY / BY # )
- 提供编程或擦除操作状态
关于是否它被完成的读或仍在
进展
• WP # / ACC输入引脚
- 两个最外层的引导扇区被保护时,
WP #被设置为低,无论部门保护
- 程序的速度通过提高WP # / ACC加速
到高电压(12V)
•扇区保护/解除保护( RESET # , A9 )
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
该部门内的任何编程或擦除操作
提供了两种方法: -
- 在系统内通过RESET #引脚的方法
- A9为PROM编程高电压的方法
•临时机构unprotection的( RESET # )
- 允许以前的临时解除保护
保护部门更改系统数据
设备性能
•读取时间
- 为90ns / 120N正常的Vcc范围( 2.7V - 3.6V )
- 80ns的受监管的Vcc范围( 3.0V - 3.6V )
•编程和擦除时间
- 计划时间: 9US /字节, 11us /字(典型值)
- 加速程序时间: 8US /字(典型值)
- 扇区擦除时间: 0.7sec /扇区(典型值)
•功耗(典型值)
- 为200nA待机或自动睡眠模式
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 在程序15毫安活跃的写入电流或擦除
ES29LV320D
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修订版2D 2006年1月5日
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