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BD-A533RD  BD9639MWV  BD9870FPS  BD9895FV  BD9850FVM_08  BD9851EFV  BD954F  BD-A53DRD  BD9898F  BD9540EFV  
ES29DL160D-12RTG 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 (32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory)
.型号:   ES29DL160D-12RTG
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描述: 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
文件大小 :   583 K    
页数 : 59 页
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品牌   EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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100%
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
一般产品说明
该ES29LV320是32兆, 3.0伏,只闪光
存储装置中,组织为4M ×8位(字节
模式)或2M ×16位(字模式),它被配置
urable通过BYTE # 。八引导扇区和63
设有大小均匀主营行业:
8K字节×8和64K字节X 63所述的装置是MAN-
制造出来与ESI的专利,高性能
和高可靠性的0.18微米CMOS闪存技术。
该装置可被编程或擦除在-系
TEM与标准的3.0伏Vcc电源( 2.7V - 3.6V )
并且,也可以在标准EPROM编程
程序员。该器件提供最小endur-
100000程序ANCE /擦除周期多
超过10年的数据保存期。
该ES29LV320提供存取时间快80ns的
或为90ns ,高速微处理器的允许操作
处理机无需等待。三个独立的控制
提供引脚,以消除总线争:芯片
使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
使能(OE #)。
所有的编程和擦除操作是自动
并在内部进行的,并提供嵌入控制
DED编程/擦除内置在设备中的算法。
设备会自动生成并倍
必要的高电压脉冲被施加到
细胞,进行核查,并计数num-
BER序列。有些状态位( DQ7 , DQ6和
DQ5 )通过数据#轮询或切换之间的阅读
连续的读周期提供给用户的
编程/擦除操作的内部状态:是否
它成功完成或仍在进展。
256字节的额外安全部门
在该装置中, 256字节的一个额外的安全机构是
提供给顾客。这额外的部门可以
用于各种目的,例如存储的ESN
(电子序列号)或客户的安全
码。一旦经过额外的部门写的,它可以
永久锁定由设备制造商(
工厂锁定)
或客户(
客户锁相
能) 。
同时,一
锁定指示位
(DQ7)
永久设置为1;如果部分出厂锁定,
或者设置为0,如果是客户可锁定。因此,这
锁定指示位( DQ7 )可适当使用
避免任何客户,可锁定部分用于
更换工厂锁定的一部分。额外的安全性
部门对客户来说是一个额外的存储空间
当它被用作一个客户可锁定的版本。所以,
它可以被读取和写入就像任何其他扇区。但
但是应当注意的是, E / W的数目(擦除和
写)的周期限制为300倍(最大)只
在安全部门。
特殊服务,例如ESN和工厂锁是
提供给客户( ESI的
特码丝氨酸
)的ES29LV320是完全兼容
单电的JEDEC标准命令集
供应闪光。命令被写入内部
采用标准时序写入命令寄存器
微处理器和数据可以从被读出
单元阵列中的设备与作为所用的相同的方式
其他EPROM或闪存设备。
ES29LV320D
2
修订版2D 2006年1月5日
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