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ES29DL160D-12RTG 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 (32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory)
.型号:   ES29DL160D-12RTG
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描述: 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
文件大小 :   583 K    
页数 : 59 页
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品牌   EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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100%
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
设备总线操作
操作模式中提供了几种设备
该ES29LV320设备。命令用于到起始
tiate该设备的操作。他们被锁存和
存储到内部寄存器的地址和
需要的数据信息,以执行所述设备
操作。
可用的设备操作模式上市
在表1中所要求的输入,控制,和
结果输出。各操作模式是
在进一步的细节在下面的小节中描述
系统蒸发散。
在设备上的地址输入产生的有效数据
器件的数据输出。该装置保持在所读取的
模式,直到另一个操作是通过写激活
命令进入内部命令寄存器。参考
到AC读周期的时序图,用于进一步
详细信息(图18) 。
字/字节模式配置( BYTE # )
该装置输出的数据可以由字节#被构造
成两种模式:字或字节模式。如果
字节#引脚设置为逻辑'1',该装置构造
在字模式, DQ0 - DQ15活跃和受控
通过CE#和OE # 。如果BYTE #引脚设置为逻辑“0” ,
该设备被配置成在字节模式,并仅数据
I / O引脚DQ0 - DQ7活跃和CE#控制
和OE # 。 DQ14是三 - - I / O引脚DQ8数据
说明,并在该DQ15引脚作为输入的
LSB ( A- 1 )的地址。
该装置的内部状态被设置为读
模式和设备已准备好进行读取阵列数据
当设备加电时,或者经过一个硬件复位。对
从所述单元阵列读出所存储的数据
装置, CE #和OE #引脚应被驱动到V
IL
而WE#引脚保持在V
IH
。 CE#为电源
控制和选择器件。 OE#为输出
控制与门阵列的数据到输出引脚。
输出数据的字或字节模式被确定
该BYTE #引脚。无需额外的命令是必要的
在这种模式下,以获得阵列的数据。标准微
处理器读取周期的断言有效地址
待机模式
当该装置不选择或在一个激活的
系统,它需要保持在待机状态下,在
其电流消耗被大大地降低了用
在高阻抗状态输出。
ES29LV320D
6
修订版2D 2006年1月5日
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