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ES29DL160D-12RTG 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 (32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory)
.型号:   ES29DL160D-12RTG
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描述: 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
文件大小 :   583 K    
页数 : 59 页
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品牌   EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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100%
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
该器件进入CMOS待机模式时,
CE #和RESET #引脚均保持在Vcc
+
0.3V.
(注意,这是一个更受限制的电压范围
比V
IH 。
)如果CE #和RESET #保持在V
IH
不Vcc的范围内
+
0.3V时,该设备将仍然在
待机模式中,但是待机电流将
大于所述的CMOS待机电流( 0.2uA典型
美云) 。当设备处于待机模式时,仅
标准访问时间(t
CE
)被用于读
访问,它已经准备好读取数据之前。而且,即使
该设备通过CE#引脚擦除过程中取消选择或
编程操作时,设备将激活电流
租,直到操作完全完成。而
设备停留在待机模式下,输出为
置于高阻抗状态,独立的
在OE #输入。
该器件可以进入深度掉电模式
其中电流消耗大大减少向下
至小于0.2uA通常由以下三个
方式:
-
CMOS待机
( CE # , RESET # = VCC + 0.3V )
-
在设备复位
( RESET # = VSS
+ 0.3V )
-
在自动休眠模式
(经T
+为30ns )
建立周期和最后一个周期与程序
数据和地址。在这种模式下,两个解锁
周期保存(或绕过) 。
扇区地址
单元阵列的整个存储空间被划分
成许多小部门: 8K字节×8节启动
器和64KB的X 63的主要部门。在擦除
操作中,一个部门,多个部门,或
整个器件(芯片擦除)可以选择
抹去。的地址空间中的每个扇区occu-
馅饼中详细示出的表3-4中。
加快编程模式
该器件提供加速方案业务
通过ACC功能。这是两个功能1
通过WP # / ACC引脚提供系统蒸发散。此功能
的主要目的是允许更快的生产
吞吐量的工厂。如果系统断言
V
HH
(11.5~12.5V)
该引脚上时,设备会自动
进入前面提到的
解锁绕道
模式,
暂时取消保护所有受保护的节
器,并且使用较高电压的引脚上
减少所需的编程操作的时间。
只有两个周期的程序指令序列
由于需要解锁旁路模式是自动
在这种加速模式matically激活。该
设备返回到正常操作时, V
HH
is
从WP # / ACC引脚去掉。它应该是
注意到, WP # / ACC脚不能在V
HH
操作要比加速编程等,或
设备的损坏可能会导致。此外,该WP# /
ACC引脚不得悬空,悬空;
该设备的不一致或不希望的行为
可能的结果。
参考CMOS DC特性表11为
进一步现行规范。
自动休眠模式
该器件自动进入深度掉电
模式地址时调用的自动休眠模式
保持稳定吨
+为30ns 。在这种模式下,电流
消耗大大降低(小于0.2uA
典型值) ,无论CE # , WE#和OE #控制
信号。
写命令
写一个命令或命令序列到起始
tiate一些操作,如编程或擦除时,
系统必须驱动WE#和CE #到V
IL
和OE #为
V
IH
。对于程序的操作, BYTE #引脚阻止 -
矿山设备是否接收程序数据
字节或字。请参阅“ BYTE #定时写
在图操作“ 。 21获取更多信息。
自选模式
闪存被用于在应用程序使用
系统蒸发散,其中本地CPU改变存储器的内容。
在这样的应用中,制造商和设备
标识(ID)代码必须能够访问而
该设备驻留在目标系统(所谓
所谓的“在系统程序” ) 。另一方面,
签名代码已被被通常访问
提高A9引脚为高电压PROM编程
聚体。然而,复用高压到
地址线是不是通常所希望的系统
设计实践。因此,在ES29LV320
设备的
自选命令
被提供给
允许系统访问该特征码
没有任何高电压。传统
A9
高电压法
在PROM编程器使用
商签署代码仍支持此
装置。
7
修订版2D 2006年1月5日
解锁旁路模式
为了减少更多的编程时间,一个unlock-
设置旁路模式。一旦设备进入
这种模式下,只有两个写周期都需要到起始
tiate编程操作,而不是四个
在正常的程序命令序列周期
这是由两个解锁周期,程序
ES29LV320D
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