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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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 （E S）我 I ES Excel的半导体公司。 该器件进入CMOS待机模式时， CE ＃和RESET ＃引脚均保持在Vcc + 0.3V. （注意，这是一个更受限制的电压范围 比V IH 。 ）如果CE ＃和RESET ＃保持在V IH 但 不Vcc的范围内 + 0.3V时，该设备将仍然在 待机模式中，但是待机电流将 大于所述的CMOS待机电流（ 0.2uA典型 美云） 。当设备处于待机模式时，仅 标准访问时间（t CE ）被用于读 访问，它已经准备好读取数据之前。而且，即使 该设备通过CE＃引脚擦除过程中取消选择或 编程操作时，设备将激活电流 租，直到操作完全完成。而 设备停留在待机模式下，输出为 置于高阻抗状态，独立的 在OE ＃输入。 该器件可以进入深度掉电模式 其中电流消耗大大减少向下 至小于0.2uA通常由以下三个 方式： - CMOS待机 （ CE ＃ ， RESET ＃ = VCC + 0.3V ） - 在设备复位 （ RESET ＃ = VSS + 0.3V ) - 在自动休眠模式 （经T 加 +为30ns ） 建立周期和最后一个周期与程序 数据和地址。在这种模式下，两个解锁 周期保存（或绕过） 。 扇区地址 单元阵列的整个存储空间被划分 成许多小部门： 8K字节×8节启动 器和64KB的X 63的主要部门。在擦除 操作中，一个部门，多个部门，或 整个器件（芯片擦除）可以选择 抹去。的地址空间中的每个扇区occu- 馅饼中详细示出的表3-4中。 加快编程模式 该器件提供加速方案业务 通过ACC功能。这是两个功能1 通过WP ＃ / ACC引脚提供系统蒸发散。此功能 的主要目的是允许更快的生产 吞吐量的工厂。如果系统断言 V HH (11.5~12.5V) 该引脚上时，设备会自动 进入前面提到的 解锁绕道 模式， 暂时取消保护所有受保护的节 器，并且使用较高电压的引脚上 减少所需的编程操作的时间。 只有两个周期的程序指令序列 由于需要解锁旁路模式是自动 在这种加速模式matically激活。该 设备返回到正常操作时， V HH is 从WP ＃ / ACC引脚去掉。它应该是 注意到， WP ＃ / ACC脚不能在V HH 为 操作要比加速编程等，或 设备的损坏可能会导致。此外，该WP＃ / ACC引脚不得悬空，悬空; 该设备的不一致或不希望的行为 可能的结果。 参考CMOS DC特性表11为 进一步现行规范。 自动休眠模式 该器件自动进入深度掉电 模式地址时调用的自动休眠模式 保持稳定吨 加 +为30ns 。在这种模式下，电流 消耗大大降低（小于0.2uA 典型值） ，无论CE ＃ ， WE＃和OE ＃控制 信号。 写命令 写一个命令或命令序列到起始 tiate一些操作，如编程或擦除时， 系统必须驱动WE＃和CE ＃到V IL 和OE ＃为 V IH 。对于程序的操作， BYTE ＃引脚阻止 - 矿山设备是否接收程序数据 字节或字。请参阅“ BYTE ＃定时写 在图操作“ 。 21获取更多信息。 自选模式 闪存被用于在应用程序使用 系统蒸发散，其中本地CPU改变存储器的内容。 在这样的应用中，制造商和设备 标识（ID）代码必须能够访问而 该设备驻留在目标系统（所谓 所谓的“在系统程序” ） 。另一方面， 签名代码已被被通常访问 提高A9引脚为高电压PROM编程 聚体。然而，复用高压到 地址线是不是通常所希望的系统 设计实践。因此，在ES29LV320 设备的 自选命令 被提供给 允许系统访问该特征码 没有任何高电压。传统 A9 高电压法 在PROM编程器使用 商签署代码仍支持此 装置。 7 修订版2D 2006年1月5日 解锁旁路模式 为了减少更多的编程时间，一个unlock- 设置旁路模式。一旦设备进入 这种模式下，只有两个写周期都需要到起始 tiate编程操作，而不是四个 在正常的程序命令序列周期 这是由两个解锁周期，程序 ES29LV320D
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