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BD9853AFV  BD9702T  BD9870FPS_09  BD9540EFV-E2  BD9884FV  BD95700MUV-E2  BD9862MUV  BD954F  BD9575FV-E2  BD-A516RD  
ES29DL160D-12RTG 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 (32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory)
.型号:   ES29DL160D-12RTG
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描述: 32兆( 4M ×8 / 2M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
文件大小 :   583 K    
页数 : 59 页
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品牌   EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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100%
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
之前,所述第一扇区解除保护被保护
写周期,以避免任何过擦除由于本征
SIC擦除保护细胞的特性。后
在解除保护操作,所有先前保护
扇区将需要被分别重新保护。
标准的微处理器总线周期时序使用
在解除保护和取消保护操作的验证
系统蒸发散。三解除保护方法是在所提供的
ES29LV320设备。全部解除保护和取消保护
验证周期的详细总结
表1中。
-
在系统解除保护
-
A9高压解除保护
-
临时机构unprotection的
如果系统断言V
IL
在WP # / ACC引脚上,
设备禁用的编程和擦除功能
两个“最外层” 8K字节的引导扇区
indepen-
dently的这些部门是否受保护或
未受保护的使用在“扇区中记载的方法
集团保护与unprotection的“ 。这两个outer-
最多8 KB的引导扇区是两个部门
含最低地址在底部,自举
配置的设备,或者包含这两个部门
在顶引导设备配置最高的地址。
如果系统断言V
IH
在WP # / ACC引脚上,
设备恢复到是否两个最外层8
KB的引导扇区是最后一集被保护或
不受保护的。即扇区保护或unprotec-
化这两个领域取决于他们是否
上次保护或用未保护的
方法描述在“类别组保护
解除保护“ 。
需要注意的是WP # / ACC脚不能悬空
或悬空;该设备的不一致的行为
可能的结果。
在系统解除保护
“在系统解除保护” ,初级的方法,
需要V
ID
( 11.5V 〜 12.5V )上
RESET#
A6 = 1 ,A 1 = 1,和A0 = 0 。该方法方案需要
mented无论是在系统或通过编程分析装备
换货。此方法使用标准的微处理器
总线周期时间。参照图29的时序图
和图4为解除保护算法。
A9高压解除保护
“高电压解除保护” ,则替换方法
仅用于编程的设备,必须
力V
ID
( 11.5 〜 12.5V )地址引脚
A9
和反对
控制引脚
OE #
用A6 = 1, A 1 = 1, A 0 = 0 。请参阅
图。 32为时序图,以及图6对外部器件了
tection算法。
开始
RESET # = V
ID
(注1 )
临时机构撤消
此功能允许previ-暂时解除保护
ously保护部门改变系统的数据。
该部门撤消模式通过将激活
在RESET #引脚到V
ID
( 11.5V - 12.5V ) 。在这
模式,以前受保护的行业,可以亲
编程或通过选择该扇区擦除
地址。一旦V
ID
从RESET #删除
销,所有以前受保护的行业是亲
再次tected 。图。图1示出的算法,图27
显示此功能的时序图。
执行擦除或
方案业务
RESET # = V
IH
临时机构
撤消已完成
(注2 )
注意事项:
1.所有受保护的行业是不受保护的(如果WP # / ACC = V
IL
,
最外层的引导扇区将受到保护) 。
2.所有先前保护部门都再次受到保护。
写保护(WP # )
写保护功能提供了硬件
保护某些引导扇区无法
采用V
ID
。此功能由两个1所提供的
WP # / ACC引脚。
图1.临时机构撤消
手术
9
ES29LV320D
修订版2D 2006年1月5日
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