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(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
ES29LV800D
的8Mbit ( 1M ×8 / 512K ×16 )
CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存
一般特点
•单电源工作
- 2.7V -3.6V读取,编程和擦除操作
•最低100,000编程/擦除每个扇区周期
• 20年的数据保存在125
o
C
软件特点
•产业结构
- 16K字节×1 , 8K字节×2 , 32K字节×1引导扇区
- 64K字节X 15sectors
•顶部或底部启动块
- ES29LV800DT的热门引导块设备
- ES29LV800DB的底部引导块设备
•封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA ( 6毫米x 8毫米)
- 无铅封装
- 所有无铅产品均符合RoHS标准
•低Vcc的禁止写入
•在0.18微米工艺技术制造
•兼容JEDEC标准
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪存标准
擦除暂停/删除恢复
数据#投票和切换的编程/擦除状态
解锁绕道程序
自选模式
经T自动睡眠模式
+ 30ns的
硬件特性
•硬件复位输入管脚( RESET # )
- 提供一个硬件复位装置
- 任何内部装置的操作被终止,并且
设备返回的复位阅读模式
•就绪/忙#输出引脚( RY / BY # )
- 提供编程或擦除操作状态
关于是否它被完成的读或仍在
进展
•扇区保护/解除保护( RESET # , A9 )
- 硬件锁定的扇区,以防止方法
该部门内的任何编程或擦除操作
提供了两种方法: -
- 在系统内通过RESET #引脚的方法
- A9为PROM编程高电压的方法
•临时机构unprotection的( RESET # )
- 允许以前的临时解除保护
保护部门更改系统数据
设备性能
•读取时间
- 为70ns /为90ns / 120ns的
•编程和擦除时间
- 计划时间: 6US /字节, 8US /字(典型值)
- 扇区擦除时间: 0.7sec /扇区(典型值)
•功耗(典型值)
- 为200nA待机或自动睡眠模式
- 7毫安在5 MHz有源读取电流
- 在程序15毫安活跃的写入电流或擦除
ES29LV800D
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2006年修订版1D 1月5日,
(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
一般产品说明
该ES29LV800是8兆, 3.0伏,只闪光
存储装置中,组织为1M ×8位(字节
模式)或512K ×16位(字模式),这是CON-
figurable通过BYTE # 。四个引导扇区和15
提供主营行业: 16K字节×1 , 8K字节
×2 , 32K字节×1和64K字节X 15,该装置是
与ESI的专利,高perfor-制造
曼斯和高可靠性的0.18微米CMOS闪存
技术。该设备可被编程或
擦除在系统与标准的3.0伏的Vcc电源
(2.7V - 3.6V) ,也可在标编程
准EPROM编程器。该器件提供MIN-
100000程序imum耐力/擦除周期
和超过10年的数据保存期。
该ES29LV800提供存取时间以最快的速度为70ns
或为90ns ,高速微处理器的允许操作
处理机无需等待。三个独立的控制
提供引脚,以消除总线争:芯片
使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
使能(OE #)。
所有的编程和擦除操作是自动
并在内部进行的,并提供嵌入控制
DED编程/擦除内置在设备中的算法。
设备会自动生成并倍
必要的高电压脉冲被施加到
细胞,进行核查,并计数num-
BER序列。有些状态位( DQ7 , DQ6和
DQ5 )通过数据#轮询或切换之间的阅读
连续的读周期提供给用户的
编程/擦除操作的内部状态:是否
它成功完成或仍在进展。
该ES29LV800与完全兼容
单电源支持JEDEC标准命令集
来往的Flash 。命令被写入内部
采用标准时序写入命令寄存器
微处理器和数据可以从被读出
单元阵列中的设备与作为所用的相同的方式
其他EPROM或闪存设备。
ES29LV800D
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2006年修订版1D 1月5日,
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Excel的半导体公司。
产品选择指南
系列型号
电压范围
速度选项
最大访问时间(纳秒)
CE#访问( NS )
OE #访问( NS )
70
70
70
30
ES29LV800
2.7 ~ 3.6V
90
90
90
35
120
120
120
50
功能块图
RY / BY #
VCC
VSS
VCC探测器
定时器/
计数器
DQ0-DQ15(A-1)
模拟偏置
发电机
WE
#
RESET#
命令
注册
状态
输入/输出
缓冲器
行业SWITCHES
数据锁存器/
检测放大器
y解码器
A<0 : 18>
y解码器
地址锁存
CE#
OE #
BYTE #
X解码器
电池阵列
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
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2006年修订版1D 1月5日,
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Excel的半导体公司。
引脚说明
A0-A18
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
RY / BY #
VCC
VSS
NC
19地址
15数据输入/输出
DQ15 (数据输入/输出,字模式)
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件复位引脚,低电平有效
选择8位或16位模式
READY / BUSY输出
3.0伏,只有单电源供电
(见产品选择指南速度选项和电源电压公差)
接地装置
引脚没有内部连接
描述
逻辑符号
19
A0 ~ A18
DQ0 〜 DQ15
(A-1)
16或8
CE#
OE #
WE#
RESET#
BYTE #
RY / BY #
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Excel的半导体公司。
接线图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE#
RESET#
NC
NC
RY / BY #
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP标准
ES29LV800
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE #
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE #
VSS
CE#
A0
48球FBGA ( 6毫米x 8毫米)
(顶视图,球朝下)
A
B
C
D
E
F
G
H
6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE #
DQ15/
A-1
VSS
5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
4
WE#
RESET#
NC
NC
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
3
RY /
BY #
NC
A18
NC
DQ2
DQ10
DQ11
DQ3
2
A7
A17
A6
A5
DQ0
DQ8
DQ9
DQ1
1
A3
A4
A2
A1
A0
CE#
OE #
VSS
ES29LV800D
5
2006年修订版1D 1月5日,
相关元器件产品Datasheet PDF文档

ES29DL160D-90WCI

32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
12 EXCELSEMI

ES29DL160DB-12TG

16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
12 EXCELSEMI

ES29DL160DB-80RTG

8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
13 EXCELSEMI

ES29DL160DT-90RTGI

4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
15 EXCELSEMI

ES29DL160DT-90TGI

16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
19 EXCELSEMI

ES29DL160E-12RTG

32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
14 EXCELSEMI
    ES29DL160D-90RTG
    应用领域和描述
    闪存

    8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
    的8Mbit ( 1M ×8 / 512K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存

    总50页 (680K) EXCEL SEMICONDUCTOR INC.
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