FDD6612A [FAIRCHILD]

N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET; N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩
FDD6612A
元器件型号: FDD6612A
生产厂家: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述和应用:

N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
PDF文件: 总6页 (文件大小:123K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:FDD6612A参数
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Transferred
IHS 制造商FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码DPAK
包装说明DPAK-3
针数3
制造商包装代码TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA &AB
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.21
Is SamacsysN
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)90 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)9.5 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1