FDD6690A [FAIRCHILD]

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET; N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM
FDD6690A
元器件型号: FDD6690A
生产厂家: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述和应用:

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM

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型号参数:FDD6690A参数
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.8
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)245 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏极电流 (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1