FDS8958A [FAIRCHILD]

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor; 双N和P沟道增强型场效应晶体管
FDS8958A
元器件型号: FDS8958A
生产厂家: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述和应用:

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
双N和P沟道增强型场效应晶体管

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC
PDF文件: 总11页 (文件大小:285K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:FDS8958A参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Transferred
IHS 制造商FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.27
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
2D Presentation
Schematic Symbol
PCB Footprint
3D View
Samacsys PartID1006106
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count8
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategorySmall Outline Packages
Samacsys Footprint NameSOIC8_8
Samacsys Released Date2019-08-22 10:35:53
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)54 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1