FQPF7N80C [FAIRCHILD]

800V N-Channel MOSFET; 800V N沟道MOSFET
FQPF7N80C
元器件型号: FQPF7N80C
生产厂家: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述和应用:

800V N-Channel MOSFET
800V N沟道MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
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型号参数:FQPF7N80C参数
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Transferred
IHS 制造商FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码TO-220F
包装说明TO-220F, 3 PIN
针数3
制造商包装代码TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ SC91, STRAIGHT LEAD
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.69
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)580 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.6 A
最大漏极电流 (ID)6.6 A
最大漏源导通电阻1.9 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)26.4 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1