IRF530 [FAIRCHILD]

N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V; N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V
IRF530
元器件型号: IRF530
生产厂家: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述和应用:

N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V

晶体 晶体管 局域网
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型号参数:IRF530参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.04
雪崩能效等级(Eas)69 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.16 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)56 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1