元器件型号: | NDS8936 |
生产厂家: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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型号参数:NDS8936参数 | |
Brand Name | Fairchild Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SO-8 |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | 8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150" NARROW BODY, DUAL DAP |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 7.37 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.3 A |
最大漏极电流 (ID) | 5.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.035 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
双N沟道增强型场效应晶体管