2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259

2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259

0.125 X 45

O

（ 3.2 ）典型值

0.600 (15.2)

0.560 (14.3)

特点

•

•

浪涌过载评价： 60安培

高峰期。

可靠的低造价，利用

模压塑料技术。

0.460 (11.7)

0.420 (10.7)

0.500 (12.7)

0.460 (11.7)

KBPM

0.600敏

(15.2)

0.500 MIN

(12.7)

2.0安培桥式整流器

绝对最大额定值*

符号

I

O

i

F（浪涌）

P

D

R

θJA

T

英镑

T

J

平均整流电流

峰值正向浪涌电流

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境， **每腿

存储温度范围

工作结温

T

A

= 25 ° C除非另有说明

0.060典型值

(1.52)

0.160 (4.1)

0.140 (3.6)

0.034 (8.6)

0.028 (7.6)

外型尺寸是：英寸（毫米）

参数

价值

2.0

60

4.7

33

30

-55〜 + 165

-55〜 + 165

单位

A

A

W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

°C

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

**

设备安装在PCB与0.47 X 0.47" （ 12 ×12毫米）。

电气特性

参数

T

A

= 25 ° C除非另有说明

设备

005M

253

01M

254

100

70

100

02M

255

200

140

200

04M

256

400

280

400

5.0

500

1.1

15

25

06M

257

600

420

600

08M

258

800

560

800

10M

259

1000

700

1000

单位

反向重复峰值电压

最大RMS桥输入电压

采用直流反接电压

（额定V

R

)

最大反向漏电流

共有桥@额定V

R

T

A

= 25°C

T

A

= 125°C

最大正向电压降，

每个桥

@ 3.14 A

2

I T额定值融合

吨< 8.35毫秒

典型结电容，每腿

V

R

= 4.0 V，F = 1.0 MHz的

50

35

50

V

V

V

µA

µA

V

2

几秒钟之内

pF

2000

仙童半导体国际

2KBP005 / 3N253-2KBP10 / 3N259 ，版本B