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![]() 2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259 2KBP005M / 3N253 - 2KBP10M / 3N259 0.125 X 45 O ( 3.2 )典型值 0.600 (15.2) 0.560 (14.3) 特点 • • 浪涌过载评价: 60安培 高峰期。 可靠的低造价,利用 模压塑料技术。 0.460 (11.7) 0.420 (10.7) 0.500 (12.7) 0.460 (11.7) KBPM 0.600敏 (15.2) 0.500 MIN (12.7) 2.0安培桥式整流器 绝对最大额定值* 符号 I O i F(浪涌) P D R θJA T 英镑 T J 平均整流电流 峰值正向浪涌电流 器件总功耗 减免上述25℃ 热阻,结到环境, **每腿 存储温度范围 工作结温 T A = 25 ° C除非另有说明 0.060典型值 (1.52) 0.160 (4.1) 0.140 (3.6) 0.034 (8.6) 0.028 (7.6) 外型尺寸是:英寸(毫米) 参数 价值 2.0 60 4.7 33 30 -55〜 + 165 -55〜 + 165 单位 A A W 毫瓦/°C的 ° C / W °C °C * 这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。 ** 设备安装在PCB与0.47 X 0.47" ( 12 ×12毫米)。 电气特性 参数 T A = 25 ° C除非另有说明 设备 005M 253 01M 254 100 70 100 02M 255 200 140 200 04M 256 400 280 400 5.0 500 1.1 15 25 06M 257 600 420 600 08M 258 800 560 800 10M 259 1000 700 1000 单位 反向重复峰值电压 最大RMS桥输入电压 采用直流反接电压 (额定V R ) 最大反向漏电流 共有桥@额定V R T A = 25°C T A = 125°C 最大正向电压降, 每个桥 @ 3.14 A 2 I T额定值融合 吨< 8.35毫秒 典型结电容,每腿 V R = 4.0 V,F = 1.0 MHz的 50 35 50 V V V µA µA V 2 几秒钟之内 pF 2000 仙童半导体国际 2KBP005 / 3N253-2KBP10 / 3N259 ,版本B
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