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CYN17XM , CNY17FXM , MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
2008年5月
CNY171M , CNY172M , CNY173M , CNY174M ,
CNY17F1M , CNY17F2M , CNY17F3M , CNY17F4M ,
MOC8106M , MOC8107M
光电晶体管光耦合器
特点
UL认证(文件号E90700 ,第2卷)
VDE认可
描述
该CNY17XM , CNY17FXM和MOC810XM设备
由一个砷化镓红外发光二极管加上一个NPN的
光电晶体管中的双列直插式封装。
- 添加选项V(例如, CNY17F2VM )
- 文件# 102497
在选择组电流传输比
高BV
首席执行官
: 70V最低( CNY17XM , CNY17FXM ,
MOC810XM)
紧密匹配的电流传输比( CTR )
最小化单元到单元的变化。
随着芯片没有到非常低的电容耦合
最小噪音6脚底座的连接
susceptability ( CNY17FXM , MOC810XM )
包装纲要
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
家电传感器系统
工业控制
示意图
阳极1
6 NC
阳极1
6基地
阴极2
5收藏家
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
NC 3
4发射器
CNY17F1M/2M/3M/4M
MOC8106M/7M
CNY171M/2M/3M/4M
©2006仙童半导体公司
CYN17XM , CNY17FXM , MOC810XM版本1.0.7
www.fairchildsemi.com
CYN17XM , CNY17FXM , MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
( PK)
P
D
探测器
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
D
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
参数
价值
-40到+150
-40至+100
260 ,持续10秒
250
2.94
60
6
1.5
120
1.41
50
70
7
150
1.76
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
V
mW
毫瓦/°C的
器件总功耗@ 25°C (LED加检测器)
线性降额从25℃
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值( 1μs的脉冲, 300pps )
LED功耗25 ° C环境
线性降额从25℃
连续集电极电流
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
探测器功耗@ 25°C
线性降额从25℃
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2
CYN17XM , CNY17FXM , MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
单个组件特性
符号
参数
测试条件
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 60毫安
I
F
= 10毫安
C
J
I
R
电容
反向漏
当前
击穿电压
集电极到发射极
收藏家基地
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
收藏家基地
电容
集电极到发射极
收藏家基地
发射器基
V
F
= 0 V , F = 1.0MHz的
V
R
= 6V
CNY17XM,
CNY17FXM
MOC810XM
所有
所有
1.0
1.0
1.35
1.15
18
0.001
10
1.65
1.50
pF
µA
V
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
C
CB
C
EB
I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0
I
C
= 10μA ,我
F
= 0
I
E
= 100μA ,我
F
= 0
V
CE
= 10 V,I
F
= 0
V
CB
= 10 V,I
F
= 0
V
CE
= 0中,f = 1MHz的
V
CB
= 0中,f = 1MHz的
V
EB
= 0中,f = 1MHz的
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
所有
CNY171M/2M/3M/4M
所有
CNY171M/2M/3M/4M
CNY171M/2M/3M/4M
8
20
10
70
70
7
100
120
10
1
50
20
nA
nA
pF
pF
pF
V
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹,吨= 1秒,
I
我-O
2µA
(4)
V
我-O
= 500 VDC
(4)
V
我-O
= O,F = 1MHz的
(4)
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC ( PK)
0.2
pF
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(3)
符号
再加
( CTR )
(2)
输出集电极
当前
MOC8106M
MOC8107M
CNY17F1M
CNY17F2M
CNY17F3M
CNY17F4M
CNY171M
CNY172M
CNY173M
CNY174M
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极CNY17XM / FXM
饱和电压MOC8106M / 7M
I
C
= 2.5毫安,我
F
= 10毫安
I
C
= 500μA ,我
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安,V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
50
150
%
DC特性
测试条件
分钟。 (典型值) *最大。单位
100
40
63
100
160
40
63
100
160
300
80
125
200
320
80
125
200
320
0.4
V
*所有标准结构在T
A
= 25°C
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CYN17XM , CNY17FXM , MOC810XM版本1.0.7
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3
CYN17XM , CNY17FXM , MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
符号
t
on
t
关闭
t
d
t
r
t
s
t
f
(续) (T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
(1)
传输特性
(续)
(3)
AC特性
(4)
开启时间
打开-O FF时间
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
所有器件
所有器件
CNY17XM/XFM
所有器件
CNY17XM/FXM
CNY17XM/FXM
所有器件
CNY17XM/FXM
饱和开关时间
t
on
开启时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
r
上升时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
d
延迟时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
关闭
打开-O FF时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
f
下降时间
CNY171M/F1M
CNY172M/3M/4M
CNY17F2M/F3M/F4M
t
s
贮存时间
CNY171M/F1M
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 20mA时, V
CE
= 0.4V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 0.4V
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
I
F
= 20mA时, V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
5.5
8.0
4.0
6.0
5.5
8.0
34
39
20.0
24.0
34.0
µs
µs
µs
µs
µs
µs
测试条件
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75Ω
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75Ω
I
C
= 2.0毫安,V
CC
= 10V ,R
L
= 100Ω
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 75Ω
分钟。 (典型值) *最大。单位
2
3
1
4.0
4.1
2
3.5
µs
µs
10
10
5.6
µs
µs
µs
µs
不饱和开关时间
CNY172M/3M/4M
I
F
= 10毫安,V
CC
= 5V ,R
L
= 1kΩ
CNY17F2M/F3M/F4M
*所有标准结构在T
A
= 25°C
注意事项:
39.0
1.
2.
3.
4.
始终以设计规定的最小/最大电限(如适用) 。
电流传输比( CTR ) = I
C
/I
F
x 100%.
测试电路的设置和波形,请参阅图10和11 。
对于本试验中,引脚1和2是常见的,并且引脚4 5是共同的。
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4
CYN17XM , CNY17FXM , MOC810XM - 光电晶体管光耦合器
典型性能特性
图。 2归CTR与环境温度
图。 1归CTR与正向电流
1.6
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25˚C
归一
I
F
= 10毫安
1.2
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
1.0
1.4
1.4
归一化CTR
归一化CTR
I
F
= 10毫安
0.8
0.8
0.6
0.6
I
F
= 20mA下
0.4
0.4
标准化为:
I
F
= 10毫安
T
A
= 25˚C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.2
-60
-40
-20
0
0.2
0.0
20
40
60
80
100
I
F
- 正向电流(mA )
T
A
=环境温度(℃)
图。 3 CTR与RBE (不饱和)
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
1.0
0.9
I
F
= 20mA下
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0V
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
1.0
0.9
0.8
图。 4 CTR与RBE (饱和)
V
CE
= 0.3V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
图。 5切换速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
T
A
= 25˚C
图。 6归一吨
on
与ř
BE
5.0
归一吨
on
– (t
在(R
BE
)
/ t
(开)
)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
100
V
CC =
10V
I
C
= 2毫安
R
L
= 100Ω
开关速度(微秒)
T
f
T
关闭
10
T
on
1
T
r
100
1000
10000
100000
0.1
0.1
1
10
100
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
的R - 负载电阻值(kΩ )
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0 FAIRCHILD

CNY174W

Phototransistor Optocouplers
9 FAIRCHILD

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28 FAIRCHILD

CNY17-4W

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